【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造感测物质的半导体传感器装置的方法，该半导体 传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域，其形成于半导体主体的 表面上并在第一端连接到第一导电连接区域，在第二端连接到第二导电连 接区域，包括待感测物质的流体(=液体或气体)能够在台形半导体区域之 间流动，待感测的物质能够影响多个台形半导体区域的电特性，其中，在 半导体主体的表面形成第一连接区域，并形成多个台形半导体区域，其第 一端连接到所述第一连接区域，随后形成连接到所述多个台形半导体区域 的第二端的第二连接区域。本专利技术还涉及一种半导体传感器装置。
技术介绍
这种方法非常适于制造用于检测化学和/或生化物质的传感器装置。在 后一种情况下，例如可以将其用于以高灵敏度和可复现性检测抗原/抗体结 合、生物分子和其他物质，于是可以将其有利地用在基因分析、疾病诊断 等中。此外，例如通过向导电性这样变化的纳米线中引入带电物质，也可 能检测更简单的分子，例如在液体中易挥发或溶解的化学物质。这里，对于纳米线而言，主体的至少一个横向尺度通常在l和100mn之间，特别地， 在10和50nm之间。优选地，纳米线在...
【技术保护点】
一种制造用于感测物质的半导体传感器装置（１０）的方法，所述半导体传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域（１），所述台形半导体区域（１）形成于半导体主体（１１）的表面上并在第一端连接到第一导电连接区域（２）且在第二端连接到第二导电连接区域（３），同时包括待感测的物质的流体能够在所述台形半导体区域（１）之间流动，且待感测的所述物质能够影响所述多个台形半导体区域（１）的电特性，其中在所述半导体主体（１１）的表面形成第一连接区域（２）并形成第一端连接到所述第一连接区域（２）的所述多个台形半导体区域（１），接下来形成在所述多个台形半导体区域（１）的第二端连接到所述多个台形半导体区...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2006-8-24 06119487.41、一种制造用于感测物质的半导体传感器装置(10)的方法，所述半导体传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域(1)，所述台形半导体区域(1)形成于半导体主体(11)的表面上并在第一端连接到第一导电连接区域(2)且在第二端连接到第二导电连接区域(3)，同时包括待感测的物质的流体能够在所述台形半导体区域(1)之间流动，且待感测的所述物质能够影响所述多个台形半导体区域(1)的电特性，其中在所述半导体主体(11)的表面形成第一连接区域(2)并形成第一端连接到所述第一连接区域(2)的所述多个台形半导体区域(1)，接下来形成在所述多个台形半导体区域(1)的第二端连接到所述多个台形半导体区域(1)的所述第二连接区域(3)，其特征在于在形成所述多个台形半导体区域(1)之后，用能够相对于所述多个台形半导体区域(1)和所述半导体传感器装置(10)的其他边界部分的材料选择性去除的填充材料(4)来填充这些区域(1)之间的露出空间，接下来在所得到的结构上沉积导电层(30)，由该导电层(30)形成所述第二连接区域(3)，之后以选择性方式去除所述填充材料(4)，由此使所述多个台形半导体区域(1)之间的空间再次露出。2、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于在沉积所述导电层(30) 之前，通过选择性蚀刻去除所述填充材料(4)的上部(4A)，由此使所述 多个台形半导电区域(1)的上部露出。3、 根据权利要求2所述的方法，其特征在于几乎完全去除所述填充材 料(4)，并用与所述填充材料不同的另一填充材料填充所述多个台形半导 体区域(1)之间的空间。4、 根据权利要求3所述的方法，其特征在于在沉积所述导电层(30) 之前，通过蚀刻去除所述另一填充材料的上部，由此使所述多个台形半导 体区域(1)的上部露出。5、 根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于选择绝缘材 料用于所述填充材料或所述另一填充材料的材料(4)。6、 根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于将通过旋涂 沉积的聚合物用于所述填充材料(4)或所述另一填充材料的材料。7、 根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于通过湿法蚀 刻选择性地蚀刻所述填充材料(4)或所述另一填充材料的材料。8、 根据权利要求7所述的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：O文恩尼克，EPAM巴克斯，AL鲁斯特，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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