内存电源效能提升的方法技术

一种内存电源效能提升的方法，包括以下步骤：一内存槽的接地针脚连接一上拉电阻将其电压上拉至电源电压，并连接至一基板管理控制器；当在所述内存槽中安装内存后，检测所述内存槽的接地针脚为一低电平信号，所述基板管理控制器接收到所述低电平信号，当未在所述内存槽中安装内存时，检测所述内存槽的接地针脚为一高电平信号，所述基板管理控制器接收到所述高电平信号；在所述基板管理控制器接收到相应的高电平信号后，送出命令给一降压调节器，所述降压调节器关闭对所述内存槽的供电。相较于现有技术，本发明专利技术内存电源效能提升的方法中，所述降压调节器根据命令关闭对所述内存槽的供电，使得所述降压调节器的输出处于最佳效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电源效能提升的方法，特别是指一种。
技术介绍
目前，月艮务器中的内存DIMM (Dual In-line Memory Module,双列直插内存模块)的数目越来越多。因此，用于降压的VRD(Voltage Regulator Down，降压调节器)的输出设计也越来越大，并且固定没有弹性。这样，每当较少的DI匪安装在服务器中时，VRD的效率就变得比较差，亦即浪费了较多的能源。
技术实现思路
鉴于以上内容，有必要提供一种可提升内存电源效能的方法。 —种，包括以下步骤一内存槽的接地针脚连接一上拉电阻将其电压上拉至电源电压，并连接至一基板管理控制器；当在所述内存槽中安装内存后，检测所述内存槽的接地针脚为一低电平信号，所述基板管理控制器接收到所述低电平信号，当未在所述内存槽中安装内存时，检测所述内存槽的接地针脚为一高电平信号，所述基板管理控制器接收到所述高电平信号；在所述基板管理控制器接收到相应的高电平信号后，送出命令给一降压调节器，所述降压调节器关闭对所述内存槽的供电。 相较于现有技术，本专利技术中，所述降压调节器根据命令关闭对所述内存槽的供电，使得所述降压调节器的输出处于最佳效率。附图说明 图1是本专利技术的较佳实施方式的电路图。 图2是本专利技术的较佳实施方式的工作流程图。具体实施例方式请参阅图l，本专利技术的较佳实施方式中包括一降压调节器(VRD)，若干内存DI匪槽(DI匪1， DI匪2，， DIMM N)，及一基板管理控制器(BaseboardManagement Controller,BMC)。所述降压调节器连接若干高端场效应管及控制高端场效应管开关的驱动器，每一高端场效应管及控制高端场效应管开关的驱动器连接一电感，每一电感连接至一 DIMM槽的电源针脚。每一 DIMM槽的接地针脚通过一上拉电阻R连接于所述基板管理控制器，将电压上拉至电源电压。然后通过I2C总线(Inter-IntegratedCircuit,内部集成电路间总线)连接至所述降压调节器。每一高端场效应管及控制高端场效应管开关的驱动器起到开关的作用。 在另一实施方式中，也可以使用一集成有所述基板管理控制器的南桥芯片替代所述基板管理控制器。 一低端场效应管及控制低端场效应管开关的驱动器替代所述高端场效应管及控制高端场效应管开关的驱动器。一SMBus总线(System Management Bus，系统管3理总线)替代所述I2C总线。 请参阅图2，本专利技术的较佳实施方式的工作原理流程为 步骤一 每一DI匪槽的接地针脚输出一安装信号，并且通过所述上拉电阻上拉至电源电压。当在所述DI匪槽上安装DI匪后，所述安装信号为一低电平信号，所述基板管理控制器接收到所述低电平信号，当在所述DI匪槽上没有安装DI匪时，所述安装信号为一高电平信号，所述基板管理控制器接收到所述高电平信号。 步骤二 将所有安装信号都通过串行到并行(serial to parallel)或者并行(parallel)的方式输入到所述基板管理控制器中。 步骤三所述基板管理控制器得到所有的安装信号，并根据VRD效率曲线，通过I2C总线或者SMBus总线送出命令给所述降压调节器，所述降压调节器将其中未安装DIMM的高端场效应管和其驱动器关闭，从而，使所述降压调节器的输出处于最佳效率，进而达到提高效能、减少不必要的耗能的目的。 其中，所述VRD效率曲线是所述降压调节器根据所述DI匪输出电流负载而变化的一条曲线。在输出电流负载较轻情况下，所述降压调节器的效率都比较低。所以，只有当所述DIMM槽中全部安装DIMM的满载情况下，所述降压调节器的输出处于最佳效率。这样，当所述基板管理控制器得到所有的安装信号后，通过I2C总线或者SMBus总线送出命令给所述降压调节器，所述降压调节器将其中未安装DI匪的高端场效应管和其驱动器关闭，使得所述DI匪槽处于相对满载的情形，根据所述VRD效率曲线，所述降压调节器的输出处于最佳效率，进而达到提高效能、减少不必要的耗能的目的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内存电源效能提升的方法，包括以下步骤：一内存槽的接地针脚连接一上拉电阻将其电压上拉至电源电压，并连接至一基板管理控制器；当在所述内存槽中安装内存后，检测所述内存槽的接地针脚为一低电平信号，所述基板管理控制器接收到所述低电平信号，当未在所述内存槽中安装内存时，检测所述内存槽的接地针脚为一高电平信号，所述基板管理控制器接收到所述高电平信号；在所述基板管理控制器接收到相应的高电平信号后，送出命令给一降压调节器，所述降压调节器关闭对所述内存槽的供电。

【技术特征摘要】
一种内存电源效能提升的方法，包括以下步骤一内存槽的接地针脚连接一上拉电阻将其电压上拉至电源电压，并连接至一基板管理控制器；当在所述内存槽中安装内存后，检测所述内存槽的接地针脚为一低电平信号，所述基板管理控制器接收到所述低电平信号，当未在所述内存槽中安装内存时，检测所述内存槽的接地针脚为一高电平信号，所述基板管理控制器接收到所述高电平信号；在所述基板管理控制器接收到相应的高电平信号后，送出命令给一降压调节器，所述降压调节器关闭对所述内存槽的供电。2. 如权利要求1所述的内存电源效能提升的方法，其特征在于在所述基板管理控制器接收到相应的高电平信号后，根据所述降压调节器的效率曲线，发出命令给所述降压调节器。3. 如权利要求1所述的内存电源效能提升的方法，其特征在于在所述基板管理控制器接收到相...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊良，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]