电路保护器和电连接盒制造技术

电连接盒１０包括ＦＥＴ?３２，该ＦＥＴ?３２用于与电源Ｂ连接；基板侧导电路径１８，该基板侧导电路径１８与ＦＥＴ?３２相连接并且连接ＦＥＴ?３２和负载Ｌ；二极管元件Ｄ，该二极管元件Ｄ与基板侧导电路径１８电气地连接以传递热并且具有ＰＮ结；以及ＣＰＵ?１９，该ＣＰＵ?１９用于判断二极管元件Ｄ的输入／输出端子２５和２６之间的电压下降值是否大于阈值并且如果判断电压下降值小于阈值，则将断开命令信号传递给ＦＥＴ?３２。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电路保护器和电连接盒。
技术介绍
已经已知作为通过检测在电路中流动的异常电流来保护电路的传统的电路保护 器的专利文献1。此电路保护器包括被连接在电源和负载之间的半导体开关元件和用于将 控制信号输出到半导体开关元件的保护电路。半导体开关元件和负载通过电线连接。在保 护电路中设置用于防止半导体开关元件的损坏的阈值电流。当由于例如负载的短路导致超 过上述阈值电流的过电流要在半导体开关元件和负载之间流动时，保护电流将断开命令信 号输出到半导体开关元件并且使其变成断开状态。这能够实现半导体开关元件的损坏防 止。日本未经审查的专利公开No.H04-334640
技术实现思路
诸如电线的绝缘涂层的老化很有可能引起所谓的层短路，其中小于用于半导体开 关元件的损坏防止的阈值电流但是大于正常通电时的电流的电流流动。在这样的情况下， 根据传统技术的构造，在电线中流动的电流小于阈值电流，并且因此保护电路没有将断开 命令信号输出到半导体开关元件。因此，相对大的电流持续地在电线中流动，引起从芯线产 生的热留在电线中，并且因此会进一步退化电线的绝缘涂层。为了克服上述问题，可以在电线中布置与异常确定电路相连接的温度检测元件， 并且当电线的温度超过阈值时，半导体开关元件可以变成断开状态。然而，通常，一个温度检测元件通过从温度检测元件引出的两个导电路径与异常 确定电路相连接。因此分别要求温度检测元件的两倍的导电路径，并且会整体上引起电路 保护器的复杂构造。基于上述情况已经完成本专利技术，并且其目的是提供具有较简单的构造的电路保护ο用于解决问题的手段本专利技术涉及电路保护器和电连接盒，包括半导体开关元件，该半导体开关元件 与电源相连接；导电路径，该导电路径与半导体开关元件相连接并且连接半导体开关元件 和负载；半导体元件，所述半导体元件具有PN结并且与导电路径电气地连接以传递热；判 断装置，该判断装置用于判断半导体元件的输入/输出端子之间的电压下降值是否大于阈 值；以及控制装置，该控制装置用于当通过判断装置判断电压下降值小于阈值时将断开命 令信号输出到半导体开关元件。另外，半导体元件与导电路径连接以传递热意指将热从导电路径传递到半导体元 件从而半导体元件的温度和导电路径的温度变得几乎相同，并且，简言之，半导体元件与导 电路径相连接。用于检测温度的元件和判断装置通过从元件引出的两个导线相互连接。根据本专利技术，半导体元件连接至导电路径和判断装置。因此，导电路径能够用作半导体元件中的一个 导线，并且因此能够简化电路保护器的构造。本专利技术能够简化电路保护器和电连接盒的构造。附图说明图1是示出本专利技术中根据实施例1的电连接盒的横截面图；图2是二极管元件和分支路径之间的连接结构的主要部分的放大平面图；图3是示出电连接盒的电气构造的框图；图4是接通/断开的处理的流程图；图5是示出温度电压数据的内容的图；图6是示出根据实施例2的电连接盒的电气结构的框图；图7是接通/断开的处理的主流程图；图8是示出初始处理的流程图；图9是示出根据实施例3的电连接盒的电气结构的框图；图10是接通/断开的处理的流程图。附图标记的描述10电连接盒12电路板15电线(导电路径)16母端子配件(导电路径)18基板侧导电路径(导电路径)19CPU(判断装置，控制装置)21分支路径(导电路径)23公接线片(导电路径)32FET (半导体开关元件)33ROM (存储器件)45开关元件D 二极管元件(半导体元件)具体实施例方式<实施例1>参考图1至图5描述其中根据本专利技术的电路保护器应用于用于车辆的电连接盒10 的实施例1。在诸如灯和音频的负载L和电源B之间布置本实施例，以控制负载L的通电 (接通/断开)。如图1中所示，电连接盒10包括被容纳在盖11中的电路板12。