石榴快速繁殖方法技术

本发明专利技术公开一种石榴快速繁殖方法，包括以下步骤：选择透光率在７０％的日光棚或温室；将插条在生根剂中处理后插入基质，扦插后保持室内相对湿度为８５％～１００％，温度为２５～４０℃，生根后室内温度保持为２５～３５℃，相对湿度为７５～８５％，插条侧根生长后移出棚外继续培养生长，本发明专利技术繁殖方法繁殖速度快、生根率高、繁殖系数高、移栽成活率高、可规模化育苗。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于植物繁育
，涉及一种石榴繁殖方法。
技术介绍
目前我国石榴生产多年来一直发展缓慢，其主要原因是我国石榴主产区的良种普及率低，大部分生产园还是几十年前的老品种，这些老品种退化严重，成熟时裂果现象严重，存在籽粒核硬，粒小，可实率低，外观差，含糖量低等问题，因此科技工作者一直进行石榴良种繁殖研究，石榴良种无性繁殖通常采用扦插、嫁接、压条等方法，这些方法不仅繁殖速度慢，而且有的良种成活率很低，种条又极少，难以满足大量和快速繁育的要求；另外一种是采用植物组织培养技术，但由于植物组织培养存在一次性投资大、成本高、技术步骤繁杂、试管苗弱、成活率低、推广难度大等缺点，该技术在实践生产中形成的生产力还相当有限，至今，该技术还主要停留在实验室范围内。近年来，植物繁殖多采用较为先进的全光照喷雾嫩枝扦插育苗技术，该技术是指在全日照条件下，利用植物半木质化的嫩枝作插穗，并采取自动间歇喷雾设备，进行规模化育苗，它具有插穗生根快、育苗周期短和穗条来源丰富等优点，但全光照喷雾扦插存在很多缺点一是扦插是在露天的条件下完成的，很难定量地准确控制湿度和温度，从而影响生根及插条的生长；二是全光照喷雾扦插一般采用在地上作苗床进行扦插，扦插基质是土壤，透气性不好，土壤重茬，致使扦插的嫩枝容易腐烂，而严重影响扦插的生根率；而且扦插后的扦插苗移栽成活率较低；三是全光照扦插是夏季扦插的方法，受到季节、气候等条件的限制，繁殖系数比较低，一般每年只能繁殖1～2次；四是在夏季过强日照和由此产生的高温下，扦插嫩枝容易受到日灼的伤害，失水而枯萎，又阻碍了插穗的生根。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种繁殖速度快、生根率高、繁殖系数高、移栽成活率高、可规模化育苗的石榴快速繁殖方法。本专利技术采用以下技术方案来实现上述目的一种石榴快速繁殖方法，包括以下步骤(1)、选择控温控湿、透光率在70％的日光棚或温室；(2)、培育基质选用珍珠岩、蛭石、大沙，按1∶0.5～4∶0.5～4(体积)的比例混合均匀；(3)、从石榴母株上剪取插条，插条下部放入配制好的生根剂中浸泡5～60秒，然后插入基质；(4)、扦插后保持室内相对湿度为85％～100％，温度为25～40℃，基质在5cm深的温度控制在25～30℃；(5)、生根后室内温度保持为25～35℃，基质在5cm深的温度控制在20～25℃，相对湿度为75～85％；(6)、当插条侧根生长后，移出棚外继续培养生长成为成品苗。石榴快速繁殖方法优选包括以下步骤((1)、选用控温控湿的日光温室或塑料大棚，棚上覆盖透光率70％的遮阳网，棚内搭设苗盘或穴盘支架，并设置喷雾装置；(2)、基质选用珍珠岩、蛭石、大沙，按1∶0.5～2∶0.5～2(体积)的比例混合均匀，装入苗盘或穴盘；(3)、从母株上剪取留2～3个芽的带叶片嫩枝，剪成5～10cm长的插条，将枝条下部放入浓度为500mg/L～2000mg/L的生根剂中浸泡20～40秒，然后插入盘内；(4)、把插后的苗盘或穴盘放到支架上，先用水浇透，然后开始喷雾，棚内相对湿度保持在90％～100％，温度保持在30～40℃，基质在5cm深的温度控制在25～30℃，苗盘或穴盘喷洒灭菌剂；(5)、生根后棚内温度保持为25～35℃，基质在5cm深的温度控制在20～25℃，相对湿度为75～80％，喷洒灭菌剂并施肥；(6)、当侧根生长后，将苗盘或穴盘移出棚外的遮阳网下，插条栽入营养钵中继续生长，当小苗根系长出二次根，便可退钵移栽入大田。