LED灯具及其隔离触发式LED驱动电路制造技术

一种LED灯具及其隔离触发式LED驱动电路，该驱动电路包括一整流模块的正极性输出端通过一第一电阻连接于一功率因数校正芯片的电源输入管脚，一变压器辅助绕组通过串联的一第二电阻、一第一二极管也连接于该电源输入管脚，第一电阻和功率因数校正芯片的电源输入管脚之间连接一三极管，三极管的集电极连接于第一电阻，三极管的发射极连接于该电源输入管脚，三极管的基极和集电极之间连接一第三电阻，三极管的基极和整流模块的负极性端连接于一MOS管，三极管的基极连接于MOS管的漏极，MOS管的栅极和功率因素校正芯片斜波管脚之间连接一第四电阻，MOS管的源极和整流模块的负极性端连接。本实用新型专利技术对提高LED灯的光效、降低损耗、节能减排具有重大意义。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种驱动电路，尤其涉及一种隔离触发式LED驱动电路，还涉及一种具有该隔离触发式LED驱动电路的LED灯具。
技术介绍
发光二极管(light-emitting diode，简称LED)作为一种发光器件，由于其节能特性，已广泛应用于照明领域。LED的供电通常采用恒流源供电，为了提高LED驱动电路的安全性，LED驱动电路一般采用隔离式驱动电路，该隔离式驱动电路包含变压器，但是现有的该类包含变压器的隔离式驱动电路损耗较非隔离驱动电路大。图1为现有技术的隔离触发式LED驱动电路的局部结构示意图，如其所示，现有技术的隔离触发式LED驱动电路包括整流模块1、功率因数校正芯片(Power Factor Correction，简称PFC) 3、变压器辅助绕组2，整流模块1的正极性输出端通过电阻Rl连接于功率因数校正芯片3的电源输入管脚Vcc，变压器辅助绕组2的正极性输出端通过依次串联的电阻R2、二极管Dl也连接于功率因数校正芯片3的电源输入管脚Vcc，该二极管Dl 的阳极连接于电阻R2，二极管Dl的阴极连接于功率因数校正芯片3的电源输入管脚Vcc。 功率因数校正芯片3在刚通电时由整流模块1通过电阻Rl向电源输入管脚Vcc供电，正常工作后由变压器辅助绕组2通过电阻R2、二极管Dl向电源输入管脚Vcc供电。正常工作后，虽然变压器辅助绕组2已经给功率因数校正芯片3的电源输入管脚Vcc端供电，但是整流模块1仍然通过电阻Rl向电源输入端Vcc供电。因此这样就造成了电阻Rl上的电阻损耗，造成整个驱动电路的损耗，效率比较低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种隔离触发式LED驱动电路及具有该隔离触发式 LED驱动电路的LED灯具，以解决现有隔离触发式LED驱动电路损耗较大、效率有待提高的问题。为了实现本技术的目的，本技术提供的隔离触发式LED驱动电路包括整流模块、功率因数校正芯片、变压器辅助绕组，所述整流模块的正极性输出端通过一第一电阻连接于所述功率因数校正芯片的电源输入管脚，所述变压器辅助绕组的正极性输出端通过依次串联的一第二电阻、一第一二极管也连接于所述功率因数校正芯片的电源输入管脚，且所述第一二极管的阳极连接于所述第二电阻，所述第一二极管的阴极连接于所述功率因数校正芯片的电源输入管脚，其中，所述第一电阻和所述功率因数校正芯片的电源输入管脚之间还连接一三极管，所述三极管的集电极连接于所述第一电阻，所述三极管的发射极连接于所述功率因数校正芯片的电源输入管脚，所述三极管的基极和集电极之间连接一第三电阻，所述三极管的基极和所述整流模块的负极性输出端之间连接一 MOS管，且所述三极管的基极连接于所述MOS管的漏极，所述整流模块的负极性输出端连接于所述MOS 管的源极，所述MOS管的栅极通过一第四电阻连接于所述功率因数校正芯片的斜波管脚，所述功率因数校正芯片的电源输入管脚还通过一电容接地。根据上述隔离触发式LED驱动电路的一种优选实施方式，其中，所述三极管为NPN型三极管。根据上述隔离触发式LED驱动电路的一种优选实施方式，其中，所述MOS管为N沟道增强型MOS管。根据上述隔离触发式LED驱动电路的一种优选实施方式，其中，所述三极管的发射极连接于一第二二极管的阳极，所述第二二极管的阴极连接于所述功率因数校正芯片的电源输入管脚。根据上述隔离触发式LED驱动电路的一种优选实施方式，其中，所述功率因数校正芯片为LD7591。为了实现本技术的目的，本技术提供的LED灯具包括有驱动电路，且所述驱动电路为上述隔离触发式LED驱动电路其中之一。本技术利用一简单的外围电路来代替现有隔离触发式LED驱动电路中给功率因数校正芯片供电的电阻。使的本技术在启动初期通过外围电路给功率因数校正芯片供电，正常工作后功率因数校正芯片由变压器辅助绕组供电，外围电路停止工作，流过的电流截止，损耗减少。