一种移动设备充电电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种移动设备充电电路装置，包括第一电路，所述第一电路包括：ＮＭＯＳ管，所述ＮＭＯＳ管的栅极的输入为一基准电压ＶＲＥＦ，所述ＮＭＯＳ管的漏极的输入为一工作电压Ｖ－ＣＨＡＲＧＥ，所述ＮＯＭＳ管的源极与电池ＶＢＡＴ节点连接；其中，所述基准电压ＶＲＥＦ高于ＮＭＯＳ管的最低导通电压时，所述ＮＯＭＳ管的漏极和源极导通，并激活所述ＶＢＡＴ节点为电池充电。应用本发明专利技术提供的技术方案，增加了电池过度放电后的激活电路，使得移动设备能够对未被损坏的所有电池进行充电，尤其是对于过度放电后的电池，不再需要使用者单独对该电池激活，而是由该充电电路装置自动激活即可。

Charging circuit device for mobile equipment

The invention provides a mobile device charging circuit device includes a first circuit, the first circuit including: NMOS tube, the gate of NMOS tube as the input of a reference voltage VREF, the drain pipe of the NMOS input for a working voltage of V CHARGE, the NOMS tube is connected with the source battery VBAT node; among them, the reference voltage VREF is higher than the lowest NMOS tube voltage, the NOMS tube drain and source conduction, and activate the VBAT node for battery charging. The application of the technical proposal provided by the invention increases the activation circuit after excessive battery discharge, allows the mobile device to charge the battery all is not damaged, especially for the excessive discharge of the battery, users no longer need to separate to the cell activation, but can be automatically activated by the charging circuit device.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及移动设备技术，特别是指一种移动设备充电电路装置。
技术介绍
移动设备内设有内置的充电电路，在正常情况下实现对移动设备的充电。在使用移动设备的过程中，经常会发生以下的情况用户长时间没有使用移动设 备，而且未将电池从移动设备中取出，由于移动设备在未开机情况下也会有电流消耗，锂类 电池经过较长时间，降到电池保护下线后，会自动进入保护状态，此时给锂类电池充电是无 效的，此种情况意味着电池的报废，然而实际上，是由于锂类电池内部保护电路开启保护功 能而导致无法充电，且通常这种过度放电保护无法自行解除。或者，电池电压低于移动设备 的开启电压时，会导致有些移动设备不能为电池进行充电，即使能进行充电也没有任何提 示，此时用户不清楚电池是否在充电，可能以为设备存在故障。或者，移动设备不具备电池 故障判断提示，导致用户不清楚电池的当前状况。专利技术人在实现本专利技术的过程中，发现现有技术中至少存在如下问题现有应用于 移动设备的电池，无法提供电池的当前状况，并且由于现有电池保护电路的固有缺陷，无法 实时准确的为移动设备充电。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种移动设备充电电路装置，用于解决现有技术中，电池过 度放电后进入到保护状态导致无法充电的缺陷。一种移动设备充电电路装置，包括第一电路，所述第一电路包括NMOS管，所 述NMOS管的栅极的输入为一基准电压VREF，所述NMOS管的漏极的输入为一工作电压 V-CHARGE，所述NOMS管的源极与电池VBAT节点连接；其中，所述基准电压VREF高于NMOS 管的最低导通电压时，所述NOMS管的漏极和源极导通，并激活所述VBAT节点为电池充电。装置中，所述第一电路还包括第一电阻Rl和第二电阻R2 ；其中，所述第一电阻 R2的一端接地，另一端与所述第一电阻Rl的一端串接，所述第一电阻Rl的另一端与所述工 作电压V-CHARGE连接；所述基准电压VREF为第一电阻Rl和所述第二电阻R2之间的电压。装置中，所述第一电阻Rl和第二电阻R2为可变电阻，具体数值根据所述NMOS管 的基准电压VREF和所述工作电压V_CHARGE确定。装置中，所述基准电压VREF低于锂类电池的保护电压。装置中，还包括第二电路，所述第二电路包括NMOS管，其栅极接入移动设备所提 供的电压PRE_C0NTR0L ；所述NMOS管的漏极输入工作电SV_CHARGE ；所述NMOS管的源极与 限流电阻R3的第二端连接，所述限流电阻的第一端与指示灯LEDl的一端连接，且所述指示 灯LEDl另一端接地。装置中，所述移动设备充电器中存在一个处于充电状态的电池，则通知所述NMOS 管栅极处的电压PRE_C0NTR0L导通所述NMOS管的漏极和源极，所述指示灯LEDl通电。