【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片设计
,尤其涉及一种片内电源电路的设计。
技术介绍
片内电源电路是集成在半导体芯片内部的电源模块。其作用主要是从外部电源 (例如220V市电)中获取电能,并把能量转化芯片内部其他模块可接受的稳定的直流电平, 并给内部其他模块供电。目前,片内电源在纹波幅度、调整范围、功耗等技术指标上还不能达到外部电源的水平,但是,片内电源具有设计指标灵活、成本低廉、可集成等外部电源不可比拟的优势。因此,片内电源将会成为未来电源的另一个发展方向。目前主要有两种形式片内电源电路,线性片内电源电路和开关片内电源电路。线性片内电源电路的结构如图1所示,包括片内基准源单元、误差放大器单元和PMOS传输管。 Vin由外部电源提供,可以是带有摆幅剧烈的纹波的直流电压,Vtl是输出电压,给内部其他模块提供电源。从主要性能上看,这种电源技术很成熟,可以达到很高的稳定度,波纹也很小,而且没有开关片内电源电路具有的干扰与噪音。但是,这种电源也有很大的缺陷,那就是自身功耗高、输出电压调节范围有限,这些缺点极大地限制的线性片内电源电路的应用。开关片内电源电路结构如图2所示,包括过 ...
【技术保护点】
1.一种片内电源电路,包括片内基准源单元、过压欠压逻辑单元、误差放大器单元、功率输出单元和高压JFET,外部电源输入到高压JFET的漏极,高压JFET的源极连接到功率输出单元的输入端,片内基准源单元的输出端连接到过压欠压逻辑单元的一个输入端,过压欠压逻辑单元的输出端连接到功率输出单元输入端,功率输出单元的输出端连接到过压欠压逻辑单元的另一个输入端,其特征在于,高压JFET的栅极连接到误差放大器单元的输出端,片内基准源单元的输出端连接到误差放大器单元的一个输入端,功率输出单元的输出端连接到误差放大器单元的另一个输入端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:方健,管超,柏文斌,王泽华,关旭,陈吕赟,吴琼乐,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:90
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