发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置，具有基板、设置于该基板上的多个有机电致发光元件以及确定设置各有机电致发光元件的各像素区域的隔壁，其中，所述隔壁包括在相当于所述各像素区域的区域穿设有开口的绝缘膜以及设置于该绝缘膜的与基板侧相反一侧的隔壁主体，所述有机电致发光元件包括一对电极和由该电极夹持并且配置在由所述隔壁所包围的区域中的发光部，所述绝缘膜的厚度比所述发光部的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
将有机电致发光元件(以下有时称作有机EL元件)作为发光元件使用的发光装置(显示装置及照明装置等)目前备受瞩目。例如在显示装置中，在基板上配置有分别作为像素发挥作用的多个有机EL元件。为了相互独立地驱动各有机EL元件，利用隔壁将各有机EL元件彼此间电绝缘。该隔壁例如以格子状形成，在由隔壁包围的区域中配置各有机 EL元件。所以，多个有机EL元件以矩阵状配置。构成有机EL元件的有机层(发光层等)可以利用涂布法来形成。具体来说，通过将含有有机材料和溶剂的墨液向由隔壁包围的区域选择性地供给，进而将其干燥，而在由隔壁包围的区域中形成有机层。构成有机层的有机材料在溶剂中的溶解性不一定高，墨液中的有机材料的浓度通常来说为1重量％左右。因而，与所要形成的有机层的体积相比就会供给大量的墨液，由于隔壁也可以作为墨液的收容体发挥作用，因此向由隔壁包围的区域供给的墨液不会溢出， 而由隔壁收容，通过直接进行干燥而膜化，从而形成有机层。图4是形成有机EL元件时所用的以往的基板的剖面图。在基板1中，设有阳极2， 设有包围该阳极2的绝缘膜3，在该绝缘膜3上设有隔壁主体4。由于隔壁也作为收容墨液的收容体发挥作用，因此为了防止所供给的墨液溢出流向相邻的像素，通常来说由相对于墨液显示疏液性的构件构成。但是，在仅用显示疏液性的构件构成隔壁的情况下，由于所供给的墨液在被隔壁弹开的同时干燥，因此膜化时的有机层的周边部的膜厚就会变薄。所以， 为了避免在像素区域的端部产生的膜厚的不均勻性，在隔壁主体4与基板1之间设有显示亲液性的绝缘膜3 (例如参照日本特开2005-174906号公报)。如图4的箭头所示，向隔壁供给的墨液因溶剂气化而逐渐干燥，其液面朝向基板1 地移动。此时由于绝缘膜3是亲液性的，因此墨液在被绝缘膜3拖曳的状态下干燥。其结果是，在绝缘膜3的端部附近在有机层的膜厚中产生分布。图4中，表示出利用涂布法形成 2层有机层5、6的状态。如图4所示，因绝缘膜3的存在，绝缘膜3的端部附近的有机层5、6的膜厚与像素区域的中央部不同。该膜厚的不均勻性成为发光不良的原因。有机EL元件是通过在2层有机层5、6上再设置阴极而形成的，然而例如在靠近阳极2的有机层(下层)5的导电性高的情况下，由于在绝缘膜3的端部附近，靠近阴极的有机层(上层)6的膜厚薄，因此在使有机EL元件发光时，会有从绝缘膜3的端部附近产生漏电的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供具备能够在像素区域内形成膜厚均勻的有机层的有机EL 元件的。本专利技术提供一种发光装置，其特征在于，具有基板、设置于该基板上的多个有机电致发光元件以及确定设置各有机电致发光元件的各像素区域的隔壁，其中，所述隔壁包括在相当于所述各像素区域的区域穿设有开口的绝缘膜以及设置于该绝缘膜的与基板侧相反一侧的隔壁主体，所述有机电致发光元件包括一对电极和由该电极夹持并且配置在由所述隔壁所包围的区域中的发光部，所述绝缘膜的厚度比所述发光部的厚度薄。本专利技术提供如下的发光装置，即，上述绝缘膜的厚度小于50nm。本专利技术提供如下的发光装置，S卩，由面向所述开口的所述绝缘膜的侧面区划成的开口在靠近所述基板的朝向上呈正锥形。本专利技术提供如下的发光装置，即，从基板的厚度方向的一侧观察，所述绝缘膜的面向像素区域的侧面与所述隔壁主体的面向像素区域的侧面之间的间隔为1 μ m以上。本专利技术提供如下的发光装置，即，所述发光部包含利用使用含有有机材料的墨液的涂布法而形成的有机层。本专利技术提供如下的发光装置，S卩，相对于上述墨液，上述绝缘膜比上述隔壁主体更显示出亲液性。本专利技术提供如下的发光装置，S卩，所述发光部是由包含以最靠近基板的方式而设置的空穴注入层的多个层层叠而成的。