【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种潘宁放电离子源柔性材料真空镀膜电极,用在半导体、太阳 能薄膜、装饰材料和包装行业常用的柔性材料等原料薄膜或基片表面上,通过PECAD (等离 子体增强化学气相沉积)方法,使用新型高密度潘宁放电离子源(PDP),形成纳米硅基氧化 物或其它材料镀层沉积固态薄膜的真空镀膜用电极。
技术介绍
此前,有公知的真空物理及化学气相沉积镀膜(PVD及CVD)装置内,都设计有各种 电极。前者有诸如真空蒸镀、磁控管溅射及离子束镀、分子束外延生长镀膜装置。后者有 诸如等离子体增强化学气相沉积(PECAD)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、光化学气 相沉积(LCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)及热激发化学气相沉积(TCVD)等镀膜装置。它 们可以在真空状态下,在作为由纸、塑料等形成的各种原料薄膜或基片上,形成可能匹配的 金属、非金属(如铝层、氧化铝层、氧化硅、氮化物等)的镀层,以便赋予原料薄膜气体隔离 性能和湿气隔离性能,或制备各种用途的薄膜材料。现代的薄膜材料和薄膜技术已经成为 新材料研制必备的、不可或缺的重要手段之一,并已渗透到现代科技、国防和国民经济的各 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:祝宁,
申请(专利权)人:合肥科烨电物理设备制造有限公司,
类型:实用新型
国别省市:34
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