【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种真空断路器,其能够施加适当的自闭力以确保设置在压力容器中的真空灭弧室的性能。
技术介绍
1、通常,真空断路器可以是安装在高压电力系统中以在发生诸如短路、过电流等危险状况时通过断路来保护电力系统的一种断路器,并且可以通过利用真空状态下优异的绝缘性能和灭弧能力来设计。
2、这种真空断路器的核心部件可以是真空灭弧室。真空灭弧室可以包括固定电极和可动电极,可动电极可以在密封的真空管中与固定电极接触或分离,并且可以通过使固定电极和可动电极接触和分离来执行电路的通电和断路功能。
3、在这种情况下,由于在保持真空灭弧室内的真空状态的同时应执行直线移动以使可动电极与固定电极接触或分离,因此可以在可动电极的周围安装波纹管。
4、真空灭弧室的内部可以处于真空状态,并且其外部可以被压力容器包围,气压可以被施加到压力容器上。由于施加在压力容器中的气压对真空灭弧室的操作特性具有非常显著的影响,因此在设计驱动部或选择容量时应考虑气压的影响。
5、例如,在将真空断路器应用于超高压气体绝缘开关(以下称为gi
...【技术保护点】
1.一种真空断路器,包括:
2.如权利要求1所述的真空断路器,其中所述真空灭弧室的自闭力对最小投入触点压力的比率为-0.1至0.2。
3.如权利要求2所述的真空断路器,其中所述真空灭弧室的自闭力对最小投入触点压力的比率大于0且等于或小于0.1。
4.如权利要求1至3中任一项所述的真空断路器,其中所述真空灭弧室的自闭力(FO)在20℃的温度由等式1确定,所述真空灭弧室的投入触点压力(FC)由等式2确定,并且所述真空灭弧室的最小投入触点压力(FC.MIN)被确定为所述投入触点压力(FC)的下限:
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种真空断路器,包括:
2.如权利要求1所述的真空断路器,其中所述真空灭弧室的自闭力对最小投入触点压力的比率为-0.1至0.2。
3.如权利要求2所述的真空断路器,其中所述真空灭弧室的自闭力对最小投入触点压力的比率大于0且等于或小于0.1...
【专利技术属性】
技术研发人员:金键佑,
申请(专利权)人:HD现代电力株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。