本专利技术提供一种发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光装置包括具有一对电极以及由该一对电极所夹持的发光部的多个有机电致发光元件，所述发光装置的制造方法包括在基板上形成确定设置各有机电致发光元件的各像素区域的隔壁的工序；形成所述电极的工序；以及在所述像素区域形成发光部的工序，在所述形成隔壁的工序中，形成厚度比所述发光部的厚度薄并且在相当于像素区域的区域穿设有开口的绝缘膜，在该绝缘膜上形成隔壁主体，在所述形成发光部的工序中，通过向所述像素区域供给含有有机材料的墨液，进而将所供给的墨液干燥而形成有机层。本专利技术提供如下的发光装置的制造方法，即，在所述绝缘膜中穿设开口时，利用干蚀刻在绝缘膜中穿设开口，所述开口在靠近所述基板的朝向上呈正锥形。本专利技术提供如下的发光装置的制造方法，即，在形成上述隔壁主体时，使用有机物形成隔壁主体，进而在含氟的气体气氛中进行等离子体处理。附图说明图1是本实施方式的发光装置11的剖面图。图2是发光装置11的俯视图。图3示意性地表示形成锥形的绝缘膜17的工序。图4是形成有机EL元件时所用的以往的基板的剖面图。其中，1基板，2阳极，3绝缘膜，4隔壁主体，5有机层(下层)，6有机层(上层)，11发光装置，12有机EL元件，13基板，14像素区域，15隔壁，16开口，17绝缘膜，18隔壁主体，21阳极，22阴极，23发光部，24发光层，25空穴注入层，31显示绝缘性的薄膜，32光致抗蚀剂，33保护膜具体实施例方式图1是本实施方式的发光装置11的剖面图，图2是发光装置11的俯视图。在显示装置中所用的普通的发光装置中，多个有机EL元件以矩阵状设置，然而在本实施方式中， 为了容易理解，对将9个有机EL元件12以3行3列排列的发光装置11进行说明。图1仅表示出形成有1个有机EL元件12的区域。本实施方式的发光装置11具备基板13、设置于该基板13上的多个有机EL元件 12以及确定设置各有机EL元件12的各像素区域14的隔壁15。隔壁15包括在相当于各像素区域14的区域中穿设有开口 16的绝缘膜17、设置于该绝缘膜17的与基板13相反一侧的隔壁主体18。有机EL元件12包括一对电极21、22、 由该电极21、22夹持并且配置在由上述隔壁15包围的区域(像素区域14)的发光部23。 发光部的膜厚通常来说为IOnm 150nm。虽然本实施方式中对作为有源矩阵型的显示装置发挥作用的发光装置11进行说明，然而发光装置11既可以采用有源矩阵型的显示装置，也可以采用无源矩阵型的显示装置。发光装置11在具备mXn个(记号“m”、“n”分别表示自然数。本实施方式中，m =3,η = 3)像素的情况下，是将分别作为像素发挥作用的mXn个有机EL元件以m行η列的矩阵状配置而构成的。在基板13上以格子状形成隔壁15，通过在由该隔壁15区分出的区域中设置各有机EL元件12，而将各有机EL元件12以矩阵状配置。作为基板13，可以使用形成有有源矩阵型的显示装置用的电路的TFTCThin Film Transistor)基板。各有机EL元件12分别具备彼此分离的阳极21。各阳极21在基板13 上离散地以m行η列的矩阵状配置，与形成于基板13上的电路电连接。本实施方式中，将一对电极21、22中的设置于基板13侧的一方的电极设为阳极21，将另一方的电极设为阴极 22。也可以在基板上设置如下构成的有机EL元件，S卩，将设置于基板13侧的一方的电极设为阴极，将另一方的电极设为阳极。从基板13的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光装置，其特征在于，具有基板、设置于该基板上的多个有机电致发光元件以及确定设置各有机电致发光元件的各像素区域的隔壁，其中，所述隔壁包括在相当于所述各像素区域的区域穿设有开口的绝缘膜以及设置于该绝缘膜的与基板侧相反一侧的隔壁主体，所述有机电致发光元件包括一对电极和由该电极夹持并且配置在由所述隔壁所包围的区域中的发光部，所述绝缘膜的厚度比所述发光部的厚度薄。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗原直，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP