手机处理器兼容多种芯片的方法技术

本发明专利技术揭示了一种手机处理器兼容多种芯片的方法，包括启动阶段和系统驱动程序；所述启动阶段包括以下步骤：(11)手机上电，Boot程序启动；(12)配置系统时钟频率；(13)读取NandFlash?ID；(14)判断是否是已知型号Nand?Flash?ID，若是，则执行步骤(16)，若否，则执行步骤(15)；(15)配置默认SDRAM时序，执行步骤(17)；(16)获取对应DDR?SDRAM参数，配置到SDRAM控制器；(17)加载并启动操作系统；所述系统驱动程序包括以下步骤：(21)驱动程序更改DDR控制器参数；(22)获取当前时钟频率下的DDR配置参数；(23)判断Nand?Flash?ID是否已经读取，若是，则执行步骤(25)，若否，则执行步骤(24)；(24)读取Nand?Flash?ID；(25)根据Nand?Flash?ID找出并配置对应SDRAM芯片的参数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及移动通讯设备控制方法，特别涉及一种。
技术介绍
现有技术，一个手机程序一般仅支持一种NandFlash和DDR SDRAM芯片配置，如果 更换NandFlash和DDR SDRAM，需要重新调整程序参数，重新编译程序后才可以使用。由于 不能使用同一个程序来兼容不同的硬件，一套代码需要对每种存储芯片配置修改生成各自 的程序，对于生产和开发调试需要多耗费大量的时间。Nand Flash+DDR SDram MCP 芯片是指把 Nand Flash 芯片和 DDR SDRAM 芯片封 装在同一个芯片封装里，使用时两部分各自独立运行。使用该芯片可以减小PCB板上放置 NandFlash和DDR SDRAM存储器的面积，有利于产品小型化。容量为2Gb Nand Flash+lGbDDR SDRAM 的常用型号有 MICRON 的 MT29C2G24MAAAAHAKC-5 IT, ELPIDA 的 EHD013111MA，和 HYNIX 的 H8BC0SI0MBR-46M。手机启动引导程序是指手机软件系统在系统加电后运行的第一段软件代码，它 的主要工作是初始化硬件设备，加载操作系统到内存中，并且启动操作系统。通常启动引导 程序还有通过USB 口或者串口下载操作系统代码到手机存储器的功能。手机处理器DDR SDRAM时钟频率控制手机系统在处于睡眠模式时，一般需要把 DDRSDRAM的时钟频率降低，以节省电能。以高通QSC6270手机芯片为例，它的DDR SDRAM正 常工作频率为92. 1MHz，可以降低到61. 44MHz和9. 6MHz来运行。手机在处于启动阶段时， 一般需要先在低速SDRAM时钟下运行，待硬件初始化完毕后，再切换到高速SDRAM时钟下运 行。DDR SRAM 的配置参数一般包含 TRFC TRP TRAS TRC TMRD TXP TXSR TffRTRCD TDAL TRRD，不同厂家略有不同。由于Nand Flash和DDR SDRAM均为存储器，后面使用存储器来统称两者。有鉴于此，本领域技术人员针对上述问题，提供了一种手机处理器兼容多种芯片 的方法。
技术实现思路
本专利技术提供了一种，克服了现有技术的困难，能 够用同一个程序兼容多家存储器芯片，通过一次程序编译即可下载到不同硬件配置的电路 板上，可以节省软件编译、生产、测试环节的时间和步骤，降低生产、开发和测试成本。本专利技术采用如下技术方案本专利技术提供了一种，包括启动阶段和系统驱动程 序；所述启动阶段包括以下步骤3(11)手机上电，Boot程序启动；(12)配置系统时钟频率；(13)读取 NandFlash ID ；(14)判断是否是已知型号Nand Flash ID，若是，则执行步骤(16)，若否，则执行步 骤(15)；(15)配置默认SDRAM时序，执行步骤(17)；(16)获取对应DDR SDRAM参数，配置到SDRAM控制器；(17)加载并启动操作系统；所述系统驱动程序包括以下步骤(21)驱动程序更改DDR控制器参数；(22)获取当前时钟频率下的DDR配置参数；03)判断Nand Flash ID是否已经读取，若是，则执行步骤Q5)，若否，则执行步 骤(24)；(24)读取 Nand Flash ID ；(25)根据Nand Flash ID找出并配置对应SDRAM芯片的参数。优选地，所述步骤的触发条件为系统DDR SDRAM时钟频率改变。由于采用了上述技术，与现有技术相比，本专利技术的手机处理器兼容多种芯片的方 法能够用同一个程序兼容多家存储器芯片，通过一次程序编译即可下载到不同硬件配置的 电路板上，可以节省软件编译、生产、测试环节的时间和步骤，降低生产、开发和测试成本， 硬件电路板通过软件兼容，针对不同的芯片做出独立的参数配置，在系统运行时可以达到 于各自芯片的最佳性能。以下结合附图及实施例进一步说明本专利技术。 