背部钝化的高效太阳电池结构制造技术

技术编号:5936373 阅读:237 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及太阳电池的生产技术领域,尤其是一种背部钝化的高效太阳电池结构,包括太阳电池片、太阳电池片背部的钝化层,在钝化层的表面制作背电极。通过增加的背部钝化层,可以显著提高太阳电池的光电转换效率。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳电池的生产
,尤其是一种背部钝化的高效 太阳电池结构。
技术介绍
晶体硅太阳电池占据了光伏市场的90%以上的份额,如何进一步提高效 率,降低成本是国内外晶体硅太阳电池研究领域的基本目标。
技术实现思路
本技术的目的是要提高晶体硅太阳电池的效率,适用于产业化生产。 本技术采用的技术方案是 一种背部钝化的高效太阳电池结构,包 括太阳电池片、太阳电池片背部的钝化层,在钝化层的表面制作背电极。 背部钝化层为二氧化硅或者是氮化硅。本技术的有益效果是,通过增加的背部钝化层,可以显著提高太阳 电池的光电转换效率。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。 附图说明图1是本技术的结构示意图。 图中l.太阳电池片,2.钝化层,3.背电极。具体实施方式在图1中的是背部钝化的高效太阳电池结构,包括太阳电池片1、太阳电池片1背部的钝化层2,在钝化层2的表面制作背电极3。背部钝化层2 为二氧化硅氧化层或者是氮化硅层。一种背部钝化的高效太阳电池生产工艺,工艺步骤为,首先用于制作太阳电池的硅片经过制绒清洗、扩散工艺、刻蚀工艺,去PSG,制作减反色膜, 丝网印刷、然后烧结的工艺后成为太阳电池,在制作减反色膜后,在硅片的 背部制作背部钝化层2,在完成背部钝化层2以后再进行丝网印刷,然后再 烧结,成为太阳电池。背部钝化层2为二氧化硅或者是氮化硅。权利要求1、一种背部钝化的高效太阳电池结构,其特征是包括太阳电池片(1)、太阳电池片(1)背部的钝化层(2),在钝化层(2)的表面制作背电极(3)。2、 根据权利要求l所述的背部钝化的高效太阳电池结构,其特征是背部 钝化层(2)为二氧化硅氧化层或者是氮化硅钝化层。专利摘要本技术涉及太阳电池的生产
,尤其是一种背部钝化的高效太阳电池结构,包括太阳电池片、太阳电池片背部的钝化层,在钝化层的表面制作背电极。通过增加的背部钝化层,可以显著提高太阳电池的光电转换效率。文档编号H01L31/042GK201360008SQ20082021699公开日2009年12月9日 申请日期2008年11月24日 优先权日2008年11月24日专利技术者汪钉崇 申请人:常州天合光能有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种背部钝化的高效太阳电池结构,其特征是:包括太阳电池片(1)、太阳电池片(1)背部的钝化层(2),在钝化层(2)的表面制作背电极(3)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:汪钉崇
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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