【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶体硅太阳电池，具体涉及一种前表面和背表面都具有双层钝化介质层，背面点接触的晶体硅太阳电池及其制备方法。
技术介绍
晶体硅太阳能电池生产过程中前表面采用PECVD制备的氮化硅作为钝化层兼减反层，单层减反层的反射较高，且在烧结过程中氮化硅中的氢容易溢出，减弱钝化效果；文献报道折射率为2. 3的氮化硅可达到低于20cm/s表面复合速度，工业电池考虑到钝化和减反射的优化组合一般采用折射率为2. 0左右SOnm的氮化硅，其钝化效果并未达到最优。 采用了丝网印刷浆料然后烧结制备电极，尤其是背面采用银浆制备背电极和铝浆制备背电场，烧结后铝浆和硅形成硅铝合金钝化硅表面和导出电流，在这种结构下，硅背表面的表面复合速度高于lOOOcm/s，且对于红外光的反射效率差，只有70%左右。在硅材料成本的驱动下，基底硅材料将会越来越薄，表面复合效应将会越来越严重，因此降低电池中硅表面复合是一个重要的改善方向。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，应用产业化的工艺技术实现具有双层介质层钝化减反射作用的薄膜和具有背表面双层钝化介质层薄膜钝化的背面点接触晶体硅太阳能电池及...
【技术保护点】
１．一种背面点接触晶体硅太阳电池，其特征在于：该电池结构为：在Ｐ型硅基底（５）的上表面向上依次为ｎ＋发射极（４）、６０－１００ｎｍ折射率为１．７－２．８的上氮化硅层（３）和１０－１００ｎｍ的上氧化铝层（２０１），金属银电极（１）穿过上氧化铝层（２０１）和上氮化硅层（３）与ｎ＋发射极（４）连接；在Ｐ型硅基底（５）的下表面向下依次为１０－１００ｎｍ的下氧化铝层（２０２）、６０－２００ｎｍ的下氮化硅层（６）和金属铝层（７），金属铝层（７）通过孔洞与Ｐ型硅基底（５）连接；所述孔洞为圆形孔或方形孔，圆形孔直径为５０－３００ｕｍ，方形孔边长为５０－２００ｕｍ，开孔面积占背表面总面积的１％－１０％；
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：窦亚楠，何悦，王涛，江作，王建禄，褚君浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31
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