测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种测试装置，包括：不良计数存储器，针对每个存储器库以及每个区块，存储不良单元的数量；不良计数寄存器，针对每个存储器库，存储在测试对象区块内检测出的不良单元的数量；存储器读出部，自各存储器库中依次逐个地读出测试对象区块内的一部分页；检测部，根据将由存储器读出部从各页读出的数据与期待值进行比较所得的结果，检测出各页内的不良单元；不良计数部，使与含有被检测出不良单元的页的存储器库对应的不良计数寄存器的计数值增加相当于被检测出的不良单元的数量；以及写入部，与已完成测试对象区块内的各页不良检测的存储器库对应，将不良计数寄存器内所存储的不良单元的数量，写入与不良计数存储器中的该存储器库的该测试对象区块对应的存储区域内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种测试装置。本专利技术尤其涉及一种对具有多个存储器库的被 测试存储器进行测试的测试装置。
技术介绍
近年来，闪存得到普及。闪存等半导体存储器具有存储器单元阵列，该存 储器单元阵列中具有存储以1位为单位的数据的多个存储器单元。制造时难以使所有存储器单元都成为合格品，因此，存储器单元阵列中含有一部分不合格 的存储器单元(不良单元)。因此，半导体存储器中预先设有与不良单元进行交 换的冗长的存储器单元(冗长单元)，从而可提高优良品率。将不良单元替换为冗长单元的处理被称作存储器修复处理(或者冗余处理)，是在半导体存储器的测试过程中进行的。在存储器修复处理中，首先，测 试装置检测不良单元位于存储器单元阵列中的何处。然后，测试装置计算出决 定该检测出的不良单元如何用冗长单元替换的修复解法。而且，测试装置将计 算出的修复解法反馈到半导体存储器中。而且，公知的有具有多个存储器单元阵列的多库型闪存。多库型闪存中包 括分别与各存储器单元阵列对应的多个输入输出缓冲器，可同时对多个存储器 单元阵列进行读出或者写入。因此，多库型的闪存可同时对多库的数据(亦即 多页数据)进行写入以及读出。亦即，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试装置，对具有多个存储器库的被测试存储器进行测试，其包括：　不良计数存储器，针对每个存储器库以及每个区块，存储不良单元的数量；　不良计数寄存器，针对每个存储器库，存储在测试对象区块内检测出的不良单元的数量；　存储器读 出部，从各存储器库中依次逐个地读出测试对象区块内的一部分页；　检测部，根据将所述存储器读出部从各页读出的数据与期待值进行比较所得的结果，检测出各页内的不良单元；　不良计数部，使与含有被检测出不良单元的页的存储器库对应的所述不良计 数寄存器的计数值增加相当于被检测出的不良单元的数量；以及　写入部，与已完成测试对象区块内的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：土井优，佐藤新哉，
申请(专利权)人：爱德万测试株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]