石榴快速繁殖方法最优选包括以下步骤 (1)、选用可控温控湿的日光温室或塑料大棚，棚上覆盖透光率70％的遮阳网，棚内距地面10～40cm搭设支架，支架上设置苗盘或穴盘，距苗盘或穴盘80～120cm设置有喷雾装置；(2)、将珍珠岩、蛭石、大沙按1∶1∶1(体积)的比例混合均匀，装入苗盘或穴盘；(3)、从母株上剪取留2～3个芽的带叶片嫩枝，剪成含有2～3个节间、2个以上叶片的长度为5～10cm的插条，上剪口与下剪口均为平口；摘去最下部两片叶，将剪好的枝条下部1/3放入配制好的浓度为500mg/L～2000mg/L的生根剂中浸泡30秒，将处理好的插条按5～8cm左右的株行距插入盘内。(4)、把插后的苗盘或穴盘搬到支架上，将苗盘或穴盘浇透，然后开启喷雾装置喷雾；棚内相对湿度保持在90％～100％，温度保持在30～40℃，基质在5cm深的温度控制在25～30℃，将新插的苗盘用灭菌剂喷洒一遍，然后每5～7天喷洒一次灭菌剂直至生根；(5)、生根后棚内温度保持为25～35℃，基质在5cm深的温度控制在20～25℃，相对湿度为75～80％，每5～7天喷一次灭菌剂；生根后每7～10天，喷施一次肥料；(6)、当侧根生长后或看到根已伸出苗盘或穴盘时，将苗盘或穴盘移出棚外的遮阳网下栽入营养钵中浇透水，以后要喷水保湿，当营养钵内的小苗根系长出二次根后，便可退钵移栽入大田，栽前要施足底肥，栽后要浇透水，经常追肥、除草和叶面喷肥。生根剂主要由以下重量份数原料组成吲哚丁酸80～120份、肌醇5～15份、Vc1～2份，制备方法是将上述原料混合，用少量的酒精充分溶解后，再用水稀释至所需要浓度。本专利技术克服了现有植物组织培养、常规扦插育苗与全光雾扦插技术的缺点，具有外植体用量少，扩繁成本低、繁殖速度快、移栽和定植成活率高的优点，植株根系发达，繁殖7天开始生根，20天根长6厘米以上，根数在3～6根；再生苗健壮，30天茎高即可达到30～70厘米，开花结果早、后代无变异。本专利技术是在控温控湿的日光温室或塑料大棚内进行石榴树苗的繁育，棚上盖有透光率为70％的遮阳网，保温保湿效果好，可保证石榴繁育需要高湿高温环境，并且在气温低的情况下，可以进行加温繁苗，70％的透光率既保证了充足的光照，促使嫩枝插穗生根，又避免过强日照和由此产生的高温对插穗日灼的伤害和失水枯萎；本专利技术采用苗盘式的育苗方法，苗盘放在支架上，且用的是透气性较好的基质，增加了苗床的透气性，使插穗生根不易腐烂，而且基质的消毒更换更容易，方便彻底，苗盘可以重复利用；用苗盘进行练苗和带基质移栽练苗，因此移栽和定植成活率均高；本专利技术的另一个优点是，增大了繁殖系数，一年至少可繁殖7次，1株母株年增殖到420株，是露地扦插育苗的70倍，由于繁殖系数高，年繁殖次数多，基质和育苗盘可重复使用，再加上工厂化流水线作业省工省时工效高，所以每10万株快繁苗的每株成本为0.096元，而常规苗每株成本1.22元；另一方面，本专利技术是在有阳光、水雾的棚中进行，具有适宜的生根环境条件，插穗生根多，所以小苗移栽到一定配比的培养土钵中成活率高达100％，然后带钵移入田间定植成活率达95％以上，而且一年四季可以建园，提高了石榴良种普及率及速度，普及速度可提高70倍。