【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及以MEMS技术形成的半导体材料的集成MEMS磁力计。
技术介绍
如已知的，磁力计是允许对外部磁场(例如，地球的磁场)进行测量的设备。已知的磁力计属于两种类别标量磁力计，其只能测量磁场的量值；以及矢量磁 力计，其能够测量磁场沿空间中三个轴的分量。已知的磁力计根据不同的原理进行操作。旧有的磁力计是针式罗盘，其中磁化材 料的针能够使其自身平行于磁场定向。此外，已知的磁力计有线圈磁力计，其利用线圈中 的电磁感应来测量外部磁场；霍尔效应传感器，其基于测量由横贯的电流流过、沉浸在具有 垂直分量的磁场中的传导区域的两个端子之间存在的电压；质子磁力计，其利用质子的固 有磁通量；以及磁阻传感器，其利用适当的铁磁性材料(称为磁阻材料，例如由Fe-Ni合金 构成的称为“坡莫合金”的材料)以用于在外部磁场存在的情况下修改其自身的阻抗。已知的磁力计具有相当的尺寸和/或导致代价高昂的制造过程，这使其无法被集 成在集成器件中，或者需要复杂和高代价的集成。另一方面，小尺寸和低成本的磁力计是各种应用所期望的，诸如集成在高级蜂窝 电话中的导航系统。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种...
【技术保护点】
１．一种以ＭＥＭＳ技术制造的半导体材料的集成三轴磁力计，包括：第一悬挂物体和第二悬挂物体（１、３），其限定一个平面，并且被配置为由以相互横贯的方向在所述平面中流动的相应电流（Ｉ）流过；第一下部电极和第二下部电极（１８ｂ），其每一个都电容耦合至相应的悬挂物体；移动传感电极（１１），其由所述第一悬挂物体（１）承载；以及固定传感电极（１２），其电容耦合至相应的移动传感电极，所述第一悬挂物体（１）配置用于：当存在如下磁场时沿相对于所述平面的横贯方向移动靠近／远离所述第一下部电极（１８ｂ），其中该磁场在平行于所述平面并且横贯在所述第一悬挂物体中流动的电流的第一方向（Ｘ）中具有分量；所...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·巴尔多，F·普罗科皮奥，S·泽尔比尼，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：IT
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