一种选择性发射极晶体硅太阳电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池，包括：一P型晶体硅衬底，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极N++和N型浅发射极N+；所述N型深发射极N++上制有一银主栅线正电极，N型浅发射极上镀有一层氮化硅抗反射膜；衬底下表面印制有铝背场及铝或银背电极。本实用新型专利技术的太阳电池结构可提高光生载流子的收集率，提高太阳电池的短路电流和开路电压；降低太阳电池的串联电阻，减少光生载流子的表面复合；提高了太阳电池的转换效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳电池
，尤其涉及一种具有选择性发射极的晶体硅太阳电池。
技术介绍
太阳电池可以将太阳能转化为电能，在提供电力的同时不产生任何有害物质，是解决能源与环境问题、实现可持续发展的有效途径。随着人们对再生绿色能源需求量的增长，晶体硅太阳电池技术得到了快速发展。现有的晶体硅太阳电池的光电转换效率一般在 16%左右，随着太阳电池的广泛应用，人们对太阳电池的转换效率提出更高的要求，并要求能简化工艺，降低成本。所谓选择性发射极(SE-selective emitter)晶体硅太阳电池，即在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种选择性发射极晶体硅太阳电池。为达到上述目的，本技术所提出的技术方案为一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于，包括一 P型晶体硅衬底，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极 N++和N型浅发射极N+ ；所述N型深发射极N++上制有一银主栅线正电极，N型浅发射极上镀有一层氮化硅抗反射膜；衬底下表面印制有铝背场及铝或银背电极。进一步的，所述N型深发射极N++宽度为20(Γ300 μ m,结深为0. 5^2 μ m，其方块电阻为40 50 Ω /sqr ；所述N型浅发射极N+结深0. 2 0. 3 μ m,其方块电阻为80 200 Ω /sqr。进一步的，所述P型晶体硅衬底厚度为8(Γ300 μ m,为单晶硅片或多晶硅片。进一步的，所述正电极的银栅线间距为1.5 3.0111111，银栅线宽度为20 10(^111。本技术的有益效果提高光生载流子的收集率，提高太阳电池的短路电流和开路电压；降低太阳电池的串联电阻，减少光生载流子的表面复合；提高了太阳电池的转换效率。附图说明图1为本技术的实施例示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式，对本技术做进一步说明。如图1所示，为本技术的一种选择性发射极晶体硅太阳电池，包括一 P型晶体硅衬底1，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极(N++) 3和N型浅发射极(N+ ) 2 ；所述N型深发射极(N++) 3上制有一银主栅线正电极5，N型浅发射极(N+ ) 2上镀有一层氮化硅抗反射膜4 ；衬底1下表面印制有铝背场6及铝或银背电极7。P型晶体硅衬底1可为单晶硅片，也可为多晶硅片，其厚度为8(Γ300 μ m。采用三氯氧磷(POCl3)液态源扩散方法在衬底1上获得N型浅发射极(N+) 2，通过激光辐照在磷硅玻璃上实现重掺杂，即在激光辐照区域获得了 N型深发射极(N++) 3，氮化硅抗反射膜4由 PECVD工艺获得，用丝网印刷工艺制作正电极5和背电极7。本实施例中的P型晶体硅衬底1厚度为8(Γ300μπι，氮化硅抗反射膜4的厚度为 65 85nm，正电极5的银栅线间距为1. 5 3. Omm,银栅线宽度为20 100 μ m ；正电极5底下的 N型深发射极(N++) 3宽度为200 300 μ m,结深为0. 5 2 μ m,其方块电阻为40 50 Ω /sqr ；N 型浅发射极(N+) 2结深为0. 2 0. 3 μ m，其方块电阻为80^200 Ω/sqr0尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上对本技术做出的各种变化，均为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：一Ｐ型晶体硅衬底，上表面制有绒面，其上分布有Ｎ型深发射极Ｎ＋＋和Ｎ型浅发射极Ｎ＋；所述Ｎ型深发射极Ｎ＋＋上制有一银主栅线正电极，Ｎ型浅发射极上镀有一层氮化硅抗反射膜；衬底下表面印制有铝背场及铝或银背电极。

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于，包括一 P型晶体硅衬底，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极N++和N型浅发射极N+ ；所述N型深发射极N++上制有一银主栅线正电极，N型浅发射极上镀有一层氮化硅抗反射膜；衬底下表面印制有铝背场及铝或银背电极。2.如权利要求1所述一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于所述N型深发射极N++宽度为20(Γ300 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：闻震利，张辉，窦永铭，
申请(专利权)人：厦门索纳新能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：92