附图说明图1为本专利技术的的启动阶段流程图；图2为本专利技术的的系统驱动程序流程图。具体实施例方式下面通过图1至2来介绍本专利技术的一种具体实施例。实施例1如图1至2所示，本专利技术提供了一种，包括启动阶 段和系统驱动程序；所述启动阶段包括以下步骤(11)手机上电，Boot程序启动；(12)配置系统时钟频率；(13)读取 NandFlash ID ；(14)判断是否是已知型号Nand Flash ID，若是，则执行步骤(16)，若否，则执行步 骤(15)；(15)配置默认SDRAM时序，执行步骤(17)；(16)获取对应DDR SDRAM参数，配置到SDRAM控制器；(17)加载并启动操作系统；所述系统驱动程序包括以下步骤(21)驱动程序更改DDR控制器参数；(22)获取当前时钟频率下的DDR配置参数；03)判断Nand Flash ID是否已经读取，若是，则执行步骤Q5)，若否，则执行步 骤(24)；(24)读取 Nand Flash ID ；(25)根据Nand Flash ID找出并配置对应SDRAM芯片的参数。所述步骤的触发条件为系统DDR SDRAM时钟频率改变。本专利技术的实际使用情况如下本专利技术的通过在软件中兼容同一容量而不同种 类的NandFlash+DDR SDRAM MCP芯片，可以使用同一个软件去生产、开发、调试不同厂家的 存储器。软件兼容分三个内容，分别是启动引导程序兼容、操作系统驱动程序兼容、下载程 序兼容。启动引导程序兼容的方法是在启动程序里面首先通过读取Nand Flash的ID来区 分不同厂家的芯片，由于MCP芯片中Nand Flash和DDR SDRAM是封装在一起的，通过Nand Flash的ID即可得知所用的DDR SDRAM的型号，然后再根据对应的DDR SDRAM芯片配置手 机DDR SDRAM控制器的时序。操作系统驱动程序兼容的方法是在操作系统启动后，获取并保存Nand Flash的 ID，在手机处理器进行DDR SDRAM时钟频率控制时使用所保存的Nand Flash ID来获取所 用SDRAM所用的时序参数，配置到手机的DDR SDRAM控制器中。这样在手机切换SDRAM时 钟时可以兼容不同的SDRAM芯片。下载程序分USB下载和JTAG两种，在USB下载时，如果使用了外部SDRAM存储，那 么需要通过读取Nand Flash ID来先配置DDR SDRAM时序，如果没有使用外部SDRAM存储， 则不需要此操作；在JTAG下载时，由于它一般仅用于调试，可以使用一个通用的DDRSDRAM 时序来配置CMM脚本。本专利技术的已经在使用高通QSC6270芯片的W80手 机上实施，情况如下在启动程序的设计是配置DDR SDRAM控制器参数之前先读取Nand Flash ID, 具体在函数 dbl_target_configure_hw_at_low_speed 的配置 ebi2 总线函数 dbl_ebi2_ configure (dbl_flash_if)调用之后，读取Nand Flash ID，存储到变量里面，然后函数配 置 SDSRAM 控制器的函数 dbl_ddr_configure (clk_speed- > hclk)会调用 ddr_on_ebil_ enum_typedbl_g本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种手机处理器兼容多种芯片的方法，其特征在于：包括启动阶段和系统驱动程序；所述启动阶段包括以下步骤：（１１）手机上电，Ｂｏｏｔ程序启动；（１２）配置系统时钟频率；（１３）读取ＮａｎｄＦｌａｓｈ　ＩＤ；（１４）判断是否是已知型号Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ　ＩＤ，若是，则执行步骤（１６），若否，则执行步骤（１５）；（１５）配置默认ＳＤＲＡＭ时序，执行步骤（１７）；（１６）获取对应ＤＤＲ　ＳＤＲＡＭ参数，配置到ＳＤＲＡＭ控制器；（１７）加载并启动操作系统；所述系统驱动程序包括以下步骤：（２１）驱动程序更改ＤＤＲ控制器参数；（２２）获取当前时钟频率下的ＤＤＲ配置参数；（２３）判断Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ　ＩＤ是否已经读取，若是，则执行步骤（２５），若否，则执行步骤（２４）；（２４）读取Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ　ＩＤ；（２５）根据Ｎａｎｄ　Ｆｌａｓｈ　ＩＤ找出并配置对应ＳＤＲＡＭ芯片的参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董强，
申请(专利权)人：上海华勤通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31