一种钴掺杂改性Ｂｅｔａ－氧化铋光催化剂的制备方法技术

本发明专利技术涉及环境科学与工程领域，具体为一种依靠可见光催化技术对水中有机污染物进行降解的钴掺杂改性Ｂｅｔａ－氧化铋光催化剂的制备方法。本发明专利技术方法中利用溶剂热法合成钴掺杂改性Ｂｅｔａ－氧化铋光催化剂，合成时将硝酸铋与硝酸钴的摩尔比控制在１０∶１～１６．７∶１，煅烧温度控制在４５０～５５０℃。用氙灯模拟可见光源进行光降解反应。该发明专利技术方法制备的光催化剂可在１．５小时内去除约５０％以上水体中２，４，６－三氯酚（２，４，６－ＴＣＰ）污染物（浓度为１０ｍｇ／Ｌ）。同时光催化剂制备过程简单，颗粒尺寸大，方便回收和重复利用；制作成本低廉，周期短效率高，因此具有很好的工业化应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及环境科学与工程领域，内容为一种钴掺杂改性Beta-氧化铋光催化剂 的降解活性考察及其合成方法，具体为一种依靠可见光催化技术对水中有机污染物进行降 解的钴掺杂改性Beta-氧化铋光催化剂的制备方法。
技术介绍
近年来，基于半导体光催化降解有机污染物为许多存在及潜在的环境问题提供了 可行的解决方案而引起了研究者极大的关注。半导体中存在价带和导带，在光照等外在因 素激发下，价带的电子吸收能量跃迁到导带，从而使导带上产生电子(e_)，同时价带失去电 子产生空穴OO，所产生的空穴和电子分别具有氧化性和还原性，进而引发氧化还原反应。 半导体光催化技术的主要应用包括对于环境保护领域中的污染物的处理以及光裂解水制 氢等方面。目前应用较多的光催化剂是具有高光敏性、低毒等优点的二氧化钛和氧化锌，但 是这些催化剂均存在光吸收能力不强的问题，一般只能吸收紫外线或近地紫外线辐射仅约 4%的太阳光，催化性能有待进一步提高；同时，应用较多的催化剂如纳米二氧化钛颗粒度 较小，无法实现从水体中的有效分离，回收率低，不能达到对水体的有效净化。因此，开发光 吸收能力强的大颗粒度可见光光催化剂是目前环境光催本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于降解水中有机污染物的钴掺杂改性Ｂｅｔａ－氧化铋光催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：１）制备前驱体溶液：将Ｐｌｕｒｏｎｉｃ　Ｐ－１２３嵌段共聚体表面活性剂溶于２摩尔／升的硝酸溶液中，其中Ｐｌｕｒｏｎｉｃ　Ｐ－１２３浓度范围控制在０．００８～０．０１６摩尔／升；在搅拌状态下将五水硝酸铋溶解于上述溶液中，控制硝酸铋浓度为０．３～０．５摩尔／升；按照铋和钴的摩尔比为１０∶１～１６．７∶１，在搅拌状态下将硝酸钴加入到上述硝酸铋的溶液中，继续搅拌，得到玫红色前驱体溶液；２）水热合成过程：将玫红色前驱体溶液在搅拌状态下于室温陈化３小时，之后转移到含聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中，密封高压釜...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：牛军峰，包月平，殷立峰，沈珍瑶，
申请(专利权)人：北京师范大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]