这样整个驱动电路的损耗就比较小，避免了现有驱动电路中部分电阻上的电能损耗，提高了驱动电器的效率。附图说明图1为现有技术的隔离触发式LED驱动电路的局部结构示意图；图2为本技术隔离触发式LED驱动电路优选实施例的局部结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术做进一步详细说明。图2为本技术隔离触发式LED驱动电路优选实施例的局部结构示意图，如其所示，本技术隔离触发式LED驱动电路优选实施例包括整流模块21、功率因数校正芯片23、变压器辅助绕组22、电阻R21-R24、二极管D1-D2、电容C、三极管Q1、金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-kmiconductor Field-Effect Transistor，简称 MOS 管)Q2。整流模块21的正极性输出端连接于电阻R21的一端，电阻R21的另一端连接于电阻R23的一端和三极管Ql的集电极，三极管Ql的基极连接于电阻R23的另一端和MOS管 Q2的漏极，电阻RM连接于MOS管Q2的栅极和功率因数校正芯片23的斜波管脚(即RAMP 管脚，也称之为锯齿波产生管脚)RA之间，MOS管Q2的源极和整流模块21的负极性输出端连接，三极管Ql的发射极通过一二极管D22连接于功率因数校正芯片23的电源输入管脚 Vcc，该电源输入管脚Vcc还通过一电容C连接于地。变压器辅助绕组22的正极性输出端通过依次串联的电阻R22、二极管D21也连接于功率因数校正芯片23的电源输入管脚Vcc， 且二极管D21的阳极连接于电阻R22，二极管D21的阴极连接于功率因数校正芯片23的电源输入管脚Vcc。二极管D22为可选择性配置，也即在其他实施例中，可以使三极管Ql的发射极直接连接于功率因数校正芯片的电源输入管脚。在本技术优选实施例中，三极管Ql和MOS管Q2可以分别为NPN型三极管、N沟道增强型MOS管，但本技术并不限于此。进一步可选地是功率因数校正芯片23为 LD7591，当然该功率因数校正芯片23也可以是LD7660、LD7860以及其他需供电才能正常工作的芯片(如PWM控制芯片，调光芯片)等。图2所示隔离触发式LED驱动电路优选实施例的运行过程为在接通电源后整流模块21将交流电压整流成脉动直流电压并通过电阻R21限流、电阻R23分压为三极管Ql提供触发电压，三极管Ql导通整流后的脉动直流电流的方向为电阻R21 —三极管Ql —二极管D22 —电源输入管脚VCC，同时对电容C进行充电，当电源输入管脚Vcc电压达到功率因数校正芯片23的开启门限电压后，功率因数校正芯片23启动，功率因数校正芯片23的斜波管脚RA输出高电平并通过电阻R24限流，为MOS管Q2的栅极提供连续的触发信号，MOS 管Q2导通后将电阻R23为三极管Ql提供的触发电压下拉到地，三极管Ql截至，整流后的脉动电压不再经过电阻R21为功率因数校正芯片23供电，达到降低电阻R21的功率损耗提高整机效率。功率因数校正芯片23由变压器辅助绕组22提供电源，变压器辅助绕组22产生的高频交流电流依次经过电阻R22限流一D21整流一电容C滤波一电源输入端Vcc，从而实现仅通过变压器辅助绕组为功率因数校正芯片23供电，避免电阻R21上不必要的电能损耗。经测试，与图1所示现有的隔离触发式LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种隔离触发式ＬＥＤ驱动电路，包括整流模块、功率因数校正芯片、变压器辅助绕组，所述整流模块的正极性输出端通过一第一电阻连接于所述功率因数校正芯片的电源输入管脚，所述变压器辅助绕组的正极性输出端通过依次串联的一第二电阻、一第一二极管也连接于所述功率因数校正芯片的电源输入管脚，且所述第一二极管的阳极连接于所述第二电阻，所述第一二极管的阴极连接于所述功率因数校正芯片的电源输入管脚，其特征在于，所述第一电阻和所述功率因数校正芯片的电源输入管脚之间还连接一三极管，所述三极管的集电极连接于所述第一电阻，所述三极管的发射极连接于所述功率因数校正芯片的电源输入管脚，所述三极管的基极和集电极之间连接一第三电阻，所述三极管的基极和所述整流模块的负极性输出端之间连接一ＭＯＳ管，且所述三极管的基极连接于所述ＭＯＳ管的漏极，所述整流模块的负极性输出端连接于所述ＭＯＳ管的源极，所述ＭＯＳ管的栅极通过一第四电阻连接于所述功率因数校正芯片的斜波管脚，所述功率因数校正芯片的电源输入管脚还通过一电容接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗域斌，
申请(专利权)人：厦门普为光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：92