湘芋免培土栽植法制造技术

湘芋免培土栽植法，属于农业种植栽培技术领域，现有栽植法是中期培土栽植法，采用待出苗并生长一段时间后于苗间打挖穴或坑施肥，在芋苗周围培土增加土层百度，此方法存在人工耗费量大，施肥、培土时容易伤害芋苗，影响芋头产量等缺陷。本发明专利技术方法是先深耕并平整泥地，在平整的泥地上挖出一条宽度和深度都是7～10厘米的施肥坑，铺上粪肥和草木灰尘，然后以施肥坑为中轴堆起高20～30厘米的土垄，在土垄顶部挖出一条深15～20厘米、宽不大于10厘米的埋种坑，将湘芋种子块茎置于埋种坑底部，最后在芋头块茎上覆盖薄薄的一层细。使用本发明专利技术方法，人工耗费量比现有栽植方法至少降低三分之一，亩产至少提高二分之一。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于农业种植栽培
，尤其与免培土栽植法关。
技术介绍
目前，湘芋的栽植方法采用的是中期培土种植法，具体是先湘芋种子块茎种植在 翻耕平整的土地中，待出苗后于苗间挖穴或施肥，待芋苗生长一段时间后，在芋苗周围用铁 锄或铁锹等农具培土，增加芋苗周围的土层，利于芋头块茎生长，使块茎个头增大，数量增 多。但这样的栽植法需要多次劳作，人工耗费量大，施肥、培土时容易伤害芋苗叶柄和叶子， 甚至可能断苗，影响芋头产量。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题和提出的技术任务就是要克服现有湘芋栽植技术存在 的人工耗费量大，施肥、培土时容易伤害芋苗叶柄和叶子等缺陷，提供一种省时省力，免培 土并能大幅增产的湘芋栽植方法。为此，本专利技术采用以下技术方案湘芋免培土栽植法，包括深耕并平整泥地，其特征在于先在平整的泥地上挖出一 条宽度和深度都是7 10厘米的施肥坑，铺上与施肥坑相当深度的粪肥，在粪肥上铺一层 不大于3厘米厚的草木灰，然后以施肥坑为中轴堆起高20 30厘米的土垄，在土垄顶部挖 出一条深15 20厘米、宽不大于10厘米的埋种坑，将湘芋种子块茎置于埋种坑底部，最后 在芋头块茎上覆盖薄薄的一层细泥。作为对上述技术方案的进一步完善和补充，本专利技术还包括以下附加技术特征所述的土垄顶部宽度为20 25厘米，两侧仰角为60 70度。所述的覆盖于种子块茎上的细泥层厚度为离种子块茎顶部2 5厘米，方便芋苗 出土。待芋苗出土后，土垄顶部的泥土不断遭受雨淋，会慢慢填满芋苗周围留下的埋种坑空 隙，达到增厚泥层的效果。所述的土垄间距为40 50厘米。所述的种子块茎在同一条土垄上的间距为40 50厘米。本专利技术利用在埋植湘芋种子块茎前堆起土垄的方法代替芋苗生长中期培土的方 法来增加芋苗周围的土层，可以避免芋苗生长中期培土对芋苗造成的伤害；由于土垄高于 泥地平面，并较为疏松，种子块茎位于土垄内高于泥地平面，可以避免雨水浸泡，在天气大 旱时可以大面积灌水快速增湿。用预埋肥料的方法代替芋苗生长中期施肥的方法，可以通 过肥料的缓释过程，使芋苗的整个生长周期都有充足的养分，利于块茎的生长，增大块茎个 头，增加块茎数量，并减少施肥的人工劳作次数，降低人工耗费量。使用本专利技术的方法可以达到以下有益效果人工耗费量比现有栽植方法至少降低 三分之一，亩产比现有栽植方法至少可以提高二分之一。附图说明图1是本专利技术湘芋种子块茎栽植位置示意2是芋苗出土后的状态示意图具体实施例方式下面结合附图对本技术的具体实施方式进行详细的描述。