一种采用VMOS硬件记忆式外设驱动制造技术

技术编号:5116392 阅读:177 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种采用VMOS硬件记忆式外设驱动,主要包括,电阻(1)、二极管(2)、电容(3)、继电器(4)其中电阻(1)与二极管(2)、电容(3)串联,其二极管(2)与电阻(1)并联,电容(3)与电阻(1)并联,其电容(2)的一端通过电路连接继电器(4),其继电器(4)与一二极管(2)并联,电容(3)与继电器(4)连接的电路中,采用了VMOS管,本实用新型专利技术的有益效果为:VMOS管作为CPU的外级驱动器,在强干扰的电磁环境中,利用寄生电容的硬件存储效应,保持VMOS的有效输出状态长达1秒的时间,VMOS管作为CPU的外级驱动器,在强干扰的电磁环境中,有效克服干扰。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于军用定频空调控制板上的,记忆式外设驱动。技术背景空调电控板是空调电控系统的心脏,担负人机接口,参数检测、驱动控制任务,内 机控制内机部件,外机板控制外机部件。同时它们又相互通讯以达到共同控制空调的目的。 目前大多数普通空调都是只有内机一块板,变频机则内外都有,有些牌子不一样,也是有 内、外机板
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种结构简单的,广泛用于军用定频空调控 制板上的记忆式外设驱动。本技术的主要特点在于主要包括,电阻、二极管、电容、继电器其中电阻与二 极管、电容串联,其二极管与电阻并联,电容与电阻并联,其电容的一端通过电路连接继电 器,其继电器与一二极管并联,电容与继电器连接的电路中,采用了 VMOS管。本技术的有益效果为VM0S管作为CPU的外级驱动器,在强干扰的电磁环境 中,利用寄生电容的硬件存储效应,保持VMOS的有效输出状态长达1秒的时间,VMOS管作 为CPU的外级驱动器,在强干扰的电磁环境中,有效克服干扰。附图说明图1为本技术的产品结构示意图具体实施方式下面在具体实施方式对本技术作进一步详细说明如图所述的一种硬件记忆式外设驱动,主要包括,电阻1、二极管2、电容3、继电器 4,其中电阻1与二极管2、电容3串联,其二极管2与电阻1并联,电容3与电阻1并联,其 电容3的一端通过电路连接继电器4,其继电器4与一二极管2并联,电容3与继电器4连 接的电路中,采用了 VMOS管,VMOS管作为CPU的外级驱动器,在强干扰的电磁环境中,利用 寄生电容的硬件存储效应,保持VMOS的有效输出状态长达1秒的时间,采用MOS管驱动器, 降低全工作温度范围内的驱动损耗和漏电器,使静态驱动损耗接近0瓦特,提高驱动电路 的可靠性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用VMOS硬件记忆式外设驱动,主要包括,电阻(1)、二极管(2)、电容(3)、继电器(4),其中电阻(1)与二极管(2)、电容(3)串联,其二极管(2)与电阻(1)并联,电容(3)与电阻(1)并联,其电容(3)的一端通过电路连接继电器(4),其继电器(4)与一二极管(2)并联,其特征在于:电容(3)与继电器(4)连接的电路中,采用了VMOS管。

【技术特征摘要】
一种采用VMOS硬件记忆式外设驱动,主要包括,电阻(1)、二极管(2)、电容(3)、继电器(4),其中电阻(1)与二极管(2)、电容(3)串联,其二极管(2)与电阻(1)并联...

【专利技术属性】
技术研发人员:岑磊赵志强宋莹
申请(专利权)人:合肥通用电源设备有限公司
类型:实用新型
国别省市:34[中国|安徽]

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