一种MgO介质保护膜制备方法、显示屏及等离子电视机技术

本发明专利技术公开了一种MgO介质保护膜制备方法、显示屏及等离子电视机,涉及薄膜蒸镀和气体辉光放电技术。本发明专利技术的目的在于提供加入一定量H2O的MgO介质保护膜制备方法，及一种降低缩短放电延迟时间的等离子显示屏与等离子电视机。本发明专利技术技术方案的要点是：在H2O与O2的混合气体中，使用高能电子束将容器内MgO原材料蒸发，然后沉积到玻璃基板上表面最终形成厚度在400~900nm的MgO介质保护膜。在等离子显示屏上设置一层所述的MgO介质保护膜。利用所述等离子显示屏制造等离子电视机。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜电子束蒸镀和气体辉光放电技术，尤其是一种用于等离子显示屏的MgO介质保护膜制备方法，相应的显示屏及等离子电视机。
技术介绍
等离子显示屏(PDP)具有颜色逼真、色彩效果好、视角宽、长寿命等优点，同时其响应速度快、无拖尾、无有害辐射，更加有利于眼健康，是目前主流的平板显示技术之一。在等离子显示屏中，MgO薄膜是制备在前板介质上的一层介质保护膜，主要作用是保护介质层免受离子轰击，延长显示器寿命。另外由于MgO薄膜具有较高二次电子发射系数等特性，其同时具备了降低PDP着火电压、减小放电延迟时间等作用，是等离子显示屏核心部件之一。MgO薄膜常规的制备方法是在富氧气气氛中采用电子束蒸发MgO颗粒原材料的方式进行。目前，本领域技术人员通常认为由于水分容易在MgO表面吸附并导致MgO性能劣化，因而H20是不利因素，应尽量避免在MgO薄膜制备前后与其接触，这样便导致了生产工艺的复杂度。另外，近年来随着消费者消费需求的提升，在高清晰度、绿色节能以及实现3D显示等方面要求PDP进一步降低工作电压、缩短放电延迟时间。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的偏见，突破常规思维，提供一种加入一定量H20 的MgO介质保护膜制备方法，以及进一步降低缩短放电延迟时间的等离子显示屏及等离子电视机。本专利技术采用的技术方案是这样的一种MgO介质保护膜的制备方法，在H20与02气氛中，使用高能电子束将容器内MgO 原材料蒸发，然后沉积到玻璃基板上表面最终形成厚度在40(T900nm的MgO介质保护膜。优选地，所述玻璃基板为设置有ITO透明电极、BUS电极和介质层的等离子显示屏的玻璃基板。优选地，一种MgO介质保护膜的制备方法，包括以下步骤步骤301 将制设置有ITO透明电极(1)、BUS电极(2)和介质层(3)的等离子显示屏的玻璃基板(4)置于电子束真空镀膜机蒸镀室内，水平放置；步骤302 将MgO颗粒材料(8)装入坩埚容器(7)内；坩埚至于所述玻璃基板(4)的下方；打开蒸镀室内加热器将玻璃表面温度加热到100 300°C;打开真空泵将蒸镀室内真空抽至(0. 1 5) XKT3Pa ；步骤303 通入流量为60 200SCCm气体仏；液体H2O通过180度加热后以蒸汽状态通入蒸镀室，H2O流量是50 300sCCm ；调节真空泵，保证通入H2O与02气氛后电子束真空镀膜机蒸镀室真空度为(1 3) X KT2Pa ；步骤304 打开电子枪，以200 500mA的束流使电子束(6)照射到坩埚容器(7)内的 MgO颗粒材料(8)上，开始蒸镀；MgO介质保护膜达到预定厚度400 900nm后停止蒸镀， 关闭电子枪，玻璃基板(4 )移出蒸镀室。优选地，所述气体A的纯度为99. 99%。优选地，所述H2O为蒸发残留低于IOppm的超纯H20。优选地，所述H2O的流量是lOOsccm。优选地，所述H2O的流量是200sccm。优选地，所述MgO颗粒材料为纯度为99. 9%的单晶、多晶或掺杂MgO颗粒材料。一种等离子显示屏，其玻璃基板具有按照权利要求1至8中任意一项所述方法制备的MgO介质保护膜。一种等离子电视机，其显示屏的玻璃基板上具有按照权利要求1至8中任意一项所述方法制备的MgO介质保护膜。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是1、通过实际测试证明了在MgO介质保护膜的制备过程中，以一定条件加入H20不但不会导致MgO性能劣化，还能起到改善MgO功能的作用；2、本专利技术中MgO介质保护膜的制备方法降低了等离子屏的维持电压、改善了放电裕度，同时缩短了寻址放电延迟时间，有利于等离子屏节能降耗和实现快速寻址；3、本专利技术制备MgO晶粒尺寸大、晶界少，MgO薄膜更加致密；4、本专利技术所制备MgO介质保护膜以111晶面择优取向为主，同时具有220晶面取向；所制备MgO介质保护膜为平均粒径100-200nm的柱状晶型；所制备MgO介质保护膜介质保护膜厚度400-900nm。见图2、3。附图说明本专利技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中 图1是本专利技术制备MgO介质保护膜的示例性图示。图2是采用本专利技术的，H20流量是lOOsccm获得的MgO薄膜扫描电镜(SEM)图片。图3是采用本专利技术的，H20流量是200sCCm获得的MgO薄膜扫描电镜(SEM)图片。图4是采用本专利技术的，H20流量是lOOsccm获得的MgO薄膜X射线衍射(XRD)图。图5是采用本专利技术的，H20流量是200sCCm获得的MgO薄膜X射线衍射(XRD)图。图中标记ITO透明电极1、BUS电极2、介质层3、等离子显示屏的玻璃基板4、MgO 介质保护膜5、高能电子束6、容器7、MgO原材料8。具体实施例方式本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。本专利技术公开了一种主要用于但不限于等离子显示屏的MgO介质保护膜的制备方法，其步骤是在H20与02气氛中，使用高能电子束将容器内MgO原材料蒸发，然后沉积到玻璃基板上表面形成具有一定厚度的MgO介质保护膜。按照等离子显示屏介质保护膜的要求，膜的厚度为在400 900歷。所述的玻璃基板为设置有ITO透明电极1、BUS电极2和介质层3的等离子显示屏的玻璃基板4。在制备MgO介质保护膜的过程中通入H2O,能够优化MgO介质保护膜原理是1、H2O的通入与MgO薄膜的表面形貌与晶体结构变化有关=H2O气氛的加入势必减小 MgO分子在蒸镀过程中的平均自由程，蒸镀时MgO分子与H2O分子的碰撞将导致MgO分子动能减少，使MgO分子在抵达薄膜表面后迁徙率降低，这有利于成核率的提高和晶体的长大。2、MgO的放电特性很大程度上与其二次电子发射系数有关，而二次电子发射系数除了与初电子能量和入射角有关外，还与逸出功、温度、表面状态等因素有关。表面结构对二次电子发射系数影响很大，表面粗糙或晶体缺陷多将导致二次电子发射系数降低，原因在于二次电子将被孔壁和缺陷吸收。H2O通入后MgO表面晶粒变大、晶界减少，薄膜整体变得相对致密，这对提高薄膜的二次电子发射能力有利。下面结合具体实施例及实验结果对本专利技术的MgO介质保护膜的制备过程及其有益效果作进一步阐述。实施例一如图ι所示，将制备有ITO透明电极1、BUS电极2和介质层3的等离子显示屏的玻璃基板4置于电子束真空镀膜机蒸镀室内；将纯度为99. 9%的氧化镁颗粒材料8装入坩埚容器7内；打开蒸镀室内加热器将玻璃表面温度加热到100 300°C;打开真空泵将蒸镀室内真空抽至(0. 1 5) X KT3Pa ；通入纯度为99. 99%，流量为60 200sccm高纯氧气；H2O材料为蒸发残留低于IOppm的超纯水，通过180度加热后以蒸汽状态通入蒸镀室，H2O流量是 IOOsccm ；调节真空泵，保证通H2O与仏气氛后工作真空度为(1 3) X IO^2Pa ；打开电子枪， 以200 500mA的束流使电子束6照射到坩埚容器7内的氧化镁颗粒材料8上，开始蒸本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＭｇＯ介质保护膜的制备方法，其特征在于，在Ｈ２Ｏ与Ｏ２气氛中，使用高能电子束将容器内ＭｇＯ原材料蒸发，然后沉积到玻璃基板上表面形成ＭｇＯ介质保护膜。