如图1所示，是本专利技术湘芋种子块茎栽植位置示意图，其栽植的过程是先将泥地 1深耕并平整，在平整的泥地1上挖出一条宽度和深度都是10厘米的施肥坑2，铺上与施肥 坑2相当深度的粪肥3，在粪肥3上铺一层3厘米厚的草木灰4 ；然后以施肥坑3为中轴堆 起高25厘米的土垄5，土垄5的顶部宽20厘米，两侧呈65度仰角的斜坡，在土垄5的顶部 挖出一条深18厘米、宽10厘米的埋种坑6，将芋头种子块茎7置于埋种坑6底部，最后在种 子块茎7上覆盖一层细泥8，细泥8厚度为离种子块茎7的顶部5厘米。土垄5的中心间距 为50厘米，同一条土垄上的种子块茎间距为50厘米，一亩地的植株在沈00左右。如图2所示，是芋苗出土后的状态示意图。种子块茎经发芽，长出芋苗10和芋根 9，芋根9往下逐渐长入土垄5下的泥地层，也长入草木灰层和粪肥层，吸收养分，支持芋苗 10向上长出细泥层。芋苗10逐渐长粗长高，逐渐挤占埋种坑6经覆盖细泥8后留下的空 隙，土垄5顶部的泥土不断遭受雨淋，也慢慢流入并填满埋种坑6中的空隙，增加种子块茎 7和芋苗10周围的土层厚度，利于种子块茎分裂长出新的块茎，也利于对芋苗10起保持作 用，减少芋苗10的折断。新的块茎有长入泥地1里的，也有在土垄5里长的。权利要求1.湘芋免培土栽植法，包括深耕并平整泥地，其特征在于先在平整的泥地(1)上挖出 一条宽度和深度都是7 10厘米的施肥坑O)，铺上与施肥坑(2)相当深度的粪肥(3)，在 粪肥C3)上铺一层不大于3厘米的草木灰0)，然后以施肥坑( 为中轴堆起高20 30厘 米的土垄(5)，在土垄( 顶部挖出一条深15 20厘米、宽不大于10厘米的埋种坑(6)，将湘芋种子块茎(7)置于埋种坑(6)的底部，最后在湘芋块茎(7)上覆盖薄薄的一层细泥 ⑶。2.根据权力要求1所述的湘芋免培土栽植法，其特征在于所述的土垄(5)顶部宽度 为20 25厘米，两侧仰角为60 70度。全文摘要湘芋免培土栽植法，属于农业种植栽培
，现有栽植法是中期培土栽植法，采用待出苗并生长一段时间后于苗间打挖穴或坑施肥，在芋苗周围培土增加土层百度，此方法存在人工耗费量大，施肥、培土时容易伤害芋苗，影响芋头产量等缺陷。本专利技术方法是先深耕并平整泥地，在平整的泥地上挖出一条宽度和深度都是7～10厘米的施肥坑，铺上粪肥和草木灰尘，然后以施肥坑为中轴堆起高20～30厘米的土垄，在土垄顶部挖出一条深15～20厘米、宽不大于10厘米的埋种坑，将湘芋种子块茎置于埋种坑底部，最后在芋头块茎上覆盖薄薄的一层细。使用本专利技术方法，人工耗费量比现有栽植方法至少降低三分之一，亩产至少提高二分之一。文档编号A01G1/00GK102090230SQ20091022717公开日2011年6月15日 申请日期2009年12月10日 优先权日2009年12月10日专利技术者刘健 申请人:望城县田心坪有机农产品生产科技专业合作社本文档来自技高网...

【技术保护点】
湘芋免培土栽植法，包括深耕并平整泥地，其特征在于：先在平整的泥地（１）上挖出一条宽度和深度都是７～１０厘米的施肥坑（２），铺上与施肥坑（２）相当深度的粪肥（３），在粪肥（３）上铺一层不大于３厘米的草木灰（４），然后以施肥坑（２）为中轴堆起高２０～３０厘米的土垄（５），在土垄（５）顶部挖出一条深１５～２０厘米、宽不大于１０厘米的埋种坑（６），将湘芋种子块茎（７）置于埋种坑（６）的底部，最后在湘芋块茎（７）上覆盖薄薄的一层细泥（８）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘健，
申请(专利权)人：望城县田心坪有机农产品生产科技专业合作社，
类型：发明
国别省市：43