盖11被提供有连 接器13。连接器13可与匹配连接器14接合。匹配连接器14容纳与电线15 (对应于导电 路径)相连接的母端子配件16 (对应于导电路径的)。电线15与负载L相连接。通过诸如例如粘接和螺纹连接的已知方法由形成在其中的保持组件17来保持电路板12。通过印刷布线技术将基板侧导电路径18(对应于导电路径)形成在电路板12中。 CPU 19被安装在电路板12上并且被连接至基板侧导电路径18。此外，FET 32 (对应于半 导体开关元件)被安装在电路板12上并且被连接至基板侧导电路径18。基板侧导电路径18包括分支成多个的分支路径21 (参见图3)。如图2中所示，与 分支路径21相连接的通孔22 (对应于导电路径)形成在电路板12中。金属公接线片(对 应于导电路径)的一端被插入在通孔22中并且通过诸如软焊与其连接。如图1中所示，公 接线片23的另一端在沿着电路板12的平面的方向中弯曲，穿透连接器13的后壁。公接线 片23的另一端被定位在连接器13的内部并且可与上述母端子配件相连接。这允许分支路 径21与负载L电气地连接在一起。 如图2中所示，在分支路径21中，具有比其它区域窄的宽度的狭窄部24(对应于 容易产生热的组件)形成在通孔22附近。此狭窄部24被构造为具有比分支路径21中的其 它区域窄的宽度，以与其它区域相比较在通电时更加容易产生热。在分支路径21中，通过 诸如例如软焊将具有PN结的二极管元件D (对应于半导体元件)的输入端子25电气地连 接至狭窄部24和通孔22之间的区域，从而能够传递热。另外，二极管元件D与分支路径相 连接从而能够传递热意指将热从分支路径21传递到二极管元件D从而分支路径21的温度 和二极管元件D的温度变得几乎相同，并且，简言之，二极管元件D与分支路径21相连接。另外，以使其重叠在与输入端子25相连接的基板侧导电路径18 (分支路径21)的 表面上的方式布置二极管元件D。二极管元件D的输出端子26与形成在电路板12上的焊盘27相连接。焊盘27与 不同于分支路径21的基板侧导电路径18相连接。与二极管元件D的输出端子26连接的 基板侧导电路径18形成为比分支路径21窄并且与CPU 19相连接，以变成用于将从二极管 元件D输出的信号传输到CPU 19的信号导电路径28。整体的信号导电路径28被形成为比 基板侧导电路径18窄。如图3中所示，多个(在本实施例中两个)二极管29与一个二极管元件D串联地 连接。这能够放大稍后描述的电压下降值。在本实施例中，二极管元件D是模压封装型。在 从分支路径21朝着信号导电路径28前进的正方向中连接二极管元件D。接下来，描述电连接盒10的电气构造。图3是示出电连接盒10的电气构造的框 图。通过电线15和连接器13将诸如电池的电源B与电连接盒10的内部的基板侧导 电路径18相连接。基板侧导电路径18与(η) (η是自然数)个FET 32并行地连接。此基 板侧导电路径18与FET 32中的源极30相连接。与每个FET 32中的漏极31相连接的基 板侧导电路径18被分支成多以形成分支路径21。在本实施例中，可以使用P-ch型的FET， 然而，可以使用N-ch型的FET。另外，当使用N-ch型时，源极30和漏极31被反转。每个分 支路径21通过连接器13和电线15与负载L相连接。(Mi) ( “Mi”是自然数)个负载L与 第⑴(“i”是自然数)个FET 32i本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路保护器，包括：半导体开关元件，所述半导体开关元件用于与电源相连接；导电路径，所述导电路径与所述半导体开关元件相连接并且连接所述半导体开关元件和负载，半导体元件，所述半导体元件与所述导电路径相电气地连接以传递热并且具有ＰＮ结，判断装置，所述判断装置用于判断所述半导体元件的输入／输出端子之间的电压下降值是否大于阈值；以及控制装置，所述控制装置用于如果通过所述判断装置判断所述电压下降值小于阈值，则将断开命令信号输出到所述半导体开关元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：樋口丰，高阪光昭，高桥成治，
申请(专利权)人：株式会社自动网络技术研究所，住友电装株式会社，住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]