【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能电池。
技术介绍
为了改善硅太阳电池的效率,在p-n结制备完成后,往往在硅片的背面即背光面, 沉积一层铝膜,制备P+层,称为铝背场。目前最简单的方法是利用丝网印刷在硅片背面印 刷一层铝膜,然后再800 1000°C热处理,使铝膜和硅合金化并向内扩散,形成一层高铝浓 度掺杂的P+层,构成铝背场。在烧结的时候,铝具有钝化,吸杂作用,可以减少少数载流子 在背面复合的概率。能有效提高太阳能电池的开路电压和短路电流。铝背场的面积大小,直接影响太阳能电池片背面钝化,吸杂面积,同时影响太阳能 电池片的开路电压和短路电流。现有技术为了保证PN结边缘的绝缘性,一般是电池片背面 铝背场边缘与电池片边缘各留Icm的非铝硅接触处。非铝硅接触处的面积,会造成钝化,吸 杂面积的浪费。另外,背电极的面积,也直接影响铝背场的面积。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种太阳能电池,增加铝背场的面积,提 高开路电压和短路电流。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种太阳能电池,在电池的背 面具有铝背场和背电极,铝背场边缘与电池片边缘的距离为0. 5 0. Scm0背电极的宽度为1. 2 2. 2cm。背电极由整条的背电极改为5 10段的分段式背电极。本技术的有益效果是增加了铝背场的面积,提高了太阳能电池片的开路电 压和短路电流,最终可以提高太阳能电池片的光电转换效率。根据实验证明,选择性发射结 太阳能电池转换效率提高0. 1%-0. 2%。而其组件功率可以提高1. 5-2. 5W。极大的提高了 太阳能电池片的价值。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明;附图说明 ...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池,在电池片(1)的背面具有铝背场(2)和背电极(3),其特征是:所述的铝背场(2)边缘与电池片(1)边缘的距离为0.5~0.8cm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王庆钱,杨文侃,芮海燕,
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司,
类型:实用新型
国别省市:32
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