【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括如有机EL(电致发光)设备的自发光型发光设备的显示装置。
技术介绍
在显示装置中,亮度的视角特性是显著影响显示图像质量的因素。通常,在使用如有机EL设备的自发光型发光设备(自发光设备)的情况下,发光本身是全漫射(perfect diffusion)。此外,由于谐振器结构等的微腔效应,即使在使用其中改进了在前面方向上的提取效率的设备结构的情况下,发光部分也能够设计为类似于全漫射光源的部分。因此,已经认为自发光设备有利于亮度的视角特性。 然而,在通过使用这种自发光设备构造显示装置的情况下,在一些情况下,为了实现高对比度,为了抑制外部光的从底板(位于显示面的相对侧的一对基底之一)反射的目的,提供了黑矩阵层。此外,为了改进除了高对比度之外的色纯度,在一些情况下,提供与滤色镜整体构造的黑矩阵层。 在提供有这种黑矩阵层的自发光型发光设备中,黑矩阵层安排在与该对基底中的底板相对安排的基底上。为了在底板上形成黑矩阵层,要求发光设备具有耐热性和可靠性。然而,在现有环境下,不存在满足前述要求的材料。因此,最本质的是在相对的基底侧形成黑矩阵层。 因此,当底 ...
【技术保护点】
一种显示装置,其中多个像素总体上以矩阵状态排列,所述显示装置包括:一对基底;在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备;以及在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层,并且满足以下公式(41):2√3≤(|W↓[BM]-W↓[LD]|/D)(41)其中W↓[BM]代表所述黑矩阵层的孔径尺寸;W↓[LD]代表所述发光设备的发光区域尺寸;并且D代表所述发光设备和黑矩阵层之间的空气长度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-8-30 224456/071.一种显示装置,其中多个像素总体上以矩阵状态排列,所述显示装置包括一对基底;在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备;以及在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层,并且满足以下公式(41)2√3≤(|WBM-WLD|/D) (41)其中WBM代表所述黑矩阵层的孔径尺寸;WLD代表所述发光设备的发光区域尺寸;并且D代表所述发光设备和黑矩阵层之间的空气长度。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中在每个像素中,在水平方向上的所述黑矩阵层的孔径尺寸WBM和所述发光设备的发光区域尺寸WLD分别比在垂直方向上的所述黑矩阵层的孔径尺寸WBM和所述发光设备的发光区域尺寸WLD长。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述发光设备是有机EL设备,并且所述显示装置配置为有机EL显示装置。4.一种显示装置,其中多个像素总体上以矩阵状态排列,所述显示装置包括一对基底;在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备;以及在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层,并且满足以下公式(42)到公式(44)2√3>(|WBM-WLD|/D) (42)WLD<WBM (43)(√3/2)*WBM≥D≥(1/2√3)*(WBM-WLD) (44)其中WBM代表所述黑矩阵层的孔...
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