逆变电路、背光装置以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制ＥＭＩ强度增大的逆变电路。该逆变电路（２０ａ）具备：驱动电路（２１），其输出脉冲信号（Ｓ２）；电压转换器（２２），其二次绕组（２２ｂ）的一端被连接到冷阴极荧光灯（１３），将与脉冲信号对应的驱动信号（Ｓ１）输出到冷阴极荧光灯；检测控制电路（２４），其检测与输入到冷阴极荧光灯的驱动信号对应的检测信号（Ｓ４）；配线（３２），其连接电压转换器的二次绕组的另一端和检测控制电路；以及配线（３４），其与配线（３２）之间所产生的磁场相互抵消。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及逆变电路、背光装置以及显示装置，特别涉及驱动荧光灯的逆变电路、具备该逆变电路的背光装置以及显示装置。
技术介绍
在以往，已知具备驱动荧光灯的逆变电路的背光装置(例如，参照专利文献1)。在 该专利文献1中，公开了具备冷阴极管(荧光灯)和逆变电路的背光源(背光装置)。该逆 变电路包含驱动电路，其用于驱动冷阴极管；电压转换器(变压器)，其被连接到冷阴极管 和驱动电路；管电流检测电路，其被连接到冷阴极管并且检测在冷阴极管中流过的管电流； 以及振荡电路，其被连接到管电流检测电路和驱动电路。在上述专利文献1中，采用如下结构管电流检测电路检测在冷阴极管中流过的 管电流，并且根据检测出的管电流来控制振荡电路输出到驱动电路和电压转换器的信号。 由此，控制从电压转换器输出到冷阴极管的电流(管电流)。专利文献1 日本特开2006-39345号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，在如上述专利文献1所述的背光装置中，通常，冷阴极管(荧光灯)由数十 kHz的高频率驱动，在由管电流检测电路检测的信号中，叠加了数百kHz的高次谐波。因 此，会有如下问题由连接冷阴极管和管电流检测电路的配线部分产生的磁场变大，因此， EMI (Electro Magnetic Interference ；电磁干扰)的强度增大了。本专利技术是为了解决上述问题而完成的，本专利技术的目的在于提供能够抑制EMI强度 增大的逆变电路、背光装置以及显示装置。用于解决问题的方案为了达到上述目的，本专利技术的第1方案的逆变电路是驱动荧光灯的逆变电路，具 备驱动电路其输出用于驱动荧光灯的脉冲信号；变压器其一次绕组被连接到驱动电 路，并且二次绕组的一端被连接到荧光灯，将与脉冲信号对应的驱动信号输出到荧光灯；检 测控制电路，其检测与输入到荧光灯的驱动信号对应的第1信号；第1配线其连接变压器 的二次绕组的另一端和检测控制电路，并且流过第1信号；以及第2配线，其与第1配线之 间所产生的磁场相互抵消，或者所产生的磁场变得平滑，驱动电路根据由检测控制电路检 测出的第1信号来控制输出到变压器的脉冲信号。在该第1方案的逆变电路中，如上所述，设置第2配线，其与第1配线之间所产生 的磁场相互抵消，或者所产生的磁场变得平滑，由此能够使由第1配线和第2配线产生的磁 场相互抵消或者变得平滑(固定化)，因此即使由第1配线产生的磁场大的情况下，也能够 抑制EMI强度的增大。另外，在第1方案的逆变电路中，如上所述，使驱动电路构成为根据由检测控制电路检测出的第1信号来控制输出到变压器的脉冲信号，由此能够控制输入到荧光灯的驱动 信号，因此能够固定例如荧光灯的亮度。在上述第1方案的逆变电 路中，优选第1配线和第2配线采用双绞线结构，在第2 配线中流过第2信号，上述第2信号相对于在第1配线中流过的第1信号相位相反。如果 这样构成的话，能够容易地使由第1配线和第2配线产生的磁场相互抵消，因此能够容易地 降低EMI强度。另外，使第1配线和第2配线采用双绞线结构，由此还能够使由第1配线和 第2配线产生的磁场以外的能量等相互抵消，因此，能够进一步降低EMI强度。在上述第1配线和第2配线采用双绞线结构的逆变电路中，优选第2配线包括GND 配线。如果这样构成的话，在第1信号流过第1配线的情况下，在第2配线中，流过相对于 第1信号相位相反的第2信号。由此，能够容易地使由第1配线和第2配线产生的磁场相 互抵消。在上述第2配线包括GND配线的逆变电路中，优选第2配线被连接到检测控制电 路的GND端子。如果这样构成的话，能够利用GND配线容易地构成第2配线。另外，将第2 配线连接到检测控制电路的GND端子，由此能够使第1配线和第2配线的双绞线结构形成 得更长，因此，能够有效地降低EMI强度。