新型４串高频高压大电流膜箔式电容器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型４串高频高压大电流膜箔式电容器，由壳体或环氧包封层、芯子、引出线组成；芯子采用无感式卷绕结构；芯子的卷绕层的横截面自下而上由四个结构层组成；第一结构层和第三结构层由生膜组成；第二结构层由双面双留边中留边金属化膜组成；第四结构层由两个金属箔和一个双面双留边金属化膜组成，两个金属箔横向并排对称设置在双面双留边金属化膜的两侧；金属箔一端与双面双留边金属化膜紧靠在一起，另一端露在生膜外。其中，第二结构层与第四结构层垂直移动交换层位后，其特性不变。该结构利用双面双留边金属化膜的留边替代现有芯子中的空隙，可消除电容器上的凹痕，提高电容器交流工作电压、载流能力、抗电离能力和工作频率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电器元件制造
，具体涉及一种新型4串高频高压大电流 膜箔式电容器。
技术介绍
目前，高频高压大电流膜箔式电容器一般为内2串的结构，其芯子由一单面双留 边金属化膜层，一金属箔层，至少一生膜层叠绕而成，如图1、图2和图3所示。其中，金属箔 层由两个横向并排放置的金属箔组成，两个金属箔之间存在一较大空隙。这种膜箔式电容器结构简单，生产方便，但存在着如下缺点1、两个金属箔之间存在空隙比较大，使得芯子、成品的外型上正对内部空隙位置 的表面上有一道明显的凹痕，且当电容器工作在高电压或大电流的条件下时，在其内部空 隙部位容易产生电离甚至飞弧闪火，导致产品绝缘介质老化或烧蚀，可靠性和寿命下降；2、电容器的内串数少，只有两串，芯子端头引出金属电极面积比较小，因此，不能 满足大功率开关电源、可控硅换向、镇流器逆变和节能灯谐振电路等超大dv/dt、di/dt变 化和高工作频率的要求；3、电容器的额定交流工作电压较低，一般最高为500Vac (50Hz)。目前，用于消除或减小这个芯子内部空隙的主要办法是将芯子放入专用设备中 抽真空后再浸渍液态环氧来填充空隙，由于这种芯子一般为扁型，中部区域内空隙大，两侧 部位层间接触比较紧密，用浸渍料来填充空隙的期望远远不能达到要求。为解决现有技术中的上述不足，本技术提供了一种新的解决方案。
技术实现思路
本技术要解决的问题是如何提供一种新型4串高频高压大电流膜箔式电容 器，该膜箔式电容器不仅可以基本消除现有的内2串膜箔式电容器中两金属箔存在的气隙 和电容器表面上的凹痕，而且可以提高膜箔式电容器交流工作电压、载流能力、抗电离能力 和工作频率，以满足大功率电力电子线路发展对电容器承受dv/dt的能力、承受di/dt的能 力和工作频率要求高的需求。为达到上述专利技术目的，本技术所采用的技术方案为提供一种新型4串高频 高压大电流膜箔式电容器，由壳体或环氧包封层、封装在壳体或环氧包封层内的芯子、穿过 壳体或环氧包封层从芯子上引出的引出线组成；其特征在于所述芯子采用无感式卷绕结 构；所述芯子的卷绕层的横截面自下而上由四个结构层组成；其中，第一结构层和第三结 构层由生膜组成；第二结构层由双面双留边中留边金属化膜组成；第四结构层由两个金属 箔和一个双面双留边金属化膜组成；所述第四结构层中两个金属箔横向并排对称设置在双 面双留边金属化膜的两侧，金属箔一端与双面双留边金属化膜紧靠在一起，另一端露在生 膜外。所述第二结构层与第四结构层垂直移动交换层位后，其特性不变。按照本技术所提供的新型4串高频高压大电流膜箔式电容器，其特征在于 所述第一结构层和第三结构层均由两层生膜叠合而成。按照本技术所提供的新型4串高频高压大电流膜箔式电容器，其特征在于 所述引出线的横截面呈圆形或矩形结构。综上所述，本技术所提供的新型4串高频高压大电流膜箔式电容器不仅可以 基本消除现有的内2串膜箔式电容器中两金属箔存在的气隙和电容器上的凹痕，而且可以 提高膜箔式电容器交流工作电压、载流能力、抗电离能力和工作频率，以满足大功率电力电 子线路发展对电容器承受dv/dt的能力、承受di/dt的能力和工作频率要求高的需求。