【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及一种。
技术介绍
电阻抗X线断层照相术(EIT)是一种特别地在用于检测下层形态的医学和其他应用中使用的已知成像技术。通常,多个电极附着到待成像的对象。在‘输入’电极的子集内施加输入电压并且在‘输出’电极测量输出电流,或者在‘输入’电极的子集之间施加输入电流并且在‘输出’电极或者在成对输出电极之间测量输出电压。例如,当在‘输入’电极的子集之间施加很小的交变电流时,测量在输出电极之间或者在成对‘输出’电极之间的电势差。然后在‘输入’电极的不同子集之间施加电流,并且测量在输出电极之间或者在成对‘输出’电极之间的电势差。然后可以使用适当图像重构技术来构造基于电阻抗变化的电阻抗图像。 然而,在不同形态的区域之间的电阻抗变化可能太小而不可辨认。 已经有一种对这一问题的解决方式是在宽频率范围内进行EIT。在一个频率具有不明显阻抗差异的不同形态可能在不同频率具有更明显差异。然而即使使用不同频率,在不同形态的部分之间的电阻抗变化仍然可能太小而不可辨认。 因此希望能够使用EIT来更好地区分不同形态。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例,提供一种,该方法包括以下步骤 (i)获得对象的电阻抗数据; (ii)使用假定电模型的传递函数来分析获得的电阻抗数据以确定对象的多个电阻抗性质;以及 (iii)对一个或者多个确定的电阻抗性质进行成像。 可以根据测量的电阻抗数据来导出与测量的电阻抗数据有关的电阻抗性质,而这些电阻抗性质可以用来分析对象的结构。然而,个别电阻抗性质的变化量可能不足以支持准确分析。 根据本专利技术的一个实施例,提供 ...
【技术保护点】
一种用于分析电传导对象的结构的方法,所述方法包括以下步骤:(i)在频率范围内获得所述对象的电阻抗数据;(ii)使用假定电模型的传递函数来分析所述获得的电阻抗数据以确定所述对象的多个电阻抗性质;(iii)构造性地组合所述确定的多个电阻抗性质中的所选电阻抗性质以提供所述对象的至少一个参数阻抗值;以及(iii)对所述确定的参数阻抗值中的一个或者多个进行成像。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2007-6-7 0710949.91.一种用于分析电传导对象的结构的方法,所述方法包括以下步骤(i)在频率范围内获得所述对象的电阻抗数据;(ii)使用假定电模型的传递函数来分析所述获得的电阻抗数据以确定所述对象的多个电阻抗性质;(iii)构造性地组合所述确定的多个电阻抗性质中的所选电阻抗性质以提供所述对象的至少一个参数阻抗值;以及(iii)对所述确定的参数阻抗值中的一个或者多个进行成像。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述电模型假定与第三阻抗并联连接的第一和第二串联连接的阻抗。3.根据权利要求1或者2所述的方法,其中所述电模型假定电容器和串联连接的电阻器,所述电容器和串联连接的电阻器与另一电阻器并联连接。4.根据权利要求1、2或者3所述的方法,其中所述电模型是分形模型并且在任何分辨率可用。5.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述电阻抗性质选自于包括以下内容的组在频率下限的阻抗,在频率上限的阻抗,在阻抗有改变时的松弛频率fr,在该松弛频率的阻抗,以及在该松弛频率的阻抗梯度。6.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述电模型假定电容和串联连接的电阻,所述电容和串联连接的电阻与并联电阻并联连接以形成具有松弛频率的模型电路,其中用于成像的所述参数阻抗值是所述电容、所述松弛频率、所述串联电阻和所述并联电阻中的两个或者更多的组合。7.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述电模型假定‘膜’电容和串联连接的细胞内电阻,所述‘膜’电容和串联连接的细胞内电阻与细胞外电阻并联连接,其中用于成像的所述参数阻抗值包括以下参数阻抗值之一·膜阻抗·膜电导率·细胞内阻抗乘积·细胞内阻抗差值·细胞内阻抗规范化差值·细胞内阻抗差分·细胞内阻抗规范化差分·细胞内电导率乘积·细胞内电导率差值·细胞内电导率规范化差值·细胞内电导率差分·细胞内电导率规范化差分·细胞内时间常数·细胞内频率常数·细胞外阻抗乘积·细胞外阻抗差值·细胞外阻抗规范化差值·细胞外阻抗差分·细胞外阻抗规范化差分·细胞外电导率乘积·细胞外电导率差值·细胞外电导率规范化差值·细胞外电导率差分·细胞外电导率规范化差分·细胞外时间常数·细胞外频率常数·外-内阻抗乘积·外-内阻抗差值·外-内阻抗规范化差值·外-内差分·外-内规范化差分·外-内电导率乘积·外-内电导率差值·外-内电导率规范化差值·外-内电导率差分·外-内电导率规范化差分任一前述参数由散射梯度α修改。8.根据权利要求1至5中的任一权利要求所述的方法,其中所述电模型假定第一阻抗和串联连接的第二阻抗,所述第一阻抗和串联连接的第二阻抗与第三阻抗并联连接以形成具有松弛频率的模型电路,其中用于成像的所述参数阻抗值是所述第一阻抗、所述松弛频率、所述第二阻抗和所述第三阻抗中的两个或者多个的组合。9.根据权利要求1至5和8中的任一权利要求所述的方法,其中所述电模型假定内含物边界阻抗和串联连接的内含物内阻抗,所述内含物边界阻抗和串联连接的内含物内阻抗与内含物间阻抗并联连接,其中用于成像的所述参数阻抗值包括以下参数阻抗值之一·内含物边界阻抗·内含物边界电导率·内含物内阻抗乘积·内含物内阻抗差值·内含物内阻抗规范化差值·内含物内阻抗差分·内含物内阻抗规范化差分·内含物内电导率乘积·内含物内电导率差值·内含物内电导率规范化差值·内含物内电导率差分·内含物内电导率规范化差分·内含物内时间常数·内含物内频率常数·内含物间阻抗乘积·内含物间阻抗差值·内含物间阻抗规范化差值·内含物间阻抗差分·内含物间阻抗规范化差分·内含物间电导率乘积·内含物间电导率差值·内含物间电导率规范化差值·内含物间电导率差分·内含...
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