装置中，还包括第三电路，所述第三电路包括PM0S管，所述PMOS管的栅极与VBAT 节点连接，所述VBAT节点用于与电池连接；所述PMOS管的漏极输入工作电压V_CHARGE，所 述PMOS管的源极与限流电阻R4连接，所述限流电阻R4还与指示灯LED2 —端连接，且指示 灯LED2另一端接地；所述源极与漏极通过一个限流电阻R5连接。装置中，所述VBAT节点接入损坏电池，该损坏电池的电压为0，则所述PMOS管的源 极与漏极导通，所述限流电阻R5被短路，指示灯LED2亮。装置中，所述限流电阻R5的阻值满足所述工作电压V_CHARGE流经所述限流电阻 R5与所述限流电阻R4的电流不足以使所述指示灯LED2亮。装置中，所述VBAT节点接入处于工作状态的电池，该电池的电压为处于工作状态 时的电压，则所述PMOS管的源极与漏极关断，电流需流经所述限流电阻R5与所述限流电阻 R4。应用本专利技术提供的技术方案，增加了电池过度放电后的激活电路，使得移动设备 能够对未被损坏的所有电池进行充电，尤其是对于过度放电后的电池，不再需要使用者单 独对该电池激活，而是由该充电电路装置自动激活即可。附图说明图1为本专利技术实施例移动设备充电电路装置结构示意图一；图2为本专利技术实施例移动设备充电电路装置结构示意图二 ；图3为本专利技术实施例预充提示电路示意图；图4为本专利技术实施例电池插入提示电路示意图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、技术特征和实施效果更加清楚，下面将结合附图及具体实施 例对本专利技术的技术方案进行详细描述。金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶 体管，有P型MOS管(PM0S管)和N型MOS管(NM0S管)之分；MOS管构成的集成电路称为 MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路为CM0S-IC。由P型衬底和两个高浓度N扩散区构成的MOS管叫作N沟道MOS管，该N沟道MOS 管导通时在两个高浓度N扩散区间形成N型导电沟道；N沟道增强型MOS管必须在栅极上 施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的N沟道MOS管；N沟道 耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的N沟道MOS管。NMOS集成电路是N沟道MOS电路，匪OS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要 吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大 多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路选用与NMOS集成电路相同的电源， 就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电 平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个(电位)上拉电阻R，R的取值一般 选用IΩ 100Κ Ω。当移动设备的电池过度放电进入到保护状态时，此时电池的正负极之间的电压为 0，当电池被放入移动设备进行充电时，由于电池两极的电压为0，因此移动设备无法检测到电池的存在，因而无法为电池进行充电。本专利技术提供的实施例中，如图1所示，提供一种移动设备充电电路装置，包括NMOS管，所述NMOS管的G极与基准电压VREF连接，所述基准电压VREF高于NMOS 管的最低导通电压，用以控制所述NMOS管实现导通；工作电压V_CHARGE位于所述NMOS管的D极；所述NMOS管的S极提供与电池连接的电池节点(VBAT)；对于过度放电而进入到保护状态的电池，所述G极处的基准电压控制所述D极与 S极导通，使所述VBAT节点处的电压与所述工作电压V_CHARGE —致，激活所述电池以解除 电池内部的保护电路，使电池进入到充电状态。应用所提供的技术方案，增加了电池过度放电后的激活电路，使得移动设备能够 对未被损坏的所有电池进行充电，尤其是对于过度放电后的电池，不再需要使用者单独对 该电池激活，而是由该充电电路装置自动激活即可。充电电路装置如图2所示，还包括分压电阻第一电阻Rl和第二电阻R2 ；其中，第 二电阻与地线以及基准电压VREF连接，该基准电压还与第一电阻的第一端以及NMOS管的 G极连接；所述第一电阻的第二端与V_CHARGE连接；所述NMOS管的S极提供与电池连接的 节点。其中，所述第一电阻Rl和第二电阻R2的具体数值根据所述NMOS管的最低导通电 压和工作电压V_CHARGE确定。所述基准电压VREF由所述工作电压V_CHARGE本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种移动设备充电电路装置，其特征在于，包括第一电路，所述第一电路包括：ＮＭＯＳ管，所述ＮＭＯＳ管的栅极的输入为一基准电压ＶＲＥＦ，所述ＮＭＯＳ管的漏极的输入为一工作电压Ｖ－ＣＨＡＲＧＥ，所述ＮＯＭＳ管的源极与电池ＶＢＡＴ节点连接；其中，所述基准电压ＶＲＥＦ高于ＮＭＯＳ管的最低导通电压时，所述ＮＯＭＳ管的漏极和源极导通，并激活所述ＶＢＡＴ节点为电池充电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙文涛，杨万丽，
申请(专利权)人：联想移动通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]