磁场角度传感器和传感方法技术

提出了一种磁阻传感器和感测方法，其中将外部磁场发生器用于提供第一模式，在所述第一模式中沿预定方向提供dc外部磁场，并且所述dc外部磁场相对于输入装置产生的待感测磁场是主导的。在第二模式中，所述外部磁场较小。对来自两种模式的角度传感器装置输出进行组合，并且这使得能够利用偏移电压补偿来确定输入装置的角度取向。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁场传感器和感测方法。具体地，本专利技术涉及磁阻角度传感器。
技术介绍
磁传感器在各种行业正变得越来越重要。具体地在汽车工业中，在现代交通领域已经见到了诸如停车传感器、角度传感器、ABS(自动刹车系统)传感器和胎压传感器之类的各种传感器的存在，用于改善舒适性和安全性。磁传感器在汽车应用方面尤为重要，因为磁场容易穿透大多数材料。与例如光学传感器不同，磁传感器对于污垢非常不敏感。诸如基于霍尔效应或磁阻效应的传感器之类的几种不同磁传感器技术目前是可用的。各向异性磁阻(AMR)和巨磁阻(GMR)传感器是基于磁阻效应的传感器类型的具体示例。可以将霍尔效应传感器单片集成到集成电路中，从而使其便宜，但是也知晓霍尔效应传感器也由于其低灵敏度和随之而来的不精确性。尽管AMR传感器与霍尔效应传感器相比具有更高的灵敏度，AMR传感器要求更多的制造步骤，因为它们不能够单片集成，使得整体传感器系统更加昂贵。通常可以通过在分立管芯上或者在单片结构的顶部上溅射Ni8We^l来沉积AMR传感器。退火工艺(有时在磁场中)通常用于增加磁阻材料中的磁状态的稳定性。GMR传感器典型地具有比AMR传感器更高本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种磁阻角度传感器，包括：角度传感器装置（１５０）；输入装置（１５４），所述输入装置的角度取向被感测，并且所述输入装置包括磁场（ＨＡ）发生器；外部磁场（Ｈｘ，Ｔ；Ｈｙ，Ｔ；Ｈｘｙ，Ｔ；Ｈｙｘ，Ｔ）发生器（１５２）；控制装置（１５６），用于控制所述外部磁场发生器；以及处理装置（１５８），用于处理角度传感器装置输出，其中所述控制装置适于控制所述外部磁场发生器以提供第一模式和第二模式，在所述第一模式中，沿预定的方向提供ｄｃ外部磁场，并且ｄｃ外部磁场相对于输入装置产生的磁场是主导的，在所述第二模式中，所述外部磁场较小，并且其中所述处理装置适于对来自两种模式的角度传感器装置输出进行组合，并且利用偏移...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：维克托·泽尔恩，罗伯特·H·M·范费尔德温，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL