超声波探头的制造方法以及超声波探头技术

本发明专利技术提供一种超声波探头的制造方法及超声波探头。在形成作为保护膜的聚酰亚胺膜之前，使薄膜反复振动，从而评价上部电极与下部电极之间的绝缘耐压，预先除去因薄膜的反复振动而在上部电极与下部电极之间产生了绝缘耐压降低的不良半导体装置（ＣＭＵＴ）单元的上部电极，切断与其他正常半导体装置单元的电连接，由此在包含修复后的ＣＭＵＴ单元（ＲＣ）在内的块（ＲＢ）或沟道（ＲＣＨ）中，防止薄膜的反复振动后的上部电极与下部电极之间的绝缘耐压降低。由此，可以提高半导体装置的制造成品率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
１．一种超声波探头的制造方法，是安装半导体装置来形成超声波探头的超声波探头的制造方法，其中，该半导体装置通过在隔着空穴部配置的上部电极与下部电极之间提供电位差，从而将所述上部电极机械式动作的元件作为一个单元，在半导体基板的主表面上具有沿着第一方向以及与所述第一方向正交的第二方向配置了规定数量的所述单元而形成的块，沿着所述第一方向配置的构成所述块的多个单元的所述上部电极通过辐条而被电连接，沿着所述第二方向配置的构成所述块的多个单元的所述下部电极被电连接，在所述第一方向以及所述第二方向上以矩阵状配置了所述块，该超声波探头的制造方法的特征在于，具有：（ａ）在使所述上部电极动作之后，测量所述上部电极与...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林孝，
申请(专利权)人：株式会社日立医疗器械，
类型：发明
国别省市：JP