【技术实现步骤摘要】
本技术属于毫米波混合集成电路领域,特别是涉及一种Ka波段G皿n 二极管 连续波注入锁定放大器。技术背景 毫米波功率放大器是毫米波系统的核心组成部分,是决定发射机性能的关键器 件。目前,毫米波单片功率放大器尚处于研究阶段,商品化的产品种类少,输出功率也不大。 毫米波混合集成电路中,常利用三端FET器件制作功率源,但其增益平坦度难以满足高性 能发射机的要求。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种结构简单、输出功率大、工作稳定、增 益平坦度好和杂散小的Ka波段Gu皿二极管连续波注入锁定放大器。 为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是Ka波段Gimn 二极管连续波 注入锁定放大器的石英波导窗设置在腔体中部边缘处,支座设置在腔体内下方靠近石英波 导窗所在一侧,G皿n 二极管位于谐振腔中,并通过支座固定,微调螺丝一端与G皿n 二极管 一端连接,微调螺丝另一端与定位调谐螺丝一端连接,开槽膜片通过调节插销插入谐振腔 中,所述Gunn二极管与偏置滤波器之间设置有一弹簧片,偏置滤波器由套筒相对弹簧片的 一端插入套筒内。 上述G皿n 二极管与支座通过微调螺丝和定位调谐螺丝固定;开槽膜片材料为无 氧铜,五个槽等间距分布,中央槽缝的几何中心线与膜片中轴线重合;偏置滤波器材料为无 氧铜,表面设有镀银层;支座、腔体材料为无氧铜;微调螺丝和定位调谐螺丝材料为黄铜; 石英波导窗和腔体之间采用普通密封胶气密性封装;调节插销、偏置滤波器、定位调谐螺丝 和腔体之间采用吸收性混合胶气密性封装,所述吸收性混合胶的主要成分为环氧树脂和吸 波材料粉末。 采用上述结构,将Gunn二极管安放在 ...
【技术保护点】
一种Ka波段Gunn二极管连续波注入锁定放大器,其特征在于:石英波导窗(10)设置在腔体(9)中部边缘处,支座(3)设置在腔体(9)内下方靠近石英波导窗(10)所在一侧,Gunn二极管(14)位于谐振腔(18)中,并通过支座(3)固定,微调螺丝(17)一端与Gunn二极管(14)一端连接,微调螺丝(17)另一端与定位调谐螺丝(8)一端连接,开槽膜片(16)通过调节插销(1)插入谐振腔(18)中,所述Gunn二极管(14)与偏置滤波器(2)之间设置有一弹簧片(15),偏置滤波器(2)由套筒(13)相对弹簧片(15)的一端插入套筒(13)内。
【技术特征摘要】
一种Ka波段Gunn二极管连续波注入锁定放大器,其特征在于石英波导窗(10)设置在腔体(9)中部边缘处,支座(3)设置在腔体(9)内下方靠近石英波导窗(10)所在一侧,Gunn二极管(14)位于谐振腔(18)中,并通过支座(3)固定,微调螺丝(17)一端与Gunn二极管(14)一端连接,微调螺丝(17)另一端与定位调谐螺丝(8)一端连接,开槽膜片(16)通过调节插销(1)插入谐振腔(18)中,所述Gunn二极管(14)与偏置滤波器(2)之间设置有一弹簧片(15),偏置滤波器(2)由套筒(13)相对弹簧片(15)的一端插入套筒(13)内。2. 如权力要求1所述的Ka波段Gimn 二极管连续波注入锁定放大器,其特征在于所 述Gu皿二极管(14)与支座(3)通过无氧铜垫片(4-7)调整相对位置。3. 如权力要求1所述的Ka波段Gimn 二极管连续波注入锁定放大器,其特征在于所 述开槽膜片(16)材料为无氧铜,五个槽等间距分布,中央槽缝的几何中心线与膜片中轴线 重合。...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴华夏,刘劲松,王华,张骁勇,窦增昌,
申请(专利权)人:安徽华东光电技术研究所,
类型:实用新型
国别省市:34[中国|安徽]
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