一种用于高功率的具有多级混合波束形成网络的双极化天线。本发明专利技术涉及一种用于高功率天线系统的具有多级配电网络的混合波束形成网络，包括：矩形波导到方同轴线的过渡单元、方同轴到方同轴线的过渡单元、方同轴到微带的过渡单元和微带馈入网络。一种带有多层印刷天线的双极化赋形波束天线包括：第一层，具有Ｃ－法兰夹、Ｔ－法兰夹和平法兰；第二层，用于将输入提供通过两个波导ＷＲ１５９；第三层，具有用于容纳１×４的盖板；第四层，具有１×４左内导体（４ａ）和１×４右内导体；第五层，通过提供每侧上的两个与下一对不对称的四个不对称１×８区段，该第五层具有用于１×３２方同轴线的两个壳体；第六层，形成用于从所述第五层形成的１×６４壳体的盖板底部；和形成微带馈入网络贴片层的馈入网络微带线、下贴片层、聚甲基丙烯酰亚胺泡沫层和上贴片层。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及微波通信并进一步涉及波束形成网络的设计。技术背景微带贴片辐射器上的双极化天线被提供有多级高功率混合波束形成网络(BFN)。 BFN是这种天线系统的核心，这是由于其不仅为所需的辐射提供必需的激励而且还将高功 率电平降到微带馈线所能容忍的电平。对于空中和星载应用而言，BFN的关键要求是宽带 操作、高精度功率分配(power division)(典型地0. 5db幅度和5. 0°相位)、高功率能力 和可靠技术。对能够以高功率且紧凑的方式操作的配电网络的需求是需要的。由此开发出新型 的多级共同配电网络能够将功率有效地从波导耦合到主级方同轴网络然后耦合到次级方 同轴网络并最终从方同轴耦合到微带网络。此配电网络在高功率操作尤其在SAR应用中需 要的波束形成网络中获得广泛应用。波束形成网络是波导、方同轴线和微带线的组合以满 足高功率需求。赋形通过开发新方向图综合技术来提供用于得到使其能够实现的具有优化 电流锥度比和互耦的无波动方向图。本专利技术已致力于开发波导和方同轴线的独特的配电网络组合，使其作为用于高功 率空中SAR应用的可行辐射振子选件的多级印刷微带天线是可行的。这将利于增加带宽、 低插入损耗同时提高交叉极化。由中空波导制成的波束形成网络从功率控制(power handling)的观点出发是最 适合的，但是从重量和紧凑性的观点出发，BFN通常不单单由波导制成。在此情况下，矩形 (或更具体地，方形)同轴线在低频范围如L波段、C波段至X波段被用作传输介质。在 过去被广泛使用的圆同轴线不提供为为了机械益处的平坦表面，并具有明确限定的极化平 面。而且在实际中，可推测的是，至少在一些情况，对于矩形线，交叉极化比或排斥具有不期 望的可替代极性的波的能力可能是较优的。矩形同轴线的损耗特性和功率使用能力与圆同 轴线的损耗特性和功率使用能力相当。然而，制造具有矩形横截面的部件更经济，并且此类 型的同轴线在采用大量部件的馈电系统中被主要使用以形成BFN。特别地，从方-X到其它传输介质的不同类型的过渡设计对于最佳构造是非常重 要的，并且没有公开文献给出这种设计的任何线索。因此，对矩形同轴线和波导波束形成器 的各个方面开展系统性研究是绝对必要的，然后进行模拟、设计、制造和RF测试。
技术实现思路
本专利技术描述各种过渡，比如方同轴到微带的过渡被提供以匹配电抗，该过渡 通过设计具有线性电阻分布特性的探针来匹配内导体中的阻抗和沟槽不连续(groove discontinuity)。新的方同轴线过渡通过为宽带匹配在内和外导体二者中提供沟槽并使其 能够在高达X波带的较高频率下操作而被开发。从波导到方同轴线的功率通过开发顶部负 载探针(top loaded probe)而被传输。功率还被有效地耦合到驱动印刷贴片并且然后被有效地耦合到寄生贴片辐射器，从而用于提供宽的带宽。本专利技术涉及一种用于高功率天线系统的具有多级配电网络的混合波束形成网络， 其包括矩形波导到方同轴线的过渡单元，该过渡单元具有顶部负载 铃状探针，以提供用 于模式变换的电容部件，输入波导管将输入提供到垂直波导管，两个所述波导管通过LMP 焊接而连接；方同轴到方同轴线的过渡单元，该过渡单元能够通过圆同轴线连接在馈入网 络的两个不同层之间，所述单元具有位于内导体中的不连续沟槽，以相对于外导体或宽带 匹配进行优化，所述过渡单元具有输出波导管，该输出波导管被HMP焊接到从波导延伸的 曲形垂直波导管；方同轴到微带的过渡单元，该过渡单元具有位于内导体中不连续沟槽，以 使其能够以不同频率工作；和用于多层印刷天线处的复杂激励的微带馈入网络，该微带馈 入网络通过生成位于单位圆外的根对进行优化。