光触媒装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种光触媒装置，其包括：至少一个光触媒层及至少一个电极板；该至少一个光触媒层用以在吸收特定波长的光的能量后受激产生电子与空穴；该至少一个电极板分别和与其对应的光触媒层邻近设置，其分别用以在被提供一偏压后极化与其对应的该光触媒层受激产生的电子与空穴。所述光触媒装置经由设置电极，当在电极上提供偏压后，该电极可极化与其对应且相邻设置的光触媒层受激产生的电子与空穴，使得电子与空穴分离以避免电子与空穴自行复合湮灭，进而可有效保持电子及空穴分别和氧分子及水分子的作用活性，达成增进光触媒作用效应之目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光触媒装置。
技术介绍
光触媒具有抗菌、除臭、自洁等功能，其作用原理为当以具适当波长的光照射光触媒 时，光以能量的方式被光触媒吸收，进而激发光触媒本体产生电子与空穴。带负电荷的电子 与光触媒表面的氧分子(02)作用可产生異有强还原能力的超氧阴离子( 02—)，带正电荷的空 穴与光触媒表面的水分子(H20)作用可产生具有强氧化分解能力之氢氧自由基( 0H);该氢氧 自由基能够将有机物分解成二氧化碳与水。因此，光触媒经适当波长之光线照射后，在光触 媒表面产生的超氧阴离子( 02—)及氢氧自由基( OH)提供的强分解能力为光触媒作用的主要 因素，其能够有效地分解光触媒表面接触的脏污、细菌、病毒等有机物、以及氮氧化物 (NOx)、硫氧化物(SOx)等对人体有害气体，产生光触媒效应，进而达成光触媒除污杀菌之功 效。然而，当光触媒吸收光能量所产生的电子与空穴如果自行结合湮灭，该电子及空穴的光 触媒作用活性丧失，使得其无法与光触媒表面的氧分子(02)及水分子(H20)作用产生具有强 还原能力的超氧自由基及强氧化分解能力的氢氧自由基，造成光触媒作用效率下降。
技术实现思路
下面将以实施例说明一种光触媒装置，其可有效防止电子与空穴自行结合湮灭，从而可 有效提高光触媒作用效率。一种光触媒装置，其包括至少一个光触媒层及至少一个电极板；该至少一个光触媒层 用以在吸收特定波长的光的能量后受激产生电子与空穴；该至少一个电极板分别和与其对应 的光触媒层邻近设置，其分别用以在被提供一偏压后极化与其对应的该光触媒层受激产生的 电子与空穴。相对于现有技术，所述光触媒装置经由设置电极板，当在电极板上提供偏压后，该电极 板可极化与其对应且相邻设置的光触媒层受激产生的电子与空穴，使得电子与空穴分离以避 免电子与空穴自行复合湮灭，进而可有效保持电子及空穴分别和氧分子及水分子的作用活性 ，达成增进光触媒作用效应之目的。附图说明图l是本专利技术第一实施例提供的光触媒装置的一工作状态示意图。 图2是图1所示光触媒装置的另一工作状态示意图。图3是图1所示光触媒装置中的电极板与光触媒层相互接触设置的结构示意图。 图4是图3所示光触媒装置中的电极板与光触媒层之间设置有一个缓冲层的结构示意图。 图5是本专利技术第二实施例提供的光触媒装置的一工作状态示意图。 图6是图5所示光触媒装置的另一工作状态示意图。图7是图5所示光触媒装置中的电极板与光触媒层相互接触设置的结构示意图。图8是图7所示光触媒装置中的电极板与光触媒层之间设置有一个缓冲层的结构示意图。图9是本专利技术第三实施例提供的光触媒装置的一工作状态示意图。图10是本专利技术第四实施例提供的光触媒装置的一工作状态示意图。具体实施例方式下面将结合附图对本专利技术实施例作进一步的详细说明。参见图1及图2，本专利技术第一实施例提供的光触媒装置IO，其包括 一个光触媒层ll、 一 个电极板13及一个电源装置14。光触媒层ll的材料可为二氧化钛(Ti02)、 二氧化锡(Sn02)、氧化锌(ZnO)、三氧化钨 歸、三氧化二铁(Fe203)、钛酸硒(SeTi03)、硒化镉(CdSe)、钽酸钾(KTa03)、硫化镉 (CdS)或五氧化二铌(Nb205)等光触媒材料。电极板13为一导电体，其邻近光触媒层ll设置且 与光触媒层ll相互间隔。电源装置14与电极板13形成电连接，用以提供一偏压于电极板13上 。当电极板13被电源装置14提供偏压后，其可将光触媒层ll受激产生的电子与空穴极化以使 得电子与空穴分离，从而可避免电子与空穴自行结合湮灭。本实施例中，电源装置14一交流 电源。如图1所示，电源装置14向电极板13提供一负偏压使得电极板13呈负电性；当外部光源 产生特定波长之光(如图l中箭头所示)照射光触媒层ll，光触媒层ll产生带负电荷的电子与 带正电荷的空穴。例如，当光触媒层11的材料为二氧化钛(吸收波长约为388纳米)时，该特 定波长的光可为近紫外光或紫外光。呈负电性的电极板13吸引带正电荷的空穴而排斥带负电 荷的电子以将电子与空穴极化，使得电子与空穴相互分离而分设于光触媒层ll的相对的两侧 。