【技术实现步骤摘要】
本专利技术诸实施例一般涉及产生与绝对温度成比例的电压(VPTAT)和/或带隙电压输出(VGO)的电路及方法。
技术介绍
与绝对温度成比例的电压(VPTAT)可被用在例如温度传器中,以及带隙电压基准电路中。举例来说,带隙电压基准电路可被用来向工作于温度波动的环境中的电路提供基本上恒定的基准电压。通常,带隙电压基准电路将与绝对温度互补的电压(VCTAT)和与绝对温度成比例的电压(VPTAT)相加来产生带隙基准输出电压(VG0)。VCTAT通常是简单的二极管电压,也被称作基极-至-发射极电压降、正向电压降、基极-发射极电压或者简称为VBE。这样的二极管电压通常是由二极管接法的晶体管(也就是将基极和集电极连接在一起的BJT晶体管)提供。VPTAT可从一个或者更多的VBE中得到,其中AVBE是具有不同发射极面积和/或电流、从而工作于不同电流密度的BJT晶体管的VBE之间的差。然而,由于BJT晶体管一般以随机方式老化,因此VPTAT (以及VCTAT)将随时间趋于漂移,这将对依赖于VPTAT的精确性(和在带隙电压基准电路的情况下的VCTAT的精确性)的温度传感器和/或带隙电 ...
【技术保护点】
1.一种用来产生与绝对温度成比例的电压(VPTAT)的电路,包括:由X个晶体管构成的一组晶体管,每个晶体管都包括基极以及集电极和发射极之间的电路路径;多个开关,被配置成选择性地改变如何使所述X个晶体管的至少一些被连接在电路内部;第一基极-发射极电压支路,被配置成向第一基极-发射极电压支路内的各个晶体管的电流路径提供第一量的电流,以产生第一基极-发射极电压(VBE1);第二基极-发射极电压支路,被配置成向第二基极-发射极电压支路内的各个晶体管的电流路径提供第二量的电流,以产生第二基极-发射极电压(VBE2),其中第二量的电流小于第一量的电流;第一电流预调节支路,被配置成向第一 ...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:S·G·赫比斯特,
申请(专利权)人:英特赛尔美国股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US
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