改进的气体可渗透性细胞培养装置及使用方法制造方法及图纸

公开了提供更有效的细胞培养的气体可渗透性装置和方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的
涉及允许更有效的细胞培养过程的气体可渗透性细胞培养装 置和细胞培养方法。
技术介绍
在本申请中和在共同待决的美国申请10/961，814、美国申请11/952，848、美国申 请11/952，856中所引用的每个申请、专利和论文，以及在该每个申请中所引用的文献和参 考，包括相应于和/或要求这些申请和专利的任一个的优先权的每个共同待决的专利申请 和每个PCT和外国申请或者专利的审查过程，以及在每个申请所引用的文献中所引用或者 参考的每篇文献，在这里明确地结合到本文中。对于按比例放大的贴壁细胞的培养，多搁板烧瓶例如Nunc Cell Factory和 Corning^Cell Stack通常被使用。然而，为了给培养中的细胞提供氧气，这些装置需要每个搁板来使气体存在于培养基上。为了使气体存在于装置中，这就需要使该装置较大并在 按比例放大的期间难以处理，浪费了实验室空间并且在培养基更换期间需要使用特殊的设 备。最终导致了在培养尺寸增加时复杂的和昂贵的方法。需要气液界面来氧化该培养是这 些无效用的根本原因。共同待决的美国专利申请10/961，814(Wilson等)描述了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体可渗透性培养装置，包括：一个进入孔，和一侧壁、一顶壁和一底壁，和多于一个的支架，一个位于另一个之上，每个所述的支架通过一空间隔离，所述的空间形成细胞隔间，和一歧管，连接所述的进入孔至所述的细胞隔间，和至少一个气体隔间，所述的气体隔间具有一开口，其与环境气体相流通，并且所述的气体隔间具有至少一个由气体可渗透性材料构成的壁，所述的至少一个由气体可渗透性材料构成的壁不是支架。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US61/078,9662008年7月8日1.一种气体可渗透性培养装置，包括 一个进入孔，和一侧壁、一顶壁和一底壁，和多于一个的支架，一个位于另一个之上，每个所述的支架通过一空间隔离，所述的空间 形成细胞隔间，和一歧管，连接所述的进入孔至所述的细胞隔间，和至少一个气体隔间，所述的气体隔间具有一开口，其与环境气体相流通，并且所述的气 体隔间具有至少一个由气体可渗透性材料构成的壁，所述的至少一个由气体可渗透性材料 构成的壁不是支架。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述的气体隔间的至少一个由气体可渗透性材料 构成的壁通常定位为垂直于所述支架。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述的支架具有一支架开口并且所述的气体隔间 穿透所述的支架开口。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述的一个气体可渗透性材料的壁存在于每个细 胞隔间中。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述的侧壁由气体可渗透性材料构成。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述的侧壁不由气体可渗透性材料构成。7.根据权利要求1所述的装置，其中一个朝向所述的气体隔间的开口是存在的并且定 位在所述的底部上。8.根据权利要求1所述的装置，其中一个朝向所述的气体隔间的开口是存在的并且定 位在所述的顶部上。9.根据权利要求1所述的装置，其中一个朝向所述的气体隔间的开口位于所述的侧壁上。10.根据权利要求1所述的装置，其中所述的气体隔间形成所述装置的周界的一部分， 以使得朝向所述气体隔间的所述开口穿透所述的顶部和/或所述的底部和所述的侧壁。11.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·R·威尔逊，
申请(专利权)人：威尔森沃尔夫制造公司，
类型：发明
国别省市：US