在上述第1方案的逆变电路中，优选荧光灯包含一对荧光灯，变压器包含被分别 连接到一对荧光灯的一对变压器，第1配线被连接到一对变压器的一方和检测控制电路， 第2配线被连接到一对变压器的另一方和检测控制电路，在第2配线中流过第3信号，上述 第3信号相对于在第1配线中流过的第1信号正负相反。如果这样构成的话，能够容易地 使由第1配线和第2配线产生的磁场相互抵消，因此，能够容易地降低EMI强度。在第3信号流过上述第2配线的逆变电路中，优选在第1配线上设有第1半波整 流电路，在第2配线上，以与第1半波整流电路相反的方向设有第2半波整流电路。如果这 样构成的话，能够使相对于在第1配线中流过的第1信号正负相反的第3信号容易地在第 2配线流过。另外，在第1配线上设有第1半波整流电路，在第2配线上设有第2半波整流 电路，由此能够减少第1信号在第1配线中流过的时间(量)和第2信号在第2配线中流 过的时间(量)，因此能够进一步降低EMI强度。在上述第1配线上设有第1半波整流电路，在第2配线上设有第2半波整流电路 的逆变电路中，优选第1半波整形电路和第2半波整形电路分别被设置在第1配线和第2 配线的变压器侧的部分。如果这样构成的话，能够使产生的磁场相互抵消的第1配线和第 2配线的部分形成得更长，因此能够有效地降低EMI强度。在上述第1方案的逆变电路中，优选荧光灯包含一对荧光灯，变压器包含被分别 连接到一对荧光灯的一对变压器，第1配线被连接到一对变压器的一方和检测控制电路， 第2配线被连接到一对变压器的另一方和检测控制电路，在第2配线中流过第4信号，上述 第4信号相对于在第1配线中流过的第1信号反相。如果这样构成的话，能够使在第1配线 中流过的第1信号的振幅大(小)的部分与在第2配线中流过的第4信号的振幅小(大) 的部分相叠加。即，能够抑制在第1配线中流过的第1信号的振幅大的部分与在第2配线 中流过的第4信号的振幅大的部分的叠加。由此，能够容易地使由第1配线和第2配线产 生的磁场之和变得平滑(固定化)，因此能够容易地抑制EMI强度的增大。在第4信号流过第2配线的上述逆变电路中，优选在第2配线上设有反相电路。如果这样构成的话，能够容易地在第2配线中流过相对于在第1配线中流过的第1信号反相 的第4信号，因此，能够更容易地使由第1配线和第2配线产生的磁场之和变得平滑(固定 化)。在第2配线上设有反相电路的上 述逆变电路中，优选在第1配线上设置第3半波 整流电路，在第2配线上，以与第3半波整流电路相同的方向设有第4半波整流电路。如果 这样构成的话，能够更容易地在第2配线中流过相对于在第1配线中流过的第1信号反相 的第4信号。在第2配线上设有反相电路的上述逆变电路中，优选反相电路被设置在第2配线 的变压器侧的部分。如果这样构成的话，能够使所产生的磁场之和变得平滑(固定化)的 第1配线和第2配线的部分形成得更长，因此，能够有效地降低EMI强度。在上述荧光灯包含一对荧光灯的逆变电路中，优选第1配线和第2配线的至少一 部分相互大致平行地配置。如果这样构成的话，能够使由第1配线和第2配线的至少一部分 产生的磁场以外的能量等也相互抵消或者变得平滑(固定化)，因此，能够进一步抑制EMI 强度增大。在上述第1方案的逆变电路中，优选检测控制电路根据检测出的第1信号将调整 脉冲信号输出到驱动电路，驱动电路根据调整脉冲信号来控制输出到变压器的脉冲信号。 如果这样构成的话，能够容易地构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆变电路，其驱动荧光灯，其特征在于：具备：驱动电路，其输出用于驱动上述荧光灯的脉冲信号；变压器，其一次绕组被连接到上述驱动电路，并且二次绕组的一端被连接到上述荧光灯，将与上述脉冲信号对应的驱动信号输出到上述荧光灯；检测控制电路，其检测与输入到上述荧光灯的上述驱动信号对应的第１信号；第１配线，其连接上述变压器的二次绕组的另一端和上述检测控制电路，并且流过上述第１信号；以及第２配线，其与上述第１配线之间所产生的磁场相互抵消，或者所产生的磁场变得平滑，上述驱动电路根据由上述检测控制电路检测出的上述第１信号来控制输出到上述变压器的上述脉冲信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒井政广，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]