一种降压电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种降压电路，包括由第一开关Ｑ１、第一电感Ｌ１、第一二极管Ｄ１、第三电感Ｌｍ、电容Ｃ组成的第一斩波降压回路以及由第二开关Ｑ２、第二电感Ｌ２、第二二极管Ｄ２、第三电感Ｌｍ、电容Ｃ组成的第二斩波降压回路，第一斩波回路和第二斩波回路并联且共电容Ｃ和第三电感Ｌｍ，第一开关Ｑ１和第二开关Ｑ２交替工作且具有第一开关Ｑ１和第二开关Ｑ２同时关断的间隔时间Ｔ２，第一开关Ｑ１和第二开关Ｑ２中任意一个开关关断且经过间隔时间Ｔ２后，另一个开关开通。本实用新型专利技术是一种结构简单紧凑、成本低廉、可提高开关频率、从而可减小整体设备体积和重量的降压电路。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术主要涉及到一种电路结构，特指一种降压电路。
技术介绍
普通的降压斩波电路如图4和图5所示，包括由开关Q、电感L、二极管D以及电容 组成的回路。当开关Q闭合时，电感L储存电能并向输出电容C充电；开关Q关断时，电感 L释放电能。假设一个周期内开关Q闭合时间为T1,开关Q关断时间为T2，则完成周期为Ts = Ι\+Τ2，当电感L的电流连续时，输出电压Vtl与输入电压Vs有如下关系=V0 = VsT1/ (VT2)。 由此可见，降压电路中开关Q的开关频率越高，则电感L和电容C的值就越小，整个装置的 体积重量就越小。但有两个因素限制了开关Q的开关频率1、开关Q通常采用IGBT或MOSFET功率器件，这些功率器件有一个安全开关时间， 即T2最小不能小于器件的安全开关时间。例如，假设所采用IGBT的安全开关时间为5us， 要求的输出电压和输入电压的比值为0. 5，则开关周期最小为Ts = 5us + 0. 5 = 10us，即最 大开关频率为IOOkHz。开关频率不允许再提高。2、开关Q通常采用IGBT或MOSFET功率器件，每开关一次，都会产生相应的开关 损耗；每次当开关Q开通时，二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降压电路，其特征在于：包括由第一开关Ｑ↓［１］、第一电感Ｌ↓［１］、第一二极管Ｄ↓［１］、第三电感Ｌ↓［ｍ］、电容Ｃ组成的第一斩波降压回路以及由第二开关Ｑ↓［２］、第二电感Ｌ↓［２］、第二二极管Ｄ↓［２］、第三电感Ｌ↓［ｍ］、电容Ｃ组成的第二斩波降压回路，所述第一斩波回路和第二斩波回路并联且共电容Ｃ和第三电感Ｌ↓［ｍ］，所述第一开关Ｑ↓［１］和第二开关Ｑ↓［２］交替工作且具有第一开关Ｑ↓［１］和第二开关Ｑ↓［２］同时关断的间隔时间Ｔ↓［２］，所述第一开关Ｑ↓［１］和第二开关Ｑ↓［２］中任意一个开关关断且经过间隔时间Ｔ↓［２］后，另一个开关开通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵林冲，汤世娟，张勇，杨恢政，
申请(专利权)人：长沙广义变流技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：43[中国|湖南]