膜形成组合物制造技术

本发明专利技术提供一种膜组合物，其是用于涂布扩散法的膜形成组合物，能够将更高浓度的杂质扩散到硅片中，而且能够同时形成二氧化硅类被膜。本发明专利技术涉及一种膜形成组合物，其是构成扩散膜的膜形成组合物，该扩散膜形成在硅片上，用来使杂质元素扩散到该硅片中，该膜形成组合物含有（Ａ）高分子硅化合物、（Ｂ）上述杂质元素的氧化物或含该杂质元素的盐、以及（Ｃ）成孔剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在制造杂质半导体时，用于扩散杂质的膜形成组合物。
技术介绍
半导体的制造技术是集成电路等电子零部件的制造中不可缺少的技术，于现今电子 零部件产业中肩负主要的一部分。在半导体制造过程中，通过将杂质混入(掺杂)到硅、 锗等本征半导体(intrinsic semiconductor)中，制造出具有空穴的P型半导体和具有自 由电子的N型半导体等杂质半导体。这些杂质半导体虽然在通常情况下电流无法通过， 但因其使电子自价带跃迁到导带所需的能量少，只要施加一定的电压，就可以容易地将 其转变成可使电流流通。掺杂到硅基板中的杂质元素，当是P型半导体时，使用硼、镓等第13族元素，当 是N型半导体时，使用磷、砷、锑等第15族元素。至于杂质的扩散方法，目前已开发 出各种扩散方法，如气体扩散法、固体扩散法、涂布扩散法等已广为人知。例如，在专利文献l中揭示了使用固体扩散法的杂质扩散方法和用于该方法的掺杂膜。另一方面，涂布扩散法是使用含有杂质的涂布液，通过将其涂布在半导体基板上， 通过使溶剂挥发来形成杂质扩散源层，然后通过热扩散处理使杂质元素扩散到半导体基 板内的方法。该方法具有不需要使用昂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜形成组合物，其是构成扩散膜的膜形成组合物，所述扩散膜是用来使杂质元素扩散到硅片中，所述膜形成组合物含有：（Ａ）高分子硅化合物、（Ｂ）所述杂质元素的氧化物或含所述杂质元素的盐、以及（Ｃ）成孔剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：森田敏郎，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]