反激变换器及其控制芯片制造技术

本公开的实施例提供反激变换器及其控制芯片。该控制芯片包括电压同步整流控制器die和功率器件die，功率器件die集成有同步整流MOS管，功率器件die在同步整流控制器die上电之前，根据同步整流MOS管的漏极电压确定第一采样信号，在同步整流控制器die上电之后，根据同步整流MOS管的漏极电压，确定第一采样信号和第二采样信号，同步整流控制器die根据第一采样信号生成内部电源电压，以建立供电，在同步整流控制器die上电之后，根据第二采样信号和第一采样信号，控制同步整流MOS管的通断。该控制芯片能够降低同步整流控制器die的成本，降低控制芯片的成本，还能够提高反激变换器的控制精度。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及集成电路，尤其涉及反激变换器及其控制芯片。

技术介绍

1、近年来，为了进一步改善全球节能，全球监管机构针对电源产品提出了新的效率标准，例如，美国能源部(doe)提出的doe vi级标准，欧盟提出的coc v5tier2规格，制造商需要提高现有的独立电源产品的效率，以满足这些新的效率标准。通常可以选择mos作为反激变换器的同步整流管，并配合同步整流控制器，能够将反激变换器的效率提升至少2％。

2、现有技术中，同步整流控制器包括逻辑控制电路和采样电路，其中，采样电路采样同步整流mos管的漏极电压，以得到低压采样信号，逻辑控制电路对低压采样信号进行逻辑处理，同步整流控制器die需要同时使用高压工艺和低压工艺，导致同步整流控制器die的成本增加。

技术实现思路

1、本公开提供了一种反激变换器及其控制芯片，能够降低同步整流控制器die的成本，降低控制芯片的成本，还能够提高反激变换器的控制精度。

2、第一方面，本公开提供了一种反激变换器的控制芯片，反激变换器包括初级线圈、次级线圈本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反激变换器的控制芯片，所述反激变换器包括初级线圈、次级线圈和同步整流MOS管，所述次级线圈与所述初级线圈耦合，所述同步整流MOS管的漏极连接所述次级线圈，所述同步整流MOS管的源极接地，其特征在于，所述控制芯片包括同步整流控制器die和功率器件die；

2.根据权利要求1所述的控制芯片，其特征在于，所述功率器件die包括采样MOS管、采样电阻模块、第一采样输出端、第二采样输出端、接地输出端、第一驱动输入端和第二驱动输入端；

3.根据权利要求2所述的控制芯片，其特征在于，所述采样电阻模块包括第一采样电阻和第二采样电阻；

4.根据权利要求2所述的控...

【技术特征摘要】

1.一种反激变换器的控制芯片，所述反激变换器包括初级线圈、次级线圈和同步整流mos管，所述次级线圈与所述初级线圈耦合，所述同步整流mos管的漏极连接所述次级线圈，所述同步整流mos管的源极接地，其特征在于，所述控制芯片包括同步整流控制器die和功率器件die；

2.根据权利要求1所述的控制芯片，其特征在于，所述功率器件die包括采样mos管、采样电阻模块、第一采样输出端、第二采样输出端、接地输出端、第一驱动输入端和第二驱动输入端；

3.根据权利要求2所述的控制芯片，其特征在于，所述采样电阻模块包括第一采样电阻和第二采样电阻；

4.根据权利要求2所述的控制芯片，其特征在于，所述同步整流控制器die包括驱动控制模块、检测模块、充电模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖哲飞，冯林，王楠，谭琛，
申请(专利权)人：珠海楠欣半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：