【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于NAND FLASH纠错码
，具体涉及一种降低BCH解码延迟的双钱 氏搜索方法。
技术介绍
NAND Flash又称“快闪”，起源于20世纪80年代，是非易失性存储器的一种。近年来，由于NAND Flash高容量、低成本的特点，应用面渐广，几乎所有的消费电子产品，如U 盘、mp3、mp4、数码相机和手机等，都离不开NANDFlash。可以说，只要涉及到大容量数据存储的地方，就少不了 NAND Flash。由于NAND Flash物理结构的特殊性，当数据存储到NAND Flash上时，可能产生个别的比特翻转，从而导致存储数据出错，所以为了提高数据的可靠性，需要在存储之前对数据进行适当的编码，以保证当数据出错时，系统能将其纠正。前向纠错是存储系统中应用最多的一种纠错方式，常采用Hamming、BCH以及RS等线性分组码作为纠错码，来提高系统的数据存储可靠性。早期的NAND Flash基本都是单层单元(SLC)类型的，工艺相对成熟，存储过程中数据出错的概率小，一般采用Hamming码作为ECC纠错码，即可满足系统要求。随着NAND Flash设计技...
【技术保护点】
１．一种降低ＢＣＨ解码延迟的双钱氏搜索方法，其特征在于：预先设置ＢＣＨ译码器，该ＢＣＨ译码器包括和其第一级译码器和第二级译码器相互通信连接的作为数据缓冲区的单端ＲＡＭ（３），第一级译码器为相互通信连接的读闪存控制器（１）和伴随式计算电路（２），第二级译码器为是依次两两相互通信连接的无求逆ＢＭ迭代算法单元（４）、钱氏搜索电路（５）和输出缓存（６），其中第二级译码器的无求逆ＢＭ迭代算法单元（４）同第一级译码器的伴随式计算电路（２）通信连接，在执行ＢＣＨ解码时，通过读闪存控制器（１）按照一次读取一组容量大小为５２８Ｂｙｔｅｓ的ＢＣＨ码数据的规则连续逐次地读取ＢＣＨ码数据，在读取Ｂ...
【技术特征摘要】
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