【技术实现步骤摘要】
一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器，涉及一维硅纳米结构阵列的光电化学响应特性的研究，属于纳米材料与应用领域。
技术介绍
硅纳米结构的研究可以追溯到1964年R. S. Wanger和W. C. Ellis利用气-液-固机理制备出最早的单晶硅纳米须，然而受限于当时表征技术手段，硅纳米结构的研究直到上世纪90年代才引起人们的广泛关注。过去20年，大量的研究专注于一维硅纳米结构的制备技术，发展并完善了多种方法，总的来说可以归结为两类一是自下而上法，即通过调控硅原子的自组装过程得到一维纳米结构。如研究较为广泛的金属催化化学气相沉积法，它以一层准连续的纳米金属颗粒薄膜为催化剂，在一定温度下引导硅原子自组装成一维纳米结构。这类方法的优点是可以实现一维硅纳米结构的大量制备，结构基本为单晶，缺陷少； 但是这类一维硅纳米结构取向通常为<111>，其它取向的一维硅纳米结构制备很困难，生长过程和结构的可控性较差，且纳米结构易脱离基底，电子在纳米结构与基底间传输困难，这在一定程度上阻碍了其应用开发。二是自上而下法，即通过刻蚀体硅而得到纳米尺度的硅结构。如反应离子...
【技术保护点】
１．一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器，其特征是利用一维硅纳米结构阵列的光电化学响应实现光的探测，器件构造过程相对简单，主要包括：一维硅纳米结构阵列的制备；一维硅纳米结构阵列的光电极制备；以一维硅纳米结构阵列为光电极的可见光电化学探测器构建。
【技术特征摘要】
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