The invention provides a switch control circuit, can suppress the power transistor due to overcurrent is breakdown, in order to generate the target output voltage from the input voltage level, to control the switch input electrode is applied to the input voltage of the transistor, and is greater than the reference current in the output current from the transistor when the transistor is turned off. Which includes a reference voltage generation circuit, a first reference voltage is generated corresponding to the output voltage and decrease with the reference current situation becomes smaller; the comparison circuit, the voltage corresponding with the output current and the first reference voltage; and a driving circuit, reference voltage is greater than the first voltage corresponding to the output current in the circuit judge based on the feedback voltage, and the corresponding output voltage and second reference voltage corresponding to the target level of the transistor conduction to cut-off level output voltage in the target level is greater than the first reference voltage for the voltage corresponding to the output current in the judgment, the transistor is turned off.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种开关控制电路。
技术介绍
在一般的开关电源电路中设置有过电流保护电路,该过电流保护电路用于防止规定值以上的电流流过驱动负载的功率晶体管。作为过电流保护电路,已知例如以下一种逐脉冲(Pulse byPulse)方式的过电流保护电路在每个开关周期内对流经功率晶体管的电流是否为规定值以上的电流、即对该电流是否是过电流进行检测,当该电流是过电流时使功率晶体管截止(例如,参照专利文献1)。专利文献1 日本特开2009-261100号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是,在使用逐脉冲方式的过电流保护电路的开关电源电路中,在负载短路的情况下,在每个开关周期内过电流会流经功率晶体管。因此,当负载长时间持续短路时,有时功率晶体管等会被击穿。本专利技术是鉴于上述问题而完成的,目的在于提供一种能够抑制功率晶体管由于过电流而被击穿这种情况发生的开关控制电路。用于解决问题的方案为了达到上述目的,本专利技术的一个侧面所涉及的开关控制电路为了从输入电压生成目标电平的输出电压,对输入电极被施加了上述输入电压的晶体管的开关进行控制,并且在来自上述晶体管的输出电流大于基准电 ...
【技术保护点】
1.一种开关控制电路,为了从输入电压生成目标电平的输出电压,对输入电极施加有上述输入电压的晶体管的开关进行控制,并且在来自上述晶体管的输出电流大于基准电流的情况下使上述晶体管截止,该开关控制电路的特征在于,具备:基准电压生成电路,其生成第一基准电压,该第一基准电压与随着上述输出电压降低而变小的上述基准电流相对应;比较电路,其将与上述输出电流相应的电压和上述第一基准电压进行比较;以及驱动电路,在上述比较电路判断为与上述输出电流相应的电压小于上述第一基准电压的情况下,基于与上述输出电压相应的反馈电压和与上述目标电平相应的第二基准电压使上述晶体管导通、截止以使上述输出电压的电平变 ...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:河井周平,福士岩,丸木雅大,
申请(专利权)人:安森美半导体贸易公司,
类型:发明
国别省市:BM
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