寒富苹果矮干高冠栽植法制造技术

寒富苹果矮干高冠栽植法，包括以下工艺步骤：１、建园时选择园址。２、整地。３、挖栽植沟：沟深０．８米，宽０．６－０．７米；挖穴深０．８米，１米直径圆形或方形均可，表土与心土分别堆放，不让土层混乱。４、整地时间最好在秋季或上冬前进行。５、栽植沟（穴）挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉实，再回填表层土起畦，畦高于地面０．５－０．６米处栽植苹果苗木。本项发明专利技术的优点：这种栽植苹果树方法能提高苗木栽植后受光面积，提高阳光的利用率，增加地温，使苗木根系很快恢复愈合组织进行吸收营养。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种果树栽培技术，特别是涉及一种采用高位嫁接苗进行抬高苗木地径 的寒富苹果矮干高冠栽植法。
技术介绍
目前在生产上采用栽培方法是栽培苗木的地径都与园地持平或下沉埋干的栽培 法。苗木埋干后生长缓慢，即是成活，长势也不好，果树埋干后影响根系的透气性，也影响果 树根系吸收营养，更为严重的是树的主干受冻严重，果树的行间容量减少，影响通风透光， 不利果实着色，增加果园病虫害的发生，用工、用药增加，加大了果园管理成本，减少收入。
技术实现思路
本项专利技术的目的在于提供一种寒富苹果矮干高冠栽植法，该方法可使寒富苹果早 产、早丰，有利于提高果实品质。本专利技术采用的技术方案寒富苹果矮干高冠栽植法，包括以下工艺步骤1、建园时选择园址园址是一定要选择在水位较低，背风向阳，又便于灌溉的沙壤 土为好。2、整地如每亩栽植株数在50株以上要进行挖栽植沟，每亩栽植不足50株的要挖 栽植穴。3、挖栽植沟(穴)的规格是沟深0. 8米，宽0. 6-0. 7米；挖穴深0. 8米，1米直径 圆形或方形均可，表土与心土分别堆放，不让土层混乱。4、整地时间最好在秋季或上冬前进行。5、栽植沟(穴)挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉 实，再回填表层土起畦，畦高于地面0. 5-0. 6米处栽植苹果苗木。6、苗木的定干高度应在苗木0. 65-0. 75米饱满芽处定干，这个高度再加畦(垄) 高，树冠高度可达到1. 1或1. 3米的高度。本项专利技术的优点1、这种栽植苹果树方法能提高苗木栽植后受光面积，提高阳光的利用率，增加地 温，使苗木根系很快恢复愈合组织进行吸收营养。2、畦(垄)高，土壤通透性好，有利微生物繁殖和土壤熟化，增加土壤团粒结构，提 高土壤的肥力，达到果园保肥、保水目的。3、这种栽植苹果方法，提高主干离园地面高度，避免冬季寒冷造成的冻害程度 (因冻害是离地面20公分高处最严重)。4、增加树体行间容量，有利通风透光，提高果实着色率和果品品质，有利于果实糖 份积累。5、由于树冠矮，便于套袋脱袋和果实采收，省力、省人工，降低生产成本，增加效具体实施例方式1、建园时选择园址园址是一定要选择在水位较低，背风向阳，又便于灌溉的沙壤 土为好。2、整地每亩栽植株数为55株，须进行挖栽植沟。3、挖栽植沟的规格是沟深0. 8米，宽0. 65米；表土与心土分别堆放，不让土层混 乱。4、整地时间在秋季进行。5、栽植沟(穴)挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉 实，再回填表层土起畦，畦高于地面0. 6米处栽植苹果苗木。6、苗木的定干高度在苗木0. 7米饱满芽处定干，这个高度再加畦(垄)高，树冠高 度达到1.2米的高度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
寒富苹果矮干高冠栽植法，其特征包括以下工艺步骤：建园时选择园址：园址是一定要选择在水位较低，背风向阳，又便于灌溉的沙壤土为好；整地：如每亩栽植株数在５０株要进行挖栽植沟，每亩栽植５０株的要挖栽植穴；挖栽植沟的规格是：沟深０．８米，宽０．６－０．７米；挖穴深０．８米，１米直径园形或方形均可，表土与心土分别堆放，不让土层混乱；整地时间最好在秋季或上冬前进行；栽植沟挖完之后，应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶，然后回填心土沉实，再回填表层土起畦，畦高于地面０．５－０．６米处栽植苹果苗木；苗木的定干高度应在苗木０．６５－０．７５米饱满芽处定干，这个高度再加畦高，树冠高度可达到１．１或１．３米的高度。

【技术特征摘要】
寒富苹果矮干高冠栽植法，其特征包括以下工艺步骤建园时选择园址园址是一定要选择在水位较低，背风向阳，又便于灌溉的沙壤土为好；整地如每亩栽植株数在50株要进行挖栽植沟，每亩栽植50株的要挖栽植穴；挖栽植沟的规格是沟深0.8米，宽0.6 0.7米；挖穴深0.8米，1米直径园形或方形均可，表土与心土分...

【专利技术属性】
技术研发人员：李茂生，李光明，
申请(专利权)人：李茂生，李光明，
类型：发明
国别省市：21[]