花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的形成氧化钇涂覆组件用氟氧化钇的氟化清洗设备性氟化清洗设备，其通过含有CF4反应气体的工艺气体和特定处理条件的等离子体热处理，可以在半导体蚀刻设备中的涂有氧化钇的组件上容易形成氟氧化钇层。根据本发明专利技术，提供半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其为用于清洗半导体干法蚀刻设备中具有氧化钇涂层的花洒头型组件的清洗设备，包括：工艺腔室主体；工艺气体注入口，设置在工艺腔室主体的一侧，用于注入工艺气体；工艺气体排出口，设置在工艺腔室主体的另一侧，用于排出工艺气体；加热部件，设置在工艺腔室主体；以及功率电极部件，设置在工艺腔室主体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的形成氧化钇涂覆组件用氟氧化钇的氟化清洗设备性氟化清洗设备，更详细地，涉及一种半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的形成氧化钇涂覆组件用氟氧化钇的氟化清洗设备性氟化清洗设备，其通过含有cf4反应气体的工艺气体和特定处理条件的等离子体热处理，可以在半导体蚀刻设备中的涂有氧化钇(y2o3)的组件上容易形成氟氧化钇(yof)层。

技术介绍

1、半导体设备中的半导体干法蚀刻设备根据定期进行的设备检查或部件更换(维修，maintenance)来停止运行(down)设备后，在重启设备的情况下，要经过调试(back up)工艺，以正常运行半导体制造设备。

2、在半导体干法蚀刻设备中，调试(back up)工艺要通过如下多个步骤来进行，即，除去设备内水分等的排气(out-gasing)步骤；减少设备内的污染因子(微粒(particle))的步骤；氟化设备内的老化(aging)步骤；利用量产晶圆(wafer)进行样品(sample)品质检测(在工厂数据库(in fab.da本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其为用于清洗半导体干法蚀刻设备中具有氧化钇涂层的花洒头型组件的清洗设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其特征在于，所述功率电极部件由以所述工艺腔室主体的中心为同心圆沿径向隔着间隔设置的多个环状电极构成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其特征在于，所述功率电极部件呈螺旋状或线圈状或板状。

5....

【技术特征摘要】

1.一种半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其为用于清洗半导体干法蚀刻设备中具有氧化钇涂层的花洒头型组件的清洗设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其特征在于，所述功率电极部件由以所述工艺腔室主体的中心为同心圆沿径向隔着间隔设置的多个环状电极构成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其特征在于，所述功率电极部件呈螺旋状或线圈状或板状。

5.根据权利要求1所述的半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置，其特征在于，所述加热部件由放置有气体流路设置组件的板型陶瓷加...

【专利技术属性】
技术研发人员：白泰逸，朴泰勋，吴德才，崔恩永，张朱希，申东浩，郑敏燮，
申请(专利权)人：圆益QNC股份有限公司，
类型：发明
国别省市：