制造液晶显示装置的方法制造方法及图纸

公开了一种制造LCD装置的方法，该方法包括：在像素区中形成牺牲层图案，同时在基板上形成选通线、第一存储电极和选通焊盘；在基板上顺序地形成栅绝缘膜、非晶硅膜、掺杂非晶硅膜和源极/漏极金属膜；在覆盖有保护膜的基板上形成透明导电材料，然后将透明导电材料进行构图，以形成第二存储电极和电极图案，该第二存储电极与第一存储电极重叠，该电极图案具有与牺牲层图案的一个侧边缘的区域重叠的一部分和形成在基板上的另一部分；以及通过执行剥离工艺去除形成有电极图案的基板上的牺牲层图案，以在像素区中同时形成公共电极和像素电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造液晶显示(LCD :liquid crystal display)装置的方法。
技术介绍
液晶显示(IXD)装置作为可以克服阴极射线管(CRT)的缺陷的替代品，已经逐渐 受到广泛的关注，这是因为LCD的诸如尺寸小、重量轻和功耗低的优点。近来，LCD装置被 用于几乎所有需要显示装置的信息处理设备中。LCD装置通过液晶单元(S卩，通过向液晶的特定分子排列施加电压)来使用对光的 调制，该分子排列被转换成其它的分子排列，使得光学特性的变化被转换成视觉变化。IXD装置是通过各种工艺制造的，这些工艺包括制造面板的上基板和下基板以及 形成构成像素单元的液晶单元、形成并研磨用于液晶配向的配向膜、粘合性结合上基板和 下基板、以及将液晶注入到粘合性结合的上基板和下基板之间并密封上基板和下基板的工 艺。在下基板制造工艺中，通过将多个选通线和数据线彼此交叉地排列来限定单位像 素区。在每个像素区中，形成作为开关元件的薄膜晶体管(TFT :thin film transistor)和 像素电极。该TFT通过经由选通线提供的驱动信号而被导通，并执行开关功能，以向像素电 极提供经由数据线提供的图形信号。提供给像素电极的图形信号产生电场以使液晶旋转， 并由此转换外部或内部光来显示图像。具体地说，随着IXD装置变大并且分辨率变高，已经开发出用于提供具有高孔径 比和高透射率的像素区的技术。为了使IXD装置具有高孔径比和高透射率，设置在预定像 素区内的选通线、数据线、像素电极和公共电极中的每一个的宽度被形成得较窄。然而，难以将被构图的线路或电极的宽度减小至不大于4μπι，这是由于在制造 LCD装置的方法中使用的曝光设备的物理特性造成的。也就是说，通过在基板上形成金属 膜、涂覆光致抗蚀剂膜、执行掩模工艺并且执行曝光、显影和蚀刻工艺的这些工艺所形成的 线路或电极的宽度大于4 μ m。由于IXD装置制造工艺中使用的掩模和曝光设备的分辨率的限制，导致线路或电 极的宽度不会进一步降低。因此，使用当前使用的设备难以将LCD装置的阵列基板上形成 的线路或电极的宽度形成为不大于4 μ m。因此，除非IXD装置的像素区中形成的线路或电极的宽度不大于4 μ m,否则不能 制造出具有更高孔径比和透射率的LCD装置。
技术实现思路
因此，本实施方式致力于一种IXD装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和 缺陷而导致的一个或更多个问题。因此，本实施方式致力于一种制造IXD装置的方法，利用该方法，可以通过使用在 制造LCD装置的传统工艺中使用的掩模和曝光设备来形成宽度比曝光设备的物理分辨率4窄得多的线路和电极。具体地说，本专利技术致力于一种制造LCD装置的方法，利用该方法，通过按照精细图 案来形成LCD装置的像素区中形成的信号线和电极中的每一个的宽度，来提供像素孔径比 和透射率。这些实施方式的附加特征和优点将在随后的说明中得到阐述，并且部分地将从说 明书中清楚，或者可以通过这些实施方式的实践而得知。将通过书面说明书及其权利要求 以及附图中具体指出的结构来实现和获得这些实施方式的优点。根据本专利技术的一个总体方面，一种包括在像素区中形 成多个牺牲层图案，同时在基板上形成选通线、第一存储电极和选通焊盘；在设置有所述选 通线的基板上，顺序形成栅绝缘膜、由非晶硅膜和掺杂非晶硅膜组成的有源层、以及源极/ 漏极金属膜，然后形成源极/漏极、有源层和数据线；在加载有所述源极/漏极的基板的整 个表面上形成保护膜，然后在所述保护膜中形成接触孔；在覆盖有所述保护膜的基板上形 成透明导电材料，然后对所述透明导电材料进行构图，以形成第二存储电极和电极图案，该 第二存储电极与所述第一存储电极重叠，该电极图案具有与所述牺牲层图案的一个侧边缘 的区域重叠的一部分和形成在所述基板上的另一部分；以及通过执行剥离工艺去除形成有 所述电极图案的基板上的所述牺牲层图案，以在所述像素区中同时形成公共电极和像素电 极。