控制春石斛开花与繁殖的方法技术

一种控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，包括步骤：　　　　Ａ、选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施于春石斛，促进腋芽发育；　　　　Ｂ、喷施植物生长调节剂时，配合不同的环境条件、喷施浓度及喷施时间，诱导腋芽发育成为花芽，进而发育成花；或诱导腋芽发育成为高芽，用于繁殖。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种植物的培育方法，尤其涉及一种控制盆花开花与繁殖的方法。技术背景春石斛为四大洋兰之一，是洋兰中继蝴蝶兰和大花蕙兰后出现的又一洋兰新品。春石 斛为兰科石斛属植物，多年生常绿或落叶附生草本，茎称为假鳞茎，肉质呈竹节状。茎长 度依品种不同在25 90cm左右，叶互生，总状花序2 5朵。花大而艳丽，花朵直径为6 l()cni，花期长达1 2个月。自冬春萌发的新芽生长至夏末秋初逐渐停止，出现终止叶。上 部膨大的节间腋芽，均可能发育成花芽或成为高芽。春石斛是喜干、喜光、耐低温的一种 洋兰，在我国有着很大的发展优势。具有较高观赏价值，花色艳丽、观赏期较长的优点 花期又处在我闺的传统节tJ 一-一春节的前后，可拱托出节R的热闹气氛。春石斛茎段发lt成熟后，每节的腋芽都有形成花芽或者叶芽的能力，芽体进一歩发育 形成花或者高芽。如果环境合适，萌芽后，使用低温和千旱处理则会形成花芽；使用肥水 和高温促进则会形成高芽。高芽生根后可分株移栽，用于繁殖。春石斛是先长芽后生根， 茎节上有繁殖和形成新的植株的能力。茎节上的腋芽萌发后，新茎随后会在茎段基部生 根。使用高芽4::根后分株移栽是一个主要的繁殖手段，所以，高芽的数量制约着繁殖的快 慢。目前，春石斛盆花生产中，从种苗的培育到成品开花，需要3年或更长的时间。其 中，种苗的繁殖需要的时间比较长，且发育不整齐，上盆时间不统一，是目前春石斛生产 中的一个技术难点。现有的技术对于高芽的利用，是处于一种被动的状态。主要是利用开 花后剩余的芽体萌芽形成的高芽，用来繁殖。高芽形成的数量和时间不能够调控。形成的 岛芽不整齐，且数量少。先后断断续续，不利于大规模出苗上盆。春石斛成品丌花质量是目前春石斛生产中的另一个技术难点。是制约生产和发展的一 个瓶颈。春石斛花芽分化要求在i3。C以下的低温环境中，在我国夏秋季高温地区难以达 到。另外，单株不问节位花期不整齐，开花零散，观赏效果差。现有的技术中，对春石斛腋芽的调控，主要是通过环境和栽培技术的管理来调控的。 茎段停长以后，通过控制肥水，保持较低的温室温度，来促进茎段芽体发育。完成了芽体的发育后，即可萌芽。但现有技术下，萌芽的节位少，不整齐。形成的花芽质量不高。同 时萌芽后，花期不统一，同一株上下节位开花时间不一致，开花零零散散，观赏效果差。 形成了低矮、细弱的茎，同样不利于花芽的形成。由于存在上述缺点，很难使春石斛芽体萌发整齐，花期统一，繁殖效率高。难以形成 规模化的生产。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种控制春石斛开花与繁殖的方法，该方法可使春石斛腋芽芽体 萌发整齐，花期统一，繁殖效率高。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的-本专利技术的控制春石斛开花与繁殖的方法，包括步骤A、 选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法 喷施于春石斛，促进腋芽发育；B、 喷施植物生长调节剂时，配合不同的环境条件、喷施浓度及喷施时间，诱导腋芽 发育成为花芽，进而发育成花；或诱导腋芽发育成为高芽，用于繁殖。所述的歩骤A中，选用的植物生长调节剂为6苄基氨基噤呤；喷施浓度为100ppm 5()0ppm;喷施方法为叶面喷洒或灌溉。所述的歩骤B中，诱导腋芽发育成为花芽的方法包括歩骤Bl、对用于成花的春石斛在预计花期前两个月左右停止使用肥水，并进行低温处理， 保持温度在8 13'C;B2、将6苄基氨基嘌呤溶解为300ppm 500ppm的溶液，并喷施于春石斛，促进花芽形成；B3、萌芽后，持续保持10 15。C的低温环境，直至花芽长至2 3crn以上时，缓慢提高 温室温度，促进发育；B4、花蕾出现后，温度提高到15 18'C以上，直至开花。 所述的步骤B2中，将6苄基氨基嘌呤溶解为400ppm的溶液。 所述的歩骤B中，诱导腋芽发育成为高芽的方法包括步骤 B5、对用于繁殖的春石斛在预计繁殖期前两个月左右停止肥水；B6、待假鳞茎增粗后，将6苄基氨基嘌呤溶解为100ppm 300ppm的溶液，并喷施于春 石斛，促进高芽形成；B7、对春石斛施加足量的肥水，并配合适宜春石斛生长的温度，进一步促进高芽的发育。所述的歩骤B6中，将6苄基氨基嘌呤溶解为200ppm的溶液。 