D类放大器制造技术

本发明专利技术描述了一种功率放大器，该功率放大器包括：第一晶体管（Ｍ↓［ＨＳ］），其具有第一控制终端和第一主电流路径，第一主电流路径连接于第一供电终端（Ｖｄｄ）和第一节点（Ｖ↓［Ｈ］）之间；第二晶体管（Ｍ↓［ＬＳ］），其具有第二控制终端和第二主电流路径，第二主电流路径连接于第二供电终端（Ｖｓｓ）和第二节点（Ｖ↓［Ｌ］）之间；第一受控电阻器（Ｍ↓［ＨＣ］），该电阻器连接于第一节点和放大器的输出节点（Ｖｏｕｔ）之间；第二受控电阻器（Ｍ↓［ＬＣ］），该电阻器连接于第二节点和放大器的输出节点（Ｖｏｕｔ）之间；受控于第一驱动器的第一晶体管，第一驱动器包括一个电平移位电路；和受控于第二驱动器的第二晶体管，第二驱动器包括一个时延电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种D类放大器。
技术介绍
D类放大器由于其高效性被广泛用于现代设备中。如图la所示， 普通D类输出级包括一个高端开关MH和一个低端开关输出信 号是一系列脉冲信号，这些脉冲信号的最大值与正供电电压Vdd相 等，最小值与负供电电压(即Vss)相等。 一般来说，输出级的最大 供电电压与最大过程电压相等，并且一般由栅极击穿电压决定。源漏 电压可处理更大的电压。当供电电压必须大于最大过程电压时，可使 用如图lb所示的串联输出级。加入两个串联的晶体管(即MLC、MHC)， 这两个晶体管使供电电压在两个MOS晶体管上分配。当输出电压等 于正供电电压Vdd时，电压被分配到Mls和Mlc上，当输出电压等 于负供电电压Vss时，电压被分配到Mhs和Mhc上。已知几种用于 如图la所示的单晶体管的解决方案。应当以供电电压Vdd与Vss之 间无涡流(cross current)即无短路的方式来驱动晶体管，短路会由 于高端和低端晶体管都导通而导致。目前，有三种方法来解决这个问 题1. 在图la中的高端驱动信号Input high与低端驱动信号Input low之间加入一个时延。这样，首先低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大器，包括：　第一晶体管（Ｍ↓［ＨＳ］），具有第一控制终端和第一主电流路径，第一主电流路径连接于第一供电终端（Ｖｄｄ）和第一节点（Ｖ↓［Ｈ］）之间；　第二晶体管（Ｍ↓［ＬＳ］），具有第二控制终端和第二主电流路径，第二主 电流路径连接于第二供电终端（Ｖｓｓ）和第二节点（Ｖ↓［Ｌ］）之间；　第一受控电阻器（Ｍ↓［ＨＣ］），连接于放大器的第一节点和输出节点（Ｖｏｕｔ）之间；　第二受控电阻器（Ｍ↓［ＬＣ］），连接于放大器的第二节点和输出节点（Ｖｏｕｔ） 之间；　受第一驱动器控制的第一晶体管，第一驱动器包括电平移位电路；和　受第二驱动器控制的第二晶体...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗兰德巴斯滕，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]