具体实施例方式实施例，1、试验地点本专利技术选择在温控棚内进行，温控棚是全自动控温控湿大棚，真空双层膜，附有暖气供应系统和补光系统，膜上覆盖70％透光率的遮阳网，对照组为全光照、覆盖30％透光率遮阳网的大棚。供试材料突尼斯软籽石榴、豫大籽石榴、中农黑籽石榴。其中突尼斯软籽石榴和豫大籽石榴种条采自河南省荥阳市北邙乡刘沟村刘中高和刘雪林果园的结果树，树龄为6年生，生长健壮，果实性状表现稳定，结果量大，树高2～3米，冠幅1.5～2米，株行距2米本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石榴快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：（１）、选择控温控湿、透光率在７０％的日光棚或温室；（２）、培育基质选用珍珠岩、蛭石、大沙，按１∶０．５～４∶０．５～４（体积）的比例混合均匀；（３）、从石榴母株上剪取插条，插条下部放入配制好的生根剂中浸泡５～６０秒，然后插入基质；（４）、扦插后保持室内相对湿度为８５％～１００％，温度为２５～４０℃，基质在５ｃｍ深的温度控制在２５～３０℃；（５）、生根后室内温度保持为２５～３５℃，基质在５ｃｍ深的温度控制在２０～２５℃，相对湿度为７５～８５％；（６）、当插条侧根生长后，移出棚外继续培养生长成为成品苗。

【技术特征摘要】
1.一种石榴快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤(1)、选择控温控湿、透光率在70％的日光棚或温室；(2)、培育基质选用珍珠岩、蛭石、大沙，按1∶0.5～4∶0.5～4(体积)的比例混合均匀；(3)、从石榴母株上剪取插条，插条下部放入配制好的生根剂中浸泡5～60秒，然后插入基质；(4)、扦插后保持室内相对湿度为85％～100％，温度为25～40℃，基质在5cm深的温度控制在25～30℃；(5)、生根后室内温度保持为25～35℃，基质在5cm深的温度控制在20～25℃，相对湿度为75～85％；(6)、当插条侧根生长后，移出棚外继续培养生长成为成品苗。2.如权利要求1所述的石榴快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤(1)、选用控温控湿的日光温室或塑料大棚，棚上覆盖透光率70％的遮阳网，棚内搭设苗盘或穴盘支架，并设置喷雾装置；(2)、基质选用珍珠岩、蛭石、大沙，按1∶0.5～2∶0.5～2(体积)的比例混合均匀，装入苗盘或穴盘；(3)、从母株上剪取留2～3个芽的带叶片嫩枝，剪成5～10cm长的插条，将枝条下部放入浓度为500mg/L～2000mg/L的生根剂中浸泡20～40秒，然后插入盘内；(4)、把插后的苗盘或穴盘放到支架上，先用水浇透，然后开始喷雾，棚内相对湿度保持在90％～100％，温度保持在30～40℃，基质在5cm深的温度控制在25～30℃，苗盘或穴盘喷洒灭菌剂；(5)、生根后棚内温度保持为25～35℃，基质在5cm深的温度控制在20～25℃，相对湿度为75～80％，喷洒灭菌剂并施肥；(6)、当侧根生长后，将苗盘或穴盘移出棚外的遮阳网下，插条栽入营养钵中继续生长，当小苗根系长出二次...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹尚银，郭俊英，薛华柏，倪勇，马贯羊，
申请(专利权)人：曹尚银，郭俊英，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]