本实用新型专利技术涉及一种三相五柱水冷电抗器。一种三相五柱水冷电抗器，包括一个上铁轭、三个绕有线圈的中柱和一个下铁轭，所述三个绕有线圈的中柱并列设于所述上铁轭和下铁轭之间，还包括两个未绕线圈的中柱，设于所述上铁轭和下铁轭之间，依次隔开所述三个绕有线圈的中柱，所述未绕线圈的中柱的叠厚和高度与所述绕有线圈的中柱相同。本实用新型专利技术三相五柱水冷电抗器既可以象常规三相水冷电抗器一样，用在三相对称且不含零序分量的三相电路中，也可以用在三相不完全对称，零序分量较大的三相电路中，既减少了工作成本也降低了占地空间。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电力设备，具体来说，是涉及一种三相五柱水冷电抗器。
技术介绍
常规的三相水冷电抗器是三相三柱式水冷电抗器，由三个绕有线圈的中柱和上、 下铁轭组成。当该电抗器用在三相对称的电路中时，三个绕有线圈的中柱的磁通的矢量和为零。但当三相电路中的零序分量较大时，常规的三相水冷电抗器会因磁密的变化而使电感量发生变化，严重时会导致磁密过高而饱和，使其不能正常工作。为了解决这个问题，以前一般都是选用三台单相水冷电抗器。但使用三台单相电抗器时，不仅造价高，而且占用的空间大。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种新型的三相五柱水冷电抗器，克服了常规三相三柱式水冷电抗器的上述不足之处，既能够用于不存在零序分量或零序分量较小的电路中，也能用于零序分量较大的电路中，同时还有效降低了使用成本，且占地空间小。本技术的目的是这样实现的一种三相五柱水冷电抗器，包括一个上铁轭、三个绕有线圈的中柱和一个下铁轭， 所述三个绕有线圈的中柱并列设于所述上铁轭和下铁轭之间，还包括两个未绕线圈的中柱，设于所述上铁轭和下铁轭之间，依次隔开所述三个绕有线圈的中柱，所述未绕线圈的中柱的叠厚和高度与所述绕有线圈的中柱相同。其中，所述三个绕有线圈的中柱上对应设有气隙；所述未绕有线圈的中柱为内铁轭。本技术在常规的三相三柱式水冷电抗器的基础上增加了两个叠厚和高度与绕有线圈的中柱相同的未绕有线圈的中柱。当三相电路对称时，三个绕有线圈的中柱的磁通的矢量和为零，而两个未绕有线圈中柱的磁通为零，与常规三相水冷电抗器的工作状态无异；当三相电路不完全对称，含有较大的零序分量时，未绕有线圈的中柱可以为零序磁通提供回路，使各相的电感量不发生变化，仍然可以达到额定电感量。本技术由于采用了上述技术方案，使之与现有技术相比，具有以下优点和积极效果本技术三相五柱水冷电抗器既可以象常规三相水冷电抗器一样，用在三相对称且不含零序分量的三相电路中，也可以用在三相不完全对称，零序分量较大的三相电路中，既减少了工作成本也降低了占地空间。附图说明通过以下对本技术的实施例并结合其附图的描述，可以进一步理解本技术的目的、具体结构特征和优点。其中图1为本技术三相五柱水冷电抗器第一实施例的正面视图；图2为图1所示实施例的的侧面视图；图3为本技术三相五柱水冷电抗器第二实施例的剖面结构示意图(线圈未示出)。具体实施方式如图1、图2所示的三相五柱水冷电抗器，包括一个上铁轭1、三个绕有线圈的中柱 2、两个未绕有线圈的中柱3和一个下铁轭4。其中未绕线圈的中柱3的叠厚和高度与绕有线圈的中柱2相同，三个绕有线圈的中柱2和两个未绕有线圈的中柱3并列设于上铁轭1和下铁轭4之间，两个未绕有线圈的中柱3依次隔开三个绕有线圈的中柱2。在本实施例中， 绕有线圈的中柱2和未绕有线圈的中柱3均为铁芯柱。如图3所示的本技术的第二实施例，其结构与第一实施例基本相同，不同之处在于在本实施例中，三个绕有线圈的中柱2上设有气隙5，其中每个绕有线圈的中柱上所设气隙数量可根据需要设置，但三个绕有线圈的中柱2之间的气隙是相互对应的。本实施例中，每一个绕有线圈的中柱2上设有气隙5个数为三个，三个绕有线圈的中柱2之间的气隙相互对应。权利要求1.一种三相五柱水冷电抗器，包括一个上铁轭、三个绕有线圈的中柱和一个下铁轭，所述三个绕有线圈的中柱并列设于所述上铁轭和下铁轭之间，其特征在于还包括两个未绕线圈的中柱，设于所述上铁轭和下铁轭之间，依次隔开所述三个绕有线圈的中柱，所述未绕线圈的中柱的叠厚和高度与所述绕有线圈的中柱相同。2.如权利要求1所述的三相五柱水冷电抗器，其特征在于所述三个绕有线圈的中柱上对应设有气隙。3.如权利要求1或2所述的三相五柱水冷电抗器，其特征在于所述未绕有线圈的中柱为内铁轭。专利摘要本技术涉及一种三相五柱水冷电抗器。一种三相五柱水冷电抗器，包括一个上铁轭、三个绕有线圈的中柱和一个下铁轭，所述三个绕有线圈的中柱并列设于所述上铁轭和下铁轭之间，还包括两个未绕线圈的中柱，设于所述上铁轭和下铁轭之间，依次隔开所述三个绕有线圈的中柱，所述未绕线圈的中柱的叠厚和高度与所述绕有线圈的中柱相同。本技术三相五柱水冷电抗器既可以象常规三相水冷电抗器一样，用在三相对称且不含零序分量的三相电路中，也可以用在三相不完全对称，零序分量较大的三相电路中，既减少了工作成本也降低了占地空间。文档编号H01F27/30GK202025630SQ20102061943公开日2011年11月2日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日专利技术者曹祥雄 申请人:上海意兰可电力电子设备有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种三相五柱水冷电抗器，包括一个上铁轭、三个绕有线圈的中柱和一个下铁轭，所述三个绕有线圈的中柱并列设于所述上铁轭和下铁轭之间，其特征在于：还包括两个未绕线圈的中柱，设于所述上铁轭和下铁轭之间，依次隔开所述三个绕有线圈的中柱，所述未绕线圈的中柱的叠厚和高度与所述绕有线圈的中柱相同。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹祥雄，
申请(专利权)人：上海意兰可电力电子设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31
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