【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造
,特别涉及一种避免PVD腔室中射频和热辐 射泄漏的保护罩。
技术介绍
物理气相沉积(physical vapor deposition, PVD)工艺是半导体制造技术中最 通用的工艺之一。该工艺在真空腔室中利用等离子体中的离子对靶进行轰击,使得靶材的 粒子溅出,溅出的粒子沉积到晶圆上就形成了薄膜。这里的真空腔室称为PVD腔室。通常, PVD腔室中使用大功率源以产生等离子体,这就导致射频(RF)和热辐射容易从用于监测腔 室情况的观察窗口(view port)泄漏。由此,需要设计用于罩住PVD腔室的观察窗口的保 护罩,以避免射频和热辐射的泄漏。图1为一种PVD腔室的观察窗口的示意图。如图1所示,观察窗口 20通过一圈螺 钉21固定在PVD腔室的腔体10上,且观察窗口 20由透明材料制成。图2为现有技术的一 种保护罩的结构示意图。图2中,保护罩30包括圆形平板31、固定脚32A、32B以及挂钩33。 固定脚32A、32B垂直于圆形平板31所在平面延伸而形成,用于使得保护罩30罩住观察窗 口 20。挂钩33平行于圆形平板31所在平面延伸而形成 ...
【技术保护点】
一种避免PVD腔室中射频和热辐射泄漏的保护罩,所述保护罩用于罩住所述PVD腔室的观察窗口,其特征在于,包括:第一卡持部,其包括第一上侧壁、第一下侧壁以及第一连接部,所述第一上侧壁中形成有多个开孔,所述第一上侧壁和所述第一下侧壁在交界处形成第一卡持线,所述第一连接部分别形成于所述第一上侧壁和所述第一下侧壁的两端;第二卡持部,其包括第二上侧壁、第二下侧壁以及第二连接部,所述第二上侧壁中形成有多个开孔,所述第二上侧壁和所述第二下侧壁在交界处形成第二卡持线,所述第二连接部分别形成于所述第二上侧壁和所述第二下侧壁的两端;被卡持板,其边缘卡持在所述第一卡持线和所述第二卡持线,其中,所述 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李广宁,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]
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