具体的，带正电荷的空穴会聚集在光触媒层11的邻近电极板13的一侧，而带负电荷的电子 则会聚集在光触媒层11的远离电极板13的一侧；带负电荷的电子将与邻近光触媒层ll的氧分 子(02)作用产生具有强还原能力的超氧阴离子( 02—)。如图2所示，电源装置14向电极13提供一正偏压使得电极板13呈正电性；当外部光源产生特定波长之光(如图2中箭头所示)照射光触媒层11，光触媒层ll产生带负电荷的电子与带 正电荷的空穴。呈正电性的电极板13吸引带负电荷的电子而排斥带正电荷的空穴以将电子与 空穴极化，使得电子与空穴相互分离而分设于光触媒层ll的相对的两侧。具体的，带负电荷 的电子会聚集在光触媒层11的邻近电极板13的一侧，而带正电荷的空穴则会聚集在光触媒层 11的远离电极板13的一侧；带正电荷的空穴将与邻近光触媒层11的水分子(H20)作用产生具 有强氧化能力的氢氧自由基( 0H)。本实施例中，由于电源装置14为一交流电源，其可周期性地向电极板13提供交替变化的 负、正偏压，从而使得光触媒装置10可依序且交替产生超氧阴离子( 02—)及氢氧自由基 ( 0H)。另外，如图3所示，本实施例中的电极板13与光触媒层11并不限于相互间隔设置，其也 可与光触媒层ll相互接触设置；从而该电极板13可兼作光触媒层11的支撑结构。在此情形下 ，光触媒层ll可为一纳米光触媒膜，其可经由浸泡、涂布、烧结等方式附着在电极板13上。 电极板13可为多孔洞滤网结构。进一步的，如图4所示，还可在电极板13与光触媒层11之间设置一缓冲层15，从而缓冲 层15夹设在电极板13与光触媒层11之间。该缓冲层15的材料可选用半导体或绝缘体。参见图5及图6，本专利技术第二实施例提供的光触媒装置20，其包括 一个光触媒层21、 一 个光源22、 一个电极板23及一个电源装置24。光触媒层21的材料可为二氧化钛(Ti02)、 二氧化锡(Sn02)、氧化锌(ZnO)、三氧化钨 歸、三氧化二铁(Fe203)、钛酸硒(SeTi03)、硒化镉(CdSe)、钽酸钾(KTa03)、硫化镉 (CdS)或五氧化二铌(Nb205)等光触媒材料。光源22电连接至电源装置24以由电源装置24向其 提供电能，其可为一具单向导通特性的光源，例如发光二极管。其中，光源22可产生特定波 长的光照射光触媒层21，以使光触媒层21吸收光能量后受激产生电子及空穴；例如，当光触 媒层21的材料为二氧化钛(吸收波长约为388纳米)，光源22可为近紫外光发光二极管或紫外 光发光二极管。电极板23为一导电体，其邻近光触媒层21设置且与光触媒层21相互间隔。电 源装置24与电极板23形成电连接，用以提供一偏压于电极板23上。当电极板23被电源装置 24提供偏压后，其可将光触媒层21受激产生的电子与空穴极化以使得电子与空穴相分离，从 而可避免电子与空穴自行结合湮灭。本实施例中，电源装置24为一交流电源。如图5所示，电源装置24向电极板23提供一负偏压使得电极23呈负电性而光源22处于导 通状态；光源22产生特定波长之光(如图5中箭头本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光触媒装置，其包括：　至少一个光触媒层，用以在吸收特定波长的光的能量后受激产生电子与空穴；以及　至少一个电极板，其分别和与其对应的光触媒层邻近设置，该至少一个电极板分别用以在被提供一偏压后极化与其对应的该光触媒层受激产生的电 子与空穴。

【技术特征摘要】
1.一种光触媒装置，其包括至少一个光触媒层，用以在吸收特定波长的光的能量后受激产生电子与空穴；以及至少一个电极板，其分别和与其对应的光触媒层邻近设置，该至少一个电极板分别用以在被提供一偏压后极化与其对应的该光触媒层受激产生的电子与空穴。2.如权利要求l所述的光触媒装置，其特征在于该光触媒装置还包括 一电源装置，该电源装置与该至少一个电极板形成电连接，用以向该至少一个电极板提供该 偏压。3.如权利要求2所述的光触媒装置，其特征在于该光触媒装置还包括 一个光源，用以提供该特定波长的光。4.如权利要求3所述的光触媒装置，其特征在于该光源电连接至该电 源装置，由该电源装置向其提供电能。5.如权利要求4所述的光触媒装置，其特征在于该光源具有单向导通特性。6.如权利要求5所述的光触媒装置，其特征在于该电源装置为一个交流电源。7.如权利要求l所述的光触媒装置，其特征在于该至少一个电极板和 与其对应的光触媒层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐智鹏，张忠民，李泽安，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，先进开发光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]