根据本实施方式的另一个总体方面，一种包括在像素 区中形成多个牺牲层图案，同时在基板上形成选通线、第一存储电极和选通焊盘；在设置有 所述选通线的基板上，顺序形成栅绝缘膜、由非晶硅膜和掺杂非晶硅膜组成的有源层、以及 源极/漏极金属膜，然后形成源极/漏极、有源层和数据线；在加载有所述源极/漏极的基 板的整个表面上形成保护膜，然后在所述保护膜中形成接触孔；在覆盖有所述保护膜的基 板上形成透明导电材料，然后对所述透明导电材料进行构图，以形成第二存储电极和电极 图案，该第二存储电极与所述第一存储电极重叠，该电极图案具有形成在所述牺牲层图案 上的一部分和形成在所述基板上的另一部分，并且该电极图案相对于所述牺牲层图案中的 每一个的中心对称地形成于所述牺牲层图案中的每一个的两侧边缘；以及通过执行剥离工 艺去除形成有所述电极图案的基板上的所述牺牲层图案，以在所述像素区中同时形成公共 电极和像素电极。在研究以下附图和详细说明之后，其它系统、方法、特征和优点对于本领域技术人 员将变得明显。旨在将所有这种附加的系统、方法、特征和优点包括在本说明书中，包括在 本专利技术的范围之内，并且被所附权利要求所保护。本部分不作为对那些权利要求的限制。以 下结合实施方式来讨论其它的方面和优点。需要理解的是，本专利技术的上述一般说明和随后 的详细说明都是示例性的和说明性的，其旨在提供对要求保护的本专利技术的进一步说明。附图说明附图被包括在本说明书中以提供对实施方式的进一步理解，并被结合到本申请 中，构成本申请的一部分，附图示出本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于说明本专利技术。 在附图中图1是示出根据本专利技术实施方式的LCD装置的像素结构的平面图2A-图2E是示出根据本专利技术实施方式的制造IXD装置的工艺的剖视图；图3A-图3E是示出根据本专利技术的另一个实施方式的制造IXD装置的工艺的剖视 图；以及图4A至图4C是用于说明根据图3A至图3E的实施方式所形成的电极被保持为恒 定间隔的状态的剖视图。具体实施例方式现在将详细参照本专利技术的实施方式，在附图中示出这些实施方式的示例。提供以 下介绍的这些实施方式作为示例，以将其精神传达给本领域的普通技术人员。因此，可以以 不同的形状来实现这些实施方式，所以不限于这里描述的这些实施方式。另外，在附图中， 为了方便起见，会夸大地表示装置的尺寸和厚度。在包括附图的整个说明书中，将尽可能地 使用相同的附图标记来标识相同或类似的部分。图1是示出根据本专利技术实施方式的IXD装置的像素结构的平面图。参照图1，由 于选通线101和数据线103彼此交叉，而限定了单位像素区。作为开关元件的薄膜晶体管 (TFT)被设置在交叉区域中。在单位像素区中，在靠近选通线101的区域中平行于选通线101设置公共线104。 公共线104被设置为与数据线103交叉。第一公共电极114沿着单位像素区的两个侧边缘 从公共线104分支。也就是说，公共线104和第一公共电极114 一体形成。另外，第一公共 电极114沿着与数据线103平行的方向形成在像素区中。靠近选通线101定位的公共线104被形成为宽度比单位像素区中的公共线104的 宽度更宽，这是为了形成存储电容(未示出)的第一存储电极10如。第二存储电极109被形成在第一存储电极10 上方，以与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造液晶显示装置的方法，该方法包括：在像素区中形成多个牺牲层图案，同时在基板上形成选通线、第一存储电极和选通焊盘；在设置有所述选通线的基板上，顺序地形成栅绝缘膜、由非晶硅膜和掺杂非晶硅膜组成的有源层、和源极／漏极金属膜，然后形成源极／漏极、有源层和数据线；在加载有所述源极／漏极的基板的整个表面上形成保护膜，然后在所述保护膜中形成接触孔；在覆盖有所述保护膜的基板上形成透明导电材料，然后对所述透明导电材料进行构图，以形成第二存储电极和电极图案，该第二存储电极与所述第一存储电极重叠，该电极图案具有与所述牺牲层图案的一个侧边缘的区域重叠的一部分和形成在所述基板上的另一部分；以及通过执行剥离工艺去除形成有所述电极图案的基板上的所述牺牲层图案，以在所述像素区中同时形成公共电极和像素电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴承烈，孙庚模，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR