一种由WO3制备金属钨的方法技术

技术编号:6146503 阅读:311 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种由WO3制备金属钨的方法,属电解和电泳技术领域,用于解决以熔盐为介质,在脉冲直流电的作用下,由WO3一步电沉积出钨的问题。特别之处是:它以NaCl、KCl、NaWO4构成的三组元为介质,其中NaCl、KCl、NaWO4三组元的摩尔比为:2:2:0.01~2:2:0.05,加入占熔盐介质质量百分数的10%~20%的粉状WO3;经过预电解除杂,在电沉积温度650℃~750℃、电沉积时间1~3小时、电流密度为300A/m2~600A/m2电沉积出纯钨。本发明专利技术其特点如下:1.构成熔盐的组元为常用廉价药剂,易获得,成本低,且消耗少;2.生产工艺流程短,操作简单、参数的控制范围宽,容易实现;3.电沉积温度较低,熔盐不挥发;4.可保持熔盐的成分不随电沉积时间的延长而发生变化,从而保证电沉积过程的稳定。本发明专利技术方法在钨生产和应用中具有很好的前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
1.一种由WO3制备金属钨的方法,其特征在于:它由下述步骤组成:a. 配制熔盐介质:选取由NaCl、KCl、Na2WO4构成的三组元为介质,其中NaCl、KCl、Na2WO4三组元的摩尔比2:2:0.01~2:2:0.05,在三组元中加入占熔盐介质质量百分数的10%~20%的粉状WiO3,把上述四种物质混均,盛入坩锅,放入电炉内升温到650℃~750℃,恒温10分钟;b. 预电解除杂:放入Cu电极,在温度650℃~750℃、脉冲电流给电、且平均电流密度为200A/m2~300A/m2的条件下,预沉积20分钟除杂;c. 电沉积W:取出Cu电极,插入W电极,在温度650℃~750℃、脉冲电流给电、...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李运刚李杰刘丽敏王艳春唐国章田薇
申请(专利权)人:河北联合大学
类型:发明
国别省市:13

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