所述的歩骤B中，用所述的高芽进行繁殖时包括步骤 B8、 3高芽长至适合移栽的程度时，从母株茎上切离； B9、将切离后的高芽上盆栽种； BIO、将上盆后的高芽，置于阴凉处直至成活。所述的歩骤B8中，当高芽长至3 4片叶，且根长4 5cm时，从母株茎上单独切离。 所述的歩骤B8中，当高芽长至高度大于10cm时，将高芽连同母株茎的一部分共同切下。所述的植物生长调节剂为KT类植物生长调节剂，或ZT类植物生长调节剂。由上述本专利技术提供的技术方案可以看出，本专利技术所述的控制春石斛开花与繁殖的方 法，山于采用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，尤其使用6 — BA (6节基氨 基嘌呤)来调控芽体萌发，可以促进成熟茎段上芽体全部萌发，使假鳞茎顶部、中部、基 部的芽体同时萌发，促进开花整齐，提高繁殖效率。乂由于对作为成品出花的春石斛，则使用生长调节剂6 — BA的同时，结合低温和肥水 的控制，可促进花芽的发—ff，形成整齐的花；对于茎段用于繁殖的春石斛，则在使用6--BA 处理后，P，]时辅助适宜春石斛生长的温度和肥水，促进芽体萌发，加快根系生长，快速形 成整齐的高芽，繁殖上盆。使用本专利技术的技术， 方面可以加快繁殖的速度和效率，增加春石斛种苗的繁殖数 量，有利于縮短栽培周期，使种苗整齐一致，提高盆花整齐度。另外，解决了春石斛生产 中花期不一致、开花数量少的核心问题，促进同一株的不同节位花芽同时萌发，同时开 放，以及促进不同株的假鱗茎同时开花，规模化上市。定时、准确的供应元旦、春节期间 的花卉市场，进行规模化的批量销售。附图说明图l为本专利技术控制春石斛开花与繁殖的方法的主要流程图。具体实施方式本专利技术较佳的具体实施方式是，春石斛茎段发育成熟后，每节的腋芽都有形成花芽或 者高芽的能力，芽体进-一歩发育形成花或者用于繁殖。如果环境合适，萌芽后，使用低温 和干旱处理则会形成花芽，使用肥水和高温促进则会形成高芽。在此过程中，辅助以适宜 浓度的6 — BA，以提高芽体萌发的数量，并控制芽体发育的时间，及诱导芽体发育为花芽或卨芽。如图1所示，控制春石斛开花与繁殖的方法，主要包括以下歩骤 歩骤ll、促进腋芽发育选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施 子春石斛植株，促进腋芽发育，这一步还可以控制并统一腋芽发育的时间。选用的植物生长调节剂最好为6 — BA (6苄基氨基嘌呤)，喷施浓度为100ppm 500ppra，可以选用200ppm、 300卯ai、 400ppm等优选比例，施用方法为叶面喷雾或灌根。也可以选用KT类植物生长调节剂，或ZT类植物生长调节剂，或其它类别的植物生长调 节剂。歩骤12、诱导腋芽发存在进行歩骤l]时首先要通过假鳞茎的不同发育状态和时间，来确定春石斛是用于繁 殖，还是用于丌花。 一般春石斛繁殖的最佳时间在早春2 4月，开花上市的最佳时间--般 在12 2月，即元H、春节前后。所以如果用于繁殖则6 — BA的使用时间应当后延，用于丌 花则喷施6--本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1、一种控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，包括步骤A、选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施于春石斛，促进腋芽发育；B、喷施植物生长调节剂时，配合不同的环境条件、喷施浓度及喷施时间，诱导腋芽发育成为花芽，进而发育成花；或诱导腋芽发育成为高芽，用于繁殖。2、根据权利要求l所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤A 屮，选用的植物生长调节剂为6苄基氨基嘌呤；喷施浓度为l()0ppm 500ppm;喷施方法为叶 面喷洒或灌溉。3、 根据权利要求2所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤B 中，诱导腋芽发育成为花芽的方法包括步骤Bl 、对用于成花的春石斛在预计花期前两个月左右停止使用肥水，并进行低温处理，保持温度在8 i:rc;B2、将6苄基氨基嘌呤溶解为300ppm 500卯m的溶液，并喷施于春石斛，促进花芽形成；B3、萌芽后，持续保持10 ]5匸的低温环境，直至花芽长至2 3cm以上时，缓慢提高 温室温度，促进发宵；〖M、花蕾出现后，温度提高到15 18'C以上，直至开花。4、 根据权利要求3所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤 B2中，将6苄基氨基嘌呤溶解为400ppm的溶液。5、 根据权利要求2所述的控制春石斛开花与繁殖...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振坚，王雁，
申请(专利权)人：中国林业科学研究院林业研究所，
类型：发明
国别省市：