附图说明图1为现有的内2串膜箔式电容器的第一种结构示意图；图2为现有的内2串膜箔式电容器的第二种结构示意图；图3为现有的内2串膜箔式电容器的第三种结构示意图；图4为新型4串高频高压大电流膜箔式电容器的结构示意图；图5为新型4串高频高压大电流膜箔式电容器的另一种结构示意图；图6为图4和图5中的电容器的电气原理图；图7为新型4串高频高压大电流膜箔式电容器的芯子引出方式示意图。其中，1、金属箔；2、金属化膜；3、生膜；4、空隙；5、芯子；6、引出线。具体实施方式以下结合附图对本技术的具体实施方式进行详细地描述如图4所示，该新型4串高频高压大电流膜箔式电容器由壳体或环氧包封层、封装 在壳体或环氧包封层内的芯子5、穿过壳体或环氧包封层从芯子5上引出的引出线6组成； 其特征在于所述芯子5采用无感式卷绕结构，所述芯子5的卷绕层的横截面自下而上由四 个结构层组成；其中，第一结构层和第三结构层由生膜3组成；第二结构层由双面双留边中 留边金属化膜2组成；第四结构层由两个金属箔1和一个双面双留边金属化膜2组成；所 述第四结构层中两个金属箔1横向并排对称设置在双面双留边金属化膜2的两侧，金属箔 1 一端与双面双留边金属化膜2紧靠在一起，另一端露在生膜3外。该新型4串高频高压大电流膜箔式电容器的芯子中的第一结构层和第三结构层 也可以由两层生膜3叠合而成，如图5所示。该新型4串高频高压大电流膜箔式电容器的 引出线6的横截面呈圆形或矩形结构。该新型4串高频高压大电流膜箔式电容器的芯子中利用双面双留边金属化膜的 留边替代现有的芯子中两箔间的空隙。表 权利要求1.一种新型4串高频高压大电流膜箔式电容器，由壳体或环氧包封层、封装在壳体或 环氧包封层内的芯子、穿过壳体或环氧包封层从芯子上引出的引出线组成；其特征在于 所述芯子采用无感式卷绕结构，所述芯子的卷绕层的横截面自下而上由四个结构层组成； 其中，第一结构层和第三结构层由生膜组成；第二结构层由双面双留边中留边金属化膜组 成；第四结构层由两个金属箔和一个双面双留边金属化膜组成，两个金属箔横向并排对称 设置在双面双留边金属化膜的两侧；所述金属箔一端与双面双留边金属化膜紧靠在一起， 另一端露在生膜外。2.根据权利要求1所述的新型4串高频高压大电流膜箔式电容器，其特征在于所述 第一结构层和第三结构层均由两层生膜叠合而成。3.根据权利要求1所述的新型4串高频高压大电流膜箔式电容器，其特征在于所述 引出线的横截面呈圆形或矩形结构。专利摘要本技术公开了一种新型4串高频高压大电流膜箔式电容器，由壳体或环氧包封层、芯子、引出线组成；芯子采用无感式卷绕结构；芯子的卷绕层的横截面自下而上由四个结构层组成；第一结构层和第三结构层由生膜组成；第二结构层由双面双留边中留边金属化膜组成；第四结构层由两个金属箔和一个双面双留边金属化膜组成，两个金属箔横向并排对称设置在双面双留边金属化膜的两侧；金属箔一端与双面双留边金属化膜紧靠在一起，另一端露在生膜外。其中，第二结构层与第四结构层垂直移动交换层位后，其特性不变。该结构利用双面双留边金属化膜的留边替代现有芯子中的空隙，可消除电容器上的凹痕，提高电容器交流工作电压、载流能力、抗电离能力和工作频率。文档编号H01G4/005GK201868252SQ20102023252公开日2011年6月15日 申请日期2010年6月22日 优先权日2010年6月22日专利技术者李学权, 许中玉, 邹华碧 申请人:四川中星电子有限责任公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型４串高频高压大电流膜箔式电容器，由壳体或环氧包封层、封装在壳体或环氧包封层内的芯子、穿过壳体或环氧包封层从芯子上引出的引出线组成；其特征在于：所述芯子采用无感式卷绕结构，所述芯子的卷绕层的横截面自下而上由四个结构层组成；其中，第一结构层和第三结构层由生膜组成；第二结构层由双面双留边中留边金属化膜组成；第四结构层由两个金属箔和一个双面双留边金属化膜组成，两个金属箔横向并排对称设置在双面双留边金属化膜的两侧；所述金属箔一端与双面双留边金属化膜紧靠在一起，另一端露在生膜外。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹华碧，许中玉，李学权，
申请(专利权)人：四川中星电子有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]