霍山石斛试管苗的架空栽培方法技术

本发明专利技术涉及一种霍山石斛种苗的架空栽培方法，本方法包括以下步骤：平整土地、建棚、摆设立体架(苗床)、大棚消毒、种植基质的摆放、种苗定植、肥水管理及采收。首先进行基地基础设施建设，大棚建设完毕后摆放立体架并进行种苗移栽前的大棚消毒，上述步骤完成后在立体栽培架上方摆放含有种植基质的栽培容器或在栽培架的网状物上直接铺设种植基质，在棚内温度达到10℃以上时进行种苗定植，种苗移栽后按要求进行肥水管理，2年后可以采收。该栽培方法既能显著提高霍山石斛试管苗移栽成活率又能有效防止病虫害，缩短了生产周期，使产品品质均匀一致，且该发明专利技术方法操作简单，易于开展霍山石斛种苗的规模化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种霍山石斛(Dendrobium huoshanense C. Z. Tang et S.J.Cheng) 试管苗的栽培方法，特别涉及一种，属于药用植物栽培领域。
技术介绍
霍山石斛(Dendrobium huoshanense C. Ζ. Tang et S. J. Cheng)在霍山当地俗称米斛，是我国古代中药典籍《本草纲目拾遗》和《百草镜》中有明确记载的石斛类中药材，被誉为“中华仙草”之首，是霍山县独有的、拥有原产地地理标志的名贵中药材，尤其是其富含的石斛多糖具有极高的保健和医疗作用。自20世纪80年代以来，霍山石斛由于分布面积狭小，生境狭窄，繁殖系数较低，产量极少，加上长期过度采挖导致资源枯竭，霍山石斛物种濒临灭绝。霍山石斛组织培养和栽培技术的研究与报道虽较多，但试管苗移栽成活率低，生长周期长等原因使试管苗无法真正大规模应用于生产。目前市场销售的冠以“霍山石斛”的产品的原植物多为霍山产其他种类石斛。当前，业内人士对保护霍山石斛资源及发展霍山石斛产业的前景已达成了共识，这对保护濒危物种和药用资源，发展中医药事业、发展医药经济等方面都有十分重大的意义。 因此，运用现代农业生物技术，尽快实现霍山石斛规模化、集约化栽培及产业化开发具有显著的经济效益、社会效益和生态效益。鉴于上述原因，本专利技术将霍山石斛试管苗适时移栽到含有层级结构的基质中，采用架空培养的方式进行规模化栽培技术的探索，使试管苗移栽成活率达到96%以上。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供了一种既能显著提高霍山石斛试管苗移栽成活率又能有效防止病虫害的架空栽培方法，从而缩短生产周期，使产品品质均勻一致。本专利技术采用的技术方案如下一种，其特征在于，包括以下步骤(1)平整土地除去土地上的杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；(2)建棚在基地上架设塑料大棚，在大棚内、外各铺设一层遮光率为60-80%的遮阴网，内、外遮阴网均可根据阳光强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的外围四周围设40-60目防虫网，在棚内铺设或架设自动或手动喷淋设备，用于调节棚内空气湿度和给石斛浇水；(3)摆设立体栽培架在大棚内依次摆放立体栽培架，在摆放时预留通道，立体架上方铺设有可承载种植基质或含有种植基质的栽培容器的网状物；(4)大棚消毒在种苗种植前的6-7天内，清理干净棚内的杂草，并按照 10-50kg/667m2的要求在棚内均勻地撒上生石灰粉或喷洒消毒液消毒；(5)种植基质的摆放种植基质直接摆放在栽培架的网状物上面，或先摆放于栽培容器内，再将栽培容器置于栽培架的网状物上；(6)种苗定植在棚内温度达到10°C以上时，将试管栽培的种苗移栽到基质里；(7)肥水管理从种苗移栽后到根开始生长前，通过浇水或喷雾保持基质的湿润状态；在栽种的种苗的根开始生长后的5-30天内，向基质表面施有机肥，以后的栽培期间以3-6个月施肥一次；叶面喷洒无机肥，喷洒频率为每星期喷施一次；生长期间将大棚内空气相对湿度控制在60-90%范围之间；(8)采收按照上述方法栽培生长2年后，开始采收部分石斛，以后每年采收一部分，生长达到5年后全部采收完毕。所述的立体栽培架大小为长O_30)mX宽(l_2)mX高(0. 2-1. 5)m ；所述的栽培容器为种植框或穴盘或杯状物，种植框大小为长(20-50) cmX宽(20-50) cmX高0-15) cm ； 穴盘或杯状物直径为3-20cm ；所述的基质由上下两层组成，上层为具有保水性能的基质材料选自木屑、刨花、碎木块、小石子中的一种或多种混合物，上层基质厚度为5-15cm;下层基质为颗粒状固体材料选自碎红砖块、小石子、碎木块中的一种或多种，下层基质厚度为2-20cm。种苗移栽时，要求株距、行距分别为4-30cm ；选择移栽种苗的标准苗高2-5cm，有2-5片叶，有3_7条根。本专利技术的有益效果(1)有效防止病虫害本专利技术方法将种苗栽种在立体栽培架上，使霍山石斛种苗与地面隔离，能有效地防止杂草和土地滋生的病虫害危害种苗，另外，采用栽培容器种植种苗能有效防止病虫害在种苗间蔓延，降低了农药的使用量，在节省成本的同时还可大大提高食用安全性。