结晶铪的生长系统及其方法技术方案

本发明专利技术公开了一种结晶铪的生长系统及其方法，该系统包括电压可调的电源单元、反应器、设置在反应器内的钼隔罩、可容纳反应器的盐浴炉、对反应器进行冷却的冷却单元、对反应器进行抽吸真空的真空单元、给反应器进行加碘并由球阀控制的碘盒、设置在反应器上方并与电源单元电性相连的电极单元、设置在反应器内并与电极单元电性相连的结晶单元、以及设置在反应器内壁与钼隔罩之间的粗铪。与现有方法相比较，生长速度快，反应时间长，单炉产量高，单位能耗低，含氧量低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
目前结晶铪的工业化生产技术被国外公司进行技术封锁和垄断，而国内的技术由于生产后期结晶铪生长能力不足导致效率低下、能耗高，故其结晶铪棒直径小，单炉产量低，只有几百克，仅供实验室使用，且由于直径小，不能被直接进行机加工，限制了其使用领域，同时其氧含量通常在200-300ppm，造成纯度不够，也同样影响使用。而且现有的工艺是在玻璃瓶中加入碘，抽真空至1. 33 X IO-1Pa后密封，然后通过铪丝直接挂在反应器内，待反应器内的真空度达到要求后加热悬挂玻璃瓶的铪丝，使其熔断，则玻璃瓶下落摔碎后释放出碘，该种方法不但复杂，而且部分碘会残留在破碎中的玻璃瓶中，从而使参与化学运输的碘减少，也降低了生长速度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可工业化生产。为达到上述目的，本专利技术采用一技术方案一种结晶铪的生长系统，其包括电压可调的电源单元、反应器、设置在反应器内的钼隔罩、可容纳反应器的盐浴炉、对反应器进行冷却的冷却单元、对反应器进行抽吸真空的真空单元、给反应器进行加碘并由球阀控制的碘盒、设置在反应器上方并与电源单元电性相连的电极单元、设置在反应器内并与电极单本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种结晶铪的生长系统，其特征在于：其包括电压可调的电源单元（１）、反应器（２）、设置在反应器（２）内的钼隔罩（３）、可容纳反应器（２）的盐浴炉（４）、对反应器（２）进行冷却的冷却单元、对反应器（２）进行抽吸真空的真空单元、给反应器（２）进行加碘并由球阀（１８）控制的碘盒（１７）、设置在反应器（２）上方并与电源单元（１）电性相连的电极单元、设置在反应器（２）内并与电极单元电性相连的结晶单元、以及设置在反应器（２）内壁与钼隔罩（３）之间的粗铪（２９）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怀浩，
申请(专利权)人：南京佑天金属科技有限公司，
类型：发明
国别省市：84