一种硅太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅太阳能电池，包括电池电极、含PN结的硅片以及硅片背面的背接触，在所述硅片的正面沉积一层绒面的透明导电薄膜。这种具备绒度的绒面透明导电薄膜可以更好的陷光，使硅片表面反射的光线更小。同时透明导电薄膜还起到电极的作用，从而使硅片上栅线电极的栅线条数减少或者去掉，使得挡光面积大大减少。这两方面的作用都是为了使电池获得更多的太阳光，有效提高太阳光的利用效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种太阳能电池，更具体的说，涉及一种硅太阳能电池的表面结构。
技术介绍
太阳能电池的正面是接受太阳光的表面，因此，正面的陷光性好坏和挡光的面积直接决定了太阳能电池的效率高低。太阳能电池表面的结构的研究一直没有停止过，直接在硅片上做正金字塔和倒金字塔便是为了使得陷光性能更好。同时，电池栅线电极的挡光面积大小也是决定太阳能电池转化效率的主要因素，背接触电池就是为了增大正表面的吸光面积而作的改进，但这种改进仍然不能很好的提高太阳能的利用效率。
技术实现思路
本技术针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种硅太阳能电池，通过更好的陷光，来有效的提高对太阳光的利用效率。为达到上述目的，本技术采用的技术方案如下一种硅太阳能电池，包括电池电极、含PN结的硅片以及硅片背面的背接触，在所述硅片的正面沉积一层绒面的透明导电薄膜。所述电池电极是从透明导电薄膜边角引出的电极线。所述硅片上生长一层SiNx减反射膜后，再沉积一层绒面的透明导电薄膜。所述透明导电薄膜的厚度为lOO-lOOOnm。所述硅片正面为绒面。所述硅片上生长一层SiNx减反射膜后，再沉积一层绒面的透明导电薄膜。所述透明导电薄膜的厚度为50本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅太阳能电池，包括电池电极、含ＰＮ结的硅片以及硅片背面的背接触，其特征在于：在所述硅片的正面沉积一层绒面的透明导电薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔慧，
申请(专利权)人：上海交大泰阳绿色能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31