开关元件的驱动方法和电源装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电源装置中的开关元件的驱动方法。电源装置包括：低侧功率ＭＯＳＦＥＴ部（２１）内并联连接的主ＭＯＳ（２２）和副ＭＯＳ（２３）；与低侧功率ＭＯＳＦＥＴ部（２１）设置在相同的半导体基板上，数量比低侧功率ＭＯＳＦＥＴ部（２１）内的并联数少，并检测与低侧功率ＭＯＳＦＥＴ部（２１）的负载对应的信息的检测ＭＯＳ（２５）；以及根据检测ＭＯＳ２５检测出的信息来驱动主ＭＯＳ（２２）和副ＭＯＳ（２３）的控制部。在使并联连接的功率ＭＯＳＦＥＴ中轻负载时工作的功率ＭＯＳＦＥＴ的数量减少的控制方法中，能不使成本增加而高精度地检测电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及开关元件的驱动方法和电源装置，尤其涉及用于电子设备等的同步整 流电路中的芯片的小型化。
技术介绍
以往，作为用于电子设备等的电源装置，已知有图13所示的电源装置。图13所示的电源装置中，包括有源元件62的开关部52根据从控制部M的驱动 部70输出的控制信号，对从直流输入电源60输入到包括输入电容61的输入部51的直流 功率进行切换，从包括续流二极管(FWD:Free Wheeling Diode)63和输出滤波器55的输出 部53向负载66供给功率。另外，由检测部67检测向负载66输出的电压和电流，由比较运算部69对该检测 值和设定部68所设定的负载66的控制目标值进行比较，基于比较结果的控制信号从驱动 部70被输出至开关部52。通过这样进行控制，使得对负载供给的功率与控制目标值一致。图14示出这样的电源装置的具体电路结构。如图14所示，开关部52包括有源元件(例如晶体管或MOSFET等)62。输出部53 包括续流二极管63、由扼流圈64和平滑电容65构成的输出滤波器。控制部M包括比较运 算部69、设定部68、驱动部70。并且，控制部M包括未图示的振荡电路，将脉冲信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源装置中的开关元件的驱动方法，该电源装置利用控制部对串联连接在电压输入端子与基准电位端子之间的第一开关元件和第二开关元件互补地进行通断控制，使电流流向连接在上述第一开关元件和上述第二开关元件的连接节点上的电感元件而输出将施加在电压输入端子上的电压转换后的电压，所述开关元件的驱动方法的特征在于：上述第二开关元件由并联连接的２个以上的晶体管构成，利用检测晶体管来检测与上述第二开关元件的负载对应的信息并将其输出至上述控制部，上述检测晶体管与上述第二开关元件设置在相同的半导体基板上，上述检测晶体管的数量比上述第二开关元件的上述晶体管的并联数少；由上述控制部根据上述检测晶体管检测出的信息来进行控制...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：桥本贵之，增永昌弘，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]