在本专利技术的进一步的实施例中，一种带有多层印刷天线的双极化赋形波束天线被 限定为包括第一层，该第一层具有彼此以规定距离分离布置的C-法兰夹、T-法兰夹和 平法兰；第二层，该第二层用于将输入提供通过两个波导WR159 ；第三层，该第三层具有用 于容纳1X4的盖板以支撑下一层中的1X4波导；第四层，该第四层具有1X4左内导体 和1X4右内导体，两个所述导体均将1个输入分配到4个输出，该第四层在输入端包括矩 形波导到方同轴的单元并在输出端包括连接到下一层的方同轴到方同轴的过渡单元；第 五层，通过提供每侧上的两个与下一对不对称的四个不对称1X8区段，该第五层具有用于 1X32方同轴线的两个壳体；第六层，该第六层形成用于从所述第五层形成的1X64壳体 的盖板底部；和形成微带馈入网络贴片层的馈入网络微带线、下贴片层、聚甲基丙烯酰亚胺 (Rohacell)泡沫层和上贴片层。附图说明将参照附图对本专利技术进行更加详细地讨论，其中图1描绘具有多级混合波束形成网络的双极化天线的三维视图2示出硬件的细节；图3描绘矩形波导WR159的输入段；图4示出用于双极的IX 16方同轴馈入网络的细节；图5示出用于双极的1X4方同轴馈入网络的细节；图6示出1X4方同轴线的内导体和各种过渡；图7示出1X8方同轴线的内导体和各种过渡；图8示出1X8方同轴线的不同部分；图9示出方同轴线到微带线的过渡和方同轴线到方同轴线的过渡；图10示出双极化天线的8X32振子微带馈入网络层和贴片层。具体实施方式描绘了具有多级混合波束形成网络的双极化天线的3D视图，其在天线的分解视 图中被进一步限定。具有多层印刷天线(图幻的双极化赋形波束天线由各层形成。其具 有第一层，该第一层具有彼此以规定距离分离放置的C-法兰夹(flange clamp) (la)、T_法 兰夹(lb)和平法兰(Ic)。第二层将输入提供通过两个波导WR15iK2a、2b)，该输入随后通4过网络散布。图3中给出波导的细节图。第三层具有用于容纳lX4(3a)的盖板以支撑下 一层中的1X4波导，壳体单元被限定在图5中，图5示出形成层的顶部壳体。第四层具有 1X4左内导体Ga)和1X4右内导体(4b)，两个导体均将1个输入分配到4个输出(图 7)，该层在输入端处具有矩形波导到方同轴的单元并在输出端处具有连接到下一层的方同 轴到方同轴的过渡单元。第五层具有用于lX32(5ajb和图幻方同轴线的两个壳体。这 通过每侧上有两个的四个1X8区段而被提供。区段对与彼此相反的下一对是不对称的，从 而形成32个输出。第六层形成用于从第五层形成的1X64壳体的盖板底部(6)。最后三层 形成微带馈入网络贴片层(图11)，其包括馈入网络微带线(7)、下贴片层(8)、聚甲基丙烯 酰亚胺泡沫层(9)和上贴片层(10)。用于高功率天线系统具有多级配电网络的混合波束形成网络包括以下过渡单元。波导到方同轴线的过渡该过渡将功率从波导耦合到方同轴线。矩形波导中的主模是TElO而在方同轴线 中是TEM模式。模式变换通过顶部加载探针执行，以给出所需的电容部件。现铃状的探针 用于耦合该过渡。该过渡示出在图6中。矩形波导到方同轴线的过渡单元具有输入波导管 (4c)，其将输入提供到垂直波导管(4d)，两个波导管通过LMP焊接而连接。方同轴到方同轴线的过渡该过渡将连接方同轴线(SCL)中的馈入网络的两个不同层。圆同轴线用于 连接该两个层。回波损耗和插入损耗的性能通过优化内导体的沟槽不连续(groove discontinuity)以及内导体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于高功率天线系统的具有多级配电网络的混合波束形成网络，包括： 矩形波导到方同轴线的过渡单元，该过渡单元具有顶部负载哑铃状探针，以提供用于模式变换的电容部件，输入波导管（４ｃ）将输入提供到垂直波导管（４ｄ），两个所述波导管通过ＬＭＰ焊接而连接； 方同轴到方同轴线的过渡单元，该过渡单元能够通过圆同轴线连接在馈入网络的两个不同层之间，所述单元具有位于内导体中的不连续沟槽，以相对于外导体或宽带匹配进行优化，所述过渡单元具有输出波导管（４ｂ），该输出波导管（４ｂ）被ＨＭＰ焊接到从波导延伸的曲形垂直波导管； 方同轴到微带的过渡单元，该过渡单元被提供以匹配电抗并使能够以不同频率工作，该过渡单元具有带线性电阻分布特性的探针以匹配内导体中的阻抗和不连续沟槽；和 用于多层印刷天线处的复杂激励的微带馈入网络，该微带馈入网络通过生成位于单位圆外的根对进行优化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：布尚夏尔马沙希，库什雷斯塔桑吉夫，库马尔潘迪巴伦杜，乔蒂拉吉夫，布拉塔查克拉巴季苏马亚，巴瑟德卡尔蒂克，
申请(专利权)人：印度太空研究组织，
类型：发明
国别省市：IN[印度]
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