(2)基质成份配置合理下层颗粒状固体基质成分为霍山石斛种苗的生长提供了一个良好的排水透气的根部生长环境，上层采用木屑等基质成分又能起到保水和为植株给予营养的作用，且基质成分简单易得，成本低廉。(3)缩短了生产周期利用本专利技术方法栽培的霍山石斛植株在栽培2. 0年后就可以采收，而野生的霍山石斛生长到2年时植株数量极少，而且几乎均处于生长缓慢和维持生长的状态，不能满足采摘要求；(4)提高了产量由于人工架空栽培方式为霍山石斛提供了适宜的生长条件和环境，不仅可以提高栽培密度，而且还促进了生长发育，因此，利用本专利技术方法可以大幅度高霍山石斛的产量。具体实施例方式以下实施例是对本专利技术的进一步说明，不是对本专利技术的限制。实施例1该实施例以霍山石斛种苗的非架空栽培方法为对照，在实施中选取三种本专利技术方法的栽培基质开展了霍山石斛种苗移栽后的成活率研究，具体步骤如下1.种苗的获得选取生长健壮的霍山石斛开花株，通过人工授粉得到果实，然后将果实中的种子播种在种子萌发培养基上进行培养，在种子萌发成原球茎并进一步分化成小苗后，再将小4苗用试管开花培养基培养，待所培养的植株开花后在无菌条件下进行人工授粉，在人工培养基上培养到果实成熟后，再进行无菌播种，待种子萌发后长成小植株，最后将小植株在壮苗培养基上培养成可出瓶种植的种苗。2.利用本专利技术方法栽培种苗2. 1种苗移栽前的硬件设施准备(1)平整土地去除杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；(2)建棚在基地上建设夏季可通风降温、冬季可保温的5米宽，2. 5米高的薄膜大棚，在所述薄膜大棚内外各铺设一层遮光率为60-80%的遮阴网，内外网均可根据光照强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的四周围设40-60目防虫网；(3)摆设立体架(苗床)在大棚内依次摆放长30. OmX宽1. 5m X高1. Om立体栽培架，在摆放时预留通道，立体架上方铺设可承载种植基质的网状物，摆放含有基质的种植框，种植框大小为长50cmX宽50cmX高15cm ；栽培容器尺寸不宜过大，保证一旦由于特殊原因发生病虫害，栽有已感染种苗的种植框或穴盘容易被隔离，防止此类病虫害在种苗间快速扩散，降低种苗感染的数量和几率；(4)架设喷淋设备在棚内铺设或架设自动或手动喷淋设备，用于增加湿度和浇水，自动化喷淋设备采用不锈钢水管架设在距苗床1. 0米高处，每间隔1. 5米配不锈钢防滴漏喷嘴一个，苗床两侧平行架设2条不锈钢水管，喷嘴水平从两边向中间的喷水，水压控制在1300帕斯卡；(5)大棚消毒在种苗种植前7天内，清理干净棚内的杂草，并按照10_50kg/667m2 的要求在棚内均勻地撒上生石灰粉或喷洒消毒液消毒；(6)准备种植基质应用本专利技术方法分别铺设以下3种种植基质，每种种植基质上移栽上述种苗的获得方法获得的种苗640株。第①种种植基质组成下层铺设粒径为2_6cm的碎红砖块，厚度为15-20cm，再在碎红砖块上面铺设新鲜木屑，厚度为10-15cm ；碎红砖块在使用前用清水洗干净，采取自然光暴晒的方法对碎红砖块进行消毒杀菌，铺在上层的新本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：（１）平整土地：除去土地上的杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；（２）建棚：在基地上架设塑料大棚，在大棚内、外各铺设一层遮光率为６０－８０％的遮阴网，内、外遮阴网均可根据阳光强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的外围四周围设４０－６０目防虫网，在棚内铺设或架设自动或手动喷淋设备，用于调节棚内空气湿度和给石斛浇水；（３）摆设立体栽培架：在大棚内依次摆放立体栽培架，在摆放时预留通道，立体架上方铺设有可承载种植基质或含有种植基质的栽培容器的网状物；（４）大棚消毒：在种苗种植前的６－７天内，清理干净棚内的杂草，并按照１０－５０ｋｇ／６６７ｍ２的要求在棚内均匀地撒上生石灰粉或喷洒消毒液消毒；（５）种植基质的摆放：种植基质直接摆放在栽培架的网状物上面，或先摆放于栽培容器内，再将栽培容器置于栽培架的网状物上；（６）种苗定植：在棚内温度达到１０℃以上时，将试管栽培的种苗移栽到基质里；（７）肥水管理：从种苗移栽后到根开始生长前，通过浇水或喷雾保持基质的湿润状态；在栽种的种苗的根开始生长后的５－３０天内，向基质表面施有机肥，以后的栽培期间以３－６个月施肥一次；叶面喷洒无机肥，喷洒频率为每星期喷施一次；生长期间将大棚内空气相对湿度控制在６０－９０％范围之间；（８）采收：按照上述方法栽培生长２年后，开始采收部分石斛，以后每年采收一部分，生长达到５年后全部采收完毕。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汤海荣，
申请(专利权)人：安徽康顺名贵中草药产业开发有限公司，
类型：发明
国别省市：34