【技术特征摘要】
1.一种MgO介质保护膜的制备方法，其特征在于，在H20与02气氛中，使用高能电子束将容器内MgO原材料蒸发，然后沉积到玻璃基板上表面形成MgO介质保护膜。2.根据权利要求1所述的一种MgO介质保护膜的制备方法，其特征在于，所述玻璃基板为设置有ITO透明电极、BUS电极和介质层的等离子显示屏的玻璃基板。3.根据权利要求2所述的一种MgO介质保护膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤步骤301 将制设置有ITO透明电极(1)、BUS电极(2)和介质层(3)的等离子显示屏的玻璃基板(4)置于真空镀膜机蒸镀室内，水平放置；步骤302 将MgO颗粒材料(8)装入坩埚容器(7)内；坩埚至于所述玻璃基板(4)的下方；打开蒸镀室内加热器将玻璃表面温度加热到100 300°C;打开真空泵将蒸镀室内真空抽至(0. 1 5) XKT3Pa ；步骤303 通入流量为60 200SCCm气体仏；液体H2O通过180度加热后以蒸汽状态通入蒸镀室，H2O流量是50 300sCCm ；调节真空泵，保证通入H2O与02气氛后电子束真空镀膜机蒸镀室真空度为(1 3) X IO-2Pa ；步骤304 打开电子枪，以20...

【专利技术属性】
技术研发人员：段冰，黄友兰，陈富贵，王鹏年，
申请(专利权)人：四川虹欧显示器件有限公